فهرس المقالات Transistor حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 1 - First principle study of the effect of defects on performance of single-molecule pentacene field effect transistors Bahniman Ghosh Akash Gramin 10.1007/s40094-015-0182-8 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 2 - طراحی سلول تمام جمع کننده تک بیتی کم توان مبتنی بر ترانزیستور عبور مهدی سیاف عبدالرسول قاسمی روزبه حمزه ئیان 10.30495/jce.2022.692834 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 3 - نوسان‌ساز حلقوی تفاضلی کنترل‌شده با ولتاژ توان پایین مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی صبا ناصری اکبر 10.30495/jce.2023.1996352.1223 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 4 - ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی با پاسخ فرکانسی بالا حمید باشی سیدهادی موسوی ابوالفضل امیری حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 5 - شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT عبدالرسول مقاتلی حسین مومن زاده محمد نادر کاکایی حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 6 - Simulation and fabrication of 3.5W 8.8-9.2 GHz power amplifier mehdi Forouzanfar حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 7 - Design and simulation of an Improved NEMFET with Low Leakage Current and Sub-threshold Swing Nastaran Jafari Farshad Babazadeh Zahra Ahangari حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 8 - شبیه‌سازی و بهینه‌سازی ترانزیستور تونلی دو گیتی- دو ماده‌ای رضا طالب زاده جواد حسنوند علی میر 10.30486/teeges.2022.1966315.1032 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 9 - طراحی و شبیه سازی سلول حافظه دسترسی تصادفی ایستا با توان مصرفی پایین مبتنی بر ترانزیستور فین‌فت فاطمه ذوالفقاری سیچانی محمد روح اله یزدانی عاطفه سلیمی مریم منعمیان 10.30486/TEEGES.2024.904827 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 10 - A W-band Simultaneously Matched Power and Noise Low Noise Amplifier Using CMOS 0.13µm Mahmoud Mohammad-Taheri حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 11 - The Analysis of Coulomb Blockade in Fullerene Single Electron Transistor at Room Temperature Vahideh KhademHosseini Mohammad Taghi Ahmadi Saeid Afrang Razali Ismail 10.22034/jna.2017.02.004 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 12 - Performance Investigation of Pentacene Based Organic Double Gate Field Effect Transistor and its Application as an Ultrasensitive Biosensor Mohammad Reza Jouharchi Zahra Ahangari Farshad Babazadeh 10.22034/jna.2020.1884903.1177 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 13 - Performance Optimization and Sensitivity Analysis of Junctionless FinFET with Asymmetric Doping Profile Zahra Ahangari Ehsan Asadi Seied Ali Hosseini 10.22034/jna.2020.1898545.1208 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 14 - Performance Investigation of Pentacene Based Organic Double Gate Field Effect Transistor and its Application as an Ultrasensitive Biosensor Mohammad Reza Jouharchi zahra ahangari Farshad Babazadeh 10.22034/jna.2020.677394 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 15 - Performance Optimization and Sensitivity Analysis of Junctionless FinFET with Asymmetric Doping Profile Zahra Ahangari Ehsan Asadi Seied Ali Hosseini 10.22034/jna.2022.680840 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 16 - Effects of Line Defect on Electronic Transport of Double Gate Armchair Graphene Nanoribbon Field Effect Transistors: a Simulation Study Mohammad Bagher Nasrollahnejad Parviz Keshavarzi‎ حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 17 - A Review of Single Electron Transistors Yaghoob Mohammadmoradi Nader Javadifar Atila Skandarnezhad حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 18 - یک سلول XOR جدید دو ورودی مبتنی بر CNTFET با توان نشتی فوق العاده پایین برای تمام جمع کننده های ولتاژ پایین و توان پایین امیر باغی رهین وحید باغی رهین حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 19 - طراحی و شبیه‌سازی یک تقویت‌کننده ترارسانای عملیاتی راه‌اندازی شده از طریق بدنه مبتنی بر فناوری ترانزیستور اثر میدان نانولوله‌کربنی سید محمد علی زنجانی مصطفی پرویزی حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 20 - طراحی حسگر دمای کم توان مبتنی بر عملکرد زیرآستانه ترانزیستورهای نانولوله کربنی با خطای یک و نیم درجه سانتی‌گراد درمحدوده 30- تا 125 درجه سانتی‌گراد سید محمد علی زنجانی معصومه عالی پور مصطفی پرویزی حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 21 - یک تقویت‌کننده ترارسانایی عملیاتی مبتنی بر وارونگرهای موس با ولتاژ آستانه دینامیکی و موس گیت شناور با ولتاژ تغذیه 5/0 ولت در فناوری 180 نانومتر فناوری نیمه‌هادی-اکسید-فلز مکمل امیر باغی رهین وحید باغی رهین حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 22 - یک فشرده ساز 4:2 مافوق ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET امیر باغی رهین وحید باغی رهین حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 23 - طراحی و شبیه‌سازی یک تمام جمع‌کننده جدید در تکنولوژی نانو لوله‌ی کربنی با عملکرد بهینه عباس اسدی آقبلاغی مهران عمادی حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 24 - Design and Implementation of MOSFET Circuits and CNTFET, Ternary Multiplier in the Field of Galois Malakeh Karimghasemi-rabori Peiman Keshavarzian حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 25 - A Low Power Full Adder Cell based on Carbon Nanotube FET for Arithmetic Units Mokhtar Mohammadi Ghanatghestani Mehdi Bagherizadeh حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 26 - A Low-Power and Low-Energy 1-Bit Full Adder Cell Using 32nm CNFET Technology Node Meysam Mohammadi Yavar Safaei Mehrabani حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 27 - Performance Analysis of InAs/AlGaSb Heterojunction Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor for Low-Power High-Speed Digital Computing Zahra Ahangari 10.30495/ijsee.2023.1988303.1268 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 28 - Performance Optimization of an Electrostatically Doped Staggered Type Heterojunction Tunnel Field Effect Transistor with High Switching Speed and Improved Tunneling Rate Mahdi Mohammadkhani Ghiasvand Zahra Ahangari Hamed Nematian 10.30495/jopn.2022.29617.1249 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 29 - Quantum modeling of light absorption in graphene based photo-transistors Hamid Faezinia Mahdi zavvari حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 30 - Self-heating effect modeling of a carbon nanotube-based fieldeffect transistor (CNTFET) Kazem Pourchitsaz Mohammad Reza Shayesteh حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 31 - Switching Performance of Nanotube Core-Shell Heterojunction Electrically Doped Junctionless Tunnel Field Effect Transistor Zahra Ahangari حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 32 - Analysis of Kirk Effect in Nanoscale Quantum Well Heterojunction Bipolar Transistor Laser ashkan horri Seyedeh Zahra Mirmoeini حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 33 - Controlling Ambipolar Current in a Junctionless Tunneling FET Emphasizing on Depletion Region Extension Morteza Rahimian 10.30495/jopn.2023.31255.1274 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 34 - بررسی امکان‌سنجی استفاده از نانولوله‌های P2SiS، As2GeSe و As2GeTe در نسل جدید ترانزیستورها پروین بهزادی
