• الصفحة الرئيسية
  • Performance Analysis of InAs/AlGaSb Heterojunction Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor for Low-Power High-Speed Digital Computing

شارک

عنوان URL للمقالة


رقم المقالة : IJSEE-2306-1268 زيارة : 194 الصفحة: 315 - 320

10.30495/ijsee.2023.1988303.1268

نوع المخطوط: ابحاث