ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی با پاسخ فرکانسی بالا

الموضوعات :

حمید باشی ¹ , سیدهادی موسوی ² , ابوالفضل امیری ³

1 - دانشگاه آزاد اسلامی، دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد بوشهر
2 - دانشگاه آزاد اسلامی، دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد بوشهر
3 - دانشگاه آزاد اسلامی، دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد بوشهر

تاريخ الإرسال : 15 الثلاثاء , رمضان, 1442 تاريخ التأكيد : 15 الثلاثاء , رمضان, 1442 تاريخ الإصدار : 16 الأحد , شعبان, 1440

الکلمات المفتاحية: ترانزیستور نانولوله کربنی اثر میدانی, تکنولوژی سیلیکون, ضرب کننده چهار ربعی آنالوگ, Field effect carbon nanotube transistor, silicon technology, analog quadruple multiplier,

ملخص المقالة :

ترانزیستور نانولوله کربنی اثر میدانی ( CNFET ) یک فن آوری امیدوار کننده و جدید است که به محدودیتهای سنتی تکنولوژی سیلیکون مدار مجتمعغلبه می کند. در سال های اخیر، از پتانسیل CNFET برای کاربرد در مدار آنالوگ استفاده شده است. در این مقاله یک ضرب کننده چهار ربعی آنالوگبا استفاده از CNFETs. طراحی شده است. شبیه سازی را بر اساس تکنولوژی CNFET 32nm نشان می دهد کهضرب کنندهدارای اعوجاج هارمونیک بسیار کم ( کمتر از 0.45٪ ) ، محدوده ورودی بزرگ (mv400± ) ، پهنای باند بزرگ(~GHz 50 ) وتوان مصرفی پایین (~μW 247 )، در حالی که در ولتاژ تغذیه0.9±ولت است.