• درباره سند
  • خدمات سند
    • نویسندگان
    • برای نویسندگان
    • سردبیر
    • برای سردبیران
    • داور
    • برای داوران
  • نشریات سند
  • درخواست سامانه
  • تماس با ما
  • صفحه اصلی
  • درباره سند
  • تماس با ما
  • ثبت نام
  • ورود
  • درخواست سامانه
پیشرفته
  • صفحه اصلی
  • field effect transistor
    • فهرست مقالات field effect transistor

      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        1 - First principle study of the effect of defects on performance of single-molecule pentacene field effect transistors
        Bahniman Ghosh Akash Gramin
        10.1007/s40094-015-0182-8
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        2 - نوسان‌ساز حلقوی تفاضلی کنترل‌شده با ولتاژ توان پایین مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی
        صبا ناصری اکبر
        10.30495/jce.2023.1996352.1223
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        3 - Design and simulation of an Improved NEMFET with Low Leakage Current and Sub-threshold Swing
        Nastaran Jafari Farshad Babazadeh Zahra Ahangari
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        4 - Performance Investigation of Pentacene Based Organic Double Gate Field Effect Transistor and its Application as an Ultrasensitive Biosensor
        Mohammad Reza Jouharchi Zahra Ahangari Farshad Babazadeh
        10.22034/jna.2020.1884903.1177
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        5 - Performance Optimization and Sensitivity Analysis of Junctionless FinFET with Asymmetric Doping Profile
        Zahra Ahangari Ehsan Asadi Seied Ali Hosseini
        10.22034/jna.2020.1898545.1208
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        6 - یک سلول XOR جدید دو ورودی مبتنی بر CNTFET با توان نشتی فوق العاده پایین برای تمام جمع کننده های ولتاژ پایین و توان پایین
        امیر باغی رهین وحید باغی رهین
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        7 - طراحی و شبیه‌سازی یک تقویت‌کننده ترارسانای عملیاتی راه‌اندازی شده از طریق بدنه مبتنی بر فناوری ترانزیستور اثر میدان نانولوله‌کربنی
        سید محمد علی زنجانی مصطفی پرویزی
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        8 - طراحی حسگر دمای کم توان مبتنی بر عملکرد زیرآستانه ترانزیستورهای نانولوله کربنی با خطای یک و نیم درجه سانتی‌گراد درمحدوده 30- تا 125 درجه سانتی‌گراد
        سید محمد علی زنجانی معصومه عالی پور مصطفی پرویزی
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        9 - طراحی و شبیه‌سازی یک تمام جمع‌کننده جدید در تکنولوژی نانو لوله‌ی کربنی با عملکرد بهینه
        عباس اسدی آقبلاغی مهران عمادی
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        10 - Design and Implementation of MOSFET Circuits and CNTFET, Ternary Multiplier in the Field of Galois
        Malakeh Karimghasemi-rabori Peiman Keshavarzian
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        11 - A Low Power Full Adder Cell based on Carbon Nanotube FET for Arithmetic Units
        Mokhtar Mohammadi Ghanatghestani Mehdi Bagherizadeh
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        12 - Performance Analysis of InAs/AlGaSb Heterojunction Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor for Low-Power High-Speed Digital Computing
        Zahra Ahangari
        10.30495/ijsee.2023.1988303.1268
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        13 - Performance Optimization of an Electrostatically Doped Staggered Type Heterojunction Tunnel Field Effect Transistor with High Switching Speed and Improved Tunneling Rate
        Mahdi Mohammadkhani Ghiasvand Zahra Ahangari Hamed Nematian
        10.30495/jopn.2022.29617.1249
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        14 - Self-heating effect modeling of a carbon nanotube-based fieldeffect transistor (CNTFET)
        Kazem Pourchitsaz Mohammad Reza Shayesteh
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        15 - Switching Performance of Nanotube Core-Shell Heterojunction Electrically Doped Junctionless Tunnel Field Effect Transistor
        Zahra Ahangari
      • دسترسی آزاد مقاله
        • صفحه چکیده
        • متن کامل

        16 - Controlling Ambipolar Current in a Junctionless Tunneling FET Emphasizing on Depletion Region Extension
        Morteza Rahimian
        10.30495/jopn.2023.31255.1274

سکوی نشر دانش


سند یا سکوی نشر دانش ،سامانه ای جهت مدیریت حوزه علمی و پژوهشی نشریات دانشگاه آزاد می باشد

پیوندهای سایت


  • دانشگاه آزاد اسلامی
  • فهرست نشریات معتبر وزارت عتف
  • فهرست نشریات وزارت بهداشت، درمان و آموزش پزشکی

مراکز مرتبط


  • پایگاه دفتر مقام معظم رهبری
  • نهاد ریاست جمهوری
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری
  • وزارت بهداشت،درمان و آموزش پزشکی
  • مرکز ارتباطات مردمی(سامد)

پشتیبانی


  • تلفن : 02122222222
  • ایمیل : journals@iau.ac.ir

صفحات رسمی



  • صفحه اصلی
  • نقشه سایت
  • دانشگاه آزاد اسلامی
  • تماس با ما
  • صفحه اصلی
  • نقشه سایت
  • دانشگاه آزاد اسلامی
  • تماس با ما

حقوق این وب‌سایت متعلق به سامانه مدیریت نشریات دانشگاه آزاد اسلامی است.
حق نشر © 1404-1400

صفحه اصلی| عضویت/ ورود| درباره سند| تماس با ما|
[English] [العربية] [en] [ar]
  • IAU
  • عضویت/ ورود