فهرس المقالات field effect transistor حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 1 - First principle study of the effect of defects on performance of single-molecule pentacene field effect transistors Bahniman Ghosh Akash Gramin 10.1007/s40094-015-0182-8 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 2 - نوسان‌ساز حلقوی تفاضلی کنترل‌شده با ولتاژ توان پایین مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی صبا ناصری اکبر 10.30495/jce.2023.1996352.1223 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 3 - Design and simulation of an Improved NEMFET with Low Leakage Current and Sub-threshold Swing Nastaran Jafari Farshad Babazadeh Zahra Ahangari حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 4 - Performance Investigation of Pentacene Based Organic Double Gate Field Effect Transistor and its Application as an Ultrasensitive Biosensor Mohammad Reza Jouharchi Zahra Ahangari Farshad Babazadeh 10.22034/jna.2020.1884903.1177 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 5 - Performance Optimization and Sensitivity Analysis of Junctionless FinFET with Asymmetric Doping Profile Zahra Ahangari Ehsan Asadi Seied Ali Hosseini 10.22034/jna.2020.1898545.1208 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 6 - یک سلول XOR جدید دو ورودی مبتنی بر CNTFET با توان نشتی فوق العاده پایین برای تمام جمع کننده های ولتاژ پایین و توان پایین امیر باغی رهین وحید باغی رهین حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 7 - طراحی و شبیه‌سازی یک تقویت‌کننده ترارسانای عملیاتی راه‌اندازی شده از طریق بدنه مبتنی بر فناوری ترانزیستور اثر میدان نانولوله‌کربنی سید محمد علی زنجانی مصطفی پرویزی حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 8 - طراحی حسگر دمای کم توان مبتنی بر عملکرد زیرآستانه ترانزیستورهای نانولوله کربنی با خطای یک و نیم درجه سانتی‌گراد درمحدوده 30- تا 125 درجه سانتی‌گراد سید محمد علی زنجانی معصومه عالی پور مصطفی پرویزی حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 9 - طراحی و شبیه‌سازی یک تمام جمع‌کننده جدید در تکنولوژی نانو لوله‌ی کربنی با عملکرد بهینه عباس اسدی آقبلاغی مهران عمادی حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 10 - Design and Implementation of MOSFET Circuits and CNTFET, Ternary Multiplier in the Field of Galois Malakeh Karimghasemi-rabori Peiman Keshavarzian حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 11 - A Low Power Full Adder Cell based on Carbon Nanotube FET for Arithmetic Units Mokhtar Mohammadi Ghanatghestani Mehdi Bagherizadeh حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 12 - Performance Analysis of InAs/AlGaSb Heterojunction Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor for Low-Power High-Speed Digital Computing Zahra Ahangari 10.30495/ijsee.2023.1988303.1268 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 13 - Performance Optimization of an Electrostatically Doped Staggered Type Heterojunction Tunnel Field Effect Transistor with High Switching Speed and Improved Tunneling Rate Mahdi Mohammadkhani Ghiasvand Zahra Ahangari Hamed Nematian 10.30495/jopn.2022.29617.1249 حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 14 - Self-heating effect modeling of a carbon nanotube-based fieldeffect transistor (CNTFET) Kazem Pourchitsaz Mohammad Reza Shayesteh حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 15 - Switching Performance of Nanotube Core-Shell Heterojunction Electrically Doped Junctionless Tunnel Field Effect Transistor Zahra Ahangari حرية الوصول المقاله صفحة الملخص نص كامل 16 - Controlling Ambipolar Current in a Junctionless Tunneling FET Emphasizing on Depletion Region Extension Morteza Rahimian 10.30495/jopn.2023.31255.1274
