فهرست مقالات Tunneling

• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  1 - Investigating the effect of geometrical asymmetry on conductance and TMR ratio in the ZnO rock salt-based MTJ: a DFT study
  Masoud Ansarino
  10.1007/s40094-020-00380-7
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  2 - ارائه مدل توسعه‌یافته بنیش با به‌کارگیری پدیده تونلینگ بر مبنای تکنیک شبکه‌های عصبی مصنوعی و الگوریتم بهینه‌سازی حرکت تجمعی ذرات در شناسایی شرکت‌های دستکاری کننده سود
  فرهاد آزادی مهرداد قنبری بابک جمشیدی نوید جواد مسعودی
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  3 - Investigation of the Structural and Electrical Properties of Star Shape Manganese Thin Films with 3-fold and 4-fold Symmetries
  Fatemeh Abdi
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  4 - بررسی تئوری توتومریزاسیون 3-Amino-1H-1,2,4-Triazol-5(4H)-One با استفاده از محاسبات کوانتومی به روش DFT
  بهزاد چهکندی
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  5 - بررسی توتومریزاسیون (C-O) یکی از مشتقات فلوسیتوزین با استفاده از روش DFT
  بهزاد چهکندی
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  6 - Design and Realization of a Junction-less TFET for Analog and Digital Applications Based on Strain Engineering
  Fayzollah Khorramrouze Seyed Ali Sedigh Ziabari Ali Heydari
  10.30486/mjtd.2022.695917
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  7 - تخمین ضریب بهره وری ماشین حفر تونل(TBM) با استفاده از شبکه عصبی مصنوعی
  حمیدرضا نجاتی مرتضی احمدی
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  8 - An innovative method for estimating optimal Gate work function and dielectric constant of a nanoscale DG-TFET based on analytical modeling of tunneling length in ambipolar, Off and ON states
  Ali Heydari Seyed Ali Sedigh Ziabari Fayzollah Khorramrouz
  10.22034/jna.2020.1881749.1166
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  9 - A Feasibility Study of Vertical Dual Channel Extended Source Schottky Barrier MOSFET as a Highly Sensitive Biosensor
  Mahshid Farahzadi Zahra Ahangari
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  10 - An innovative method for estimating optimal Gate work function and dielectric constant of a nanoscale DG-TFET based on analytical modeling of tunneling length in ambipolar Off and ON states
  Fayzollah Khorramrouz Seyed Ali Sedigh Ziabari Ali Heydari
  10.22034/jna.2021.685452
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  11 - An innovative method for estimating optimal Gate work function and dielectric constant of a nanoscale DG-TFET based on analytical modeling of tunneling length in ambipolar, Off and ON states
  Fayzollah Khorramrouz Seyed Ali Sedigh Ziabari Ali Heydari
  10.22034/jna.2020.680049
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  12 - A Review of Single Electron Transistors
  Yaghoob Mohammadmoradi Nader Javadifar Atila Skandarnezhad
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  13 - Performance Analysis of InAs/AlGaSb Heterojunction Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor for Low-Power High-Speed Digital Computing
  Zahra Ahangari
  10.30495/ijsee.2023.1988303.1268
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  14 - بررسی تاثیر انگیزه تونل زنی، دارایی های نامشهود و سودآوری بر قیمت گذاری انتقالی
  علی خشنود عباسعلی حق پرست رضا ستوده حبیب پیری
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  15 - بررسی اثر دمای عملیات حرارتی بر ساختار و رفتار خوردگی آلیاژ نانوشبه بلور Al72Ni13Cr15 تولید شده به روش آلیاژسازی مکانیکی
  میثم امینی رسول امینی محمد مهدی سروگلوی حقیقی فرد مرتضی علیزاده محمد علی زارع زهرا نعمتی
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  16 - Performance Optimization of an Electrostatically Doped Staggered Type Heterojunction Tunnel Field Effect Transistor with High Switching Speed and Improved Tunneling Rate
  Mahdi Mohammadkhani Ghiasvand Zahra Ahangari Hamed Nematian
  10.30495/jopn.2022.29617.1249
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  17 - Analysis and Simulation of The Schottky Junction Using an Ensemble Monte Carlo Model
  Fatemeh Haddadan Mohammad Soroosh Ramakrishnan Rajasekar
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  18 - Effects of the Channel Length on the Nanoscale Field Effect Diode Performance
  arash rezaei Bahram Azizollah-Ganji Morteza Gholipour
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  19 - Switching Performance of Nanotube Core-Shell Heterojunction Electrically Doped Junctionless Tunnel Field Effect Transistor
  Zahra Ahangari
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  20 - Controlling Ambipolar Current in a Junctionless Tunneling FET Emphasizing on Depletion Region Extension
  Morteza Rahimian
  10.30495/jopn.2023.31255.1274
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  21 - Voltage Difference Technique in Junctionless Tunneling FET for Suppression of Ambipolar Conduction
  Morteza Rahimian
  10.30495/jopn.2023.32088.1294