• صفحه اصلی
  • An innovative method for estimating optimal Gate work function and dielectric constant of a nanoscale DG-TFET based on analytical modeling of tunneling length in ambipolar, Off and ON states

اشتراک گذاری

آدرس مقاله


کد مقاله : 680049 بازدید : 376 صفحه: 190 - 199

10.22034/jna.2020.680049

نوع مقاله: پژوهشی