سیلیکون

دسترسی آزاد مقاله

1 - ارتباط نوری با تراشه های فوتونیک سیلیکونی پسیو
محمد امیر قاسمی شبانکاره سارا رحیمی جوانمردی

گزارش ها در مورد ارتباط نزدیک نوری با کیفیت عالی 10 gb/s با استفاده از آینه های بازتابی و ایزولاتور از جنس سیلیکون با تلفات کم برای ارتباط بین تراشه ای می باشد. ساخت این قطعه با روشی برای کاشت یک موجبر میلهای با پهنای8µm با یک آینه یسیار انجام گرفته است که این آی چکیده کامل

گزارش ها در مورد ارتباط نزدیک نوری با کیفیت عالی 10 gb/s با استفاده از آینه های بازتابی و ایزولاتور از جنس سیلیکون با تلفات کم برای ارتباط بین تراشه ای می باشد. ساخت این قطعه با روشی برای کاشت یک موجبر میلهای با پهنای8µm با یک آینه یسیار انجام گرفته است که این آینه با سطح مورد نظر زاویه 54 درجه می سازد.نور در موجبر تراشه ی پایینی می تواند با موجبر در تراشه بالایی جفت شود که این روش با روبروی یکدیگر قرار دادن این تراشه ها انجام می گیردکه در این حالت آینه های بازتابی یک جفت کامل و یک مجاورت و نزدیکی نوری را به وجود می آورند. اندازه های ارتباطی بسیار سریع با تراشه هایی که در امتداد یک قطعه در ابعاد نانومتر قرار گرفت اند محقق شده و نتایج آن با یک روش که در آن تراشه های سیلیکونی به صورت یک بسته درآمده اند مقایسه شده است. روش جدید ما در ساخت هسته هایی از جنس تراشه ها بر اساس ترکیب کاشت هرمی روی سیلیکون می باشد که در آن از یک کره ی بسیار کوچک برای تنظیم دقیق تراشه استفاده می شود. یکپارجه کردن تراشه ها می تواند باعث تنظیم خود به خود بسته ها با استفاده از محل قرار گرفتن تراشه ها باشد که در ابتدا کمی ضخیم هستند. تنظیم نهایی تراشه ها در روش جدید ما با رزولوشن لیتوگرافی نوری محدود می شود.علاوه بر این آرایه های چند تراشه ای می توانند با یکدیگر در یک امتداد قرار بگیرند که دقت مشابهی با حالت قبلی خواهند داشت. داده های غیر قابل بازگشت به صفر(Nonreturn – to-zero data) به موجبرها ارسال شدند و در طول یک بسته که شامل 3 ترا شه ی به هم متصل شده و دو قطعه نوری می باشد منتقل شدند . این کار برای ارتباطات بین تراشه ای انجام گرفت. مقادیری چون تلفات پیوسته ی نوری ،دیاگرام های چشمی ،نرخ خطایبیت و خطای توان اندازه گیری شدند یک کانال نوری که بین دو تراشه به صورت پسیو تنظیم شده استبرای داشتن تلفاتِ 4dB اندازه گیری شده استکه مقدار آن1dBاز حالتی که از تراشه هایی با موقعیت مکانی در ابعاد نانو بهره می برند بیشتر است. اختلال یا اعوجاج RMS و مقادیر کمی دامنه برای کیفیت چشمی تقریباً با حالتی که کانال های OP×C با کانال های10 Gb/sمتصل می شود،برابر است. این مکانیزم برای تنظیم خود به خود تراشه ها این امکان را برای تراشه ها فراهم می کندکه از ارتباطات نزدیک در چند کلاس مختلف بهره ببرند.. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

2 - شبکه تراشه ای نانو فوتونیک
محمد امیر قاسمی شبانکاره سارا رحیمی جوانمردی

ارتباط تراشه ای ، شامل همبستگی کوتاه ، چند غالبی ، همبستگی تأخیر بحرانی، پیام های هم زمان سازی ، انتقال داده به صورت بلند، تک قالبی با قابلیت عبور دهی حساس؛ راندمان توان و عملکرد سیستم های چند پردازنده با تعداد هسته ی زیاد را محدود می کند. این مقاله به یک شبکه ی تراشه چکیده کامل

ارتباط تراشه ای ، شامل همبستگی کوتاه ، چند غالبی ، همبستگی تأخیر بحرانی، پیام های هم زمان سازی ، انتقال داده به صورت بلند، تک قالبی با قابلیت عبور دهی حساس؛ راندمان توان و عملکرد سیستم های چند پردازنده با تعداد هسته ی زیاد را محدود می کند. این مقاله به یک شبکه ی تراشه ای نانو فتونیک با مصرف توان پایین و عملکرد بالا که با CMOS سازگار است می پردازد؛ این مقوله Iris نامیده می شود. زیر شبکه ی Iris که بر اساس موجبر خطی بوده و از لحاظ قابلیت عبور دهی بهینه شده و از لحاظ مداری متصل شده است ،انتقال داده با قابلیت عبور دهی حساس را پشتیبانی می کند. هم چنین زیر شبکه ی Iris که بر اساس موجبر سطحی (دو وجهی)و نیز WDmکار می کند و دارای چندین غالب پهن و عریض می باشد،ترافیک تأخیر بحرانی را بهبود بخشیده و ارتباطات مداری را پشتیبانی می کند. روی هم رفته ،طرح پیشنهادی یک ارتباط تراشه ای با راندمان توان بالا ، تأخیر کم و قابلیت عبور دهی عالی را ارائه می کند. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

3 - ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی با پاسخ فرکانسی بالا
حمید باشی سیدهادی موسوی ابوالفضل امیری

ترانزیستور نانولوله کربنی اثر میدانی ( CNFET ) یک فن آوری امیدوار کننده و جدید است که به محدودیتهای سنتی تکنولوژی سیلیکون مدار مجتمعغلبه می کند. در سال های اخیر، از پتانسیل CNFET برای کاربرد در مدار آنالوگ استفاده شده است. در این مقاله یک ضرب کننده چهار ربعی آنالوگبا اس چکیده کامل

ترانزیستور نانولوله کربنی اثر میدانی ( CNFET ) یک فن آوری امیدوار کننده و جدید است که به محدودیتهای سنتی تکنولوژی سیلیکون مدار مجتمعغلبه می کند. در سال های اخیر، از پتانسیل CNFET برای کاربرد در مدار آنالوگ استفاده شده است. در این مقاله یک ضرب کننده چهار ربعی آنالوگبا استفاده از CNFETs. طراحی شده است. شبیه سازی را بر اساس تکنولوژی CNFET 32nm نشان می دهد کهضرب کنندهدارای اعوجاج هارمونیک بسیار کم ( کمتر از 0.45٪ ) ، محدوده ورودی بزرگ (mv400± ) ، پهنای باند بزرگ(~GHz 50 ) وتوان مصرفی پایین (~μW 247 )، در حالی که در ولتاژ تغذیه0.9±ولت است. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

4 - طراحی و ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون و بررسی نقش نانولایه گرافین در پاسخ‌دهی نوری آن
مینا امیرمزلقانی فرشید رئیسی فرشته قهرمانی مهدی خواجه

در این پژوهش پاسخ‌دهی نوری نانولایه گرافین، به کمک ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون مورد بررسی قرار گرفته است. جهت ایجاد پیوند شاتکی، نانولایه‌ای از گرافین بر روی زیرلایه‌ای از سیلیکون قرار گرفته است. زیرلایه سیلیکونی تا ضخامت 270 نانومتر اکسید شده است و پس از لایه‌ن چکیده کامل

در این پژوهش پاسخ‌دهی نوری نانولایه گرافین، به کمک ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون مورد بررسی قرار گرفته است. جهت ایجاد پیوند شاتکی، نانولایه‌ای از گرافین بر روی زیرلایه‌ای از سیلیکون قرار گرفته است. زیرلایه سیلیکونی تا ضخامت 270 نانومتر اکسید شده است و پس از لایه‌نشانی‌های کروم- طلا (ضخامت لایه‌های کروم- طلا به ترتیب 50 و150 نانومتر است)، با استفاده از ماسک مخصوصی الگو شده است. منحنی مشخصه‌های (جریان- ولتاژ) دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون تحت تابش‌هایی با طول موج‌های 670، 700 و 1100 نانومتر و نیز تحت تابش نور زرد مورد تحلیل و بررسی قرار گرفته‌اند. به منظور مشخص شدن نقش نانولایه گرافین در ایجاد جریان نوری، امواج 700 و 1100 نانومتری به پشت قطعه ساخته شده نیز تابانده شده‌اند و جریان‌های نوری تولید شده از پشت و جلوی قطعه با هم مقایسه شده‌اند. نتایج آزمایشات نشان می‌دهد که جریان نوری تولید شده تحت تابش‌های 700 و 1100 نانومتری و از جلوی قطعه، به ترتیب 23 برابر و 17 برابر نسبت به پشت قطعه افزایش یافته است. این افزایش می‌تواند تاثیر نانولایه گرافین را در امر آشکارسازی مشخص کند و همچنین مشخص کننده مقدار زیاد جریان نوری تولید شده در گرافین در حالت تابش از جلو است. منحنی مشخصه‌های قطعه تحت تابش‌های 670 نانومتر و نور زرد، علاوه بر نشان دادن جریان نوری تولید شده، نشان دهنده ولتاژ نوری تولید شده در قطعه نیز است و کاربرد آن به عنوان سلول خورشیدی را آشکار می‌کنند. در این پژوهش، همچنین به تحلیل فیزیکی خواص نوری نانولایه گرافین پرداخته شده است و تئوری‌هایی که تولید جریان نوری در گرافین را بیان می‌کنند، مورد بررسی قرار گرفته‌اند. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

5 - بهبود خواص مکانیکی و ریزساختار نانوکامپوزیت آلومینا/سیلیکون کاربید به روش فرآیند سینتر چند مرحله‌ای
محمدرضا خادم‌الحسینی سیدسعید میرزایی داود قهرمانی

در پژوهش حاضر، تاثیر افزودن فاز تقویت کننده سیلیکون کاربید و همچنین شرایط متفاوت گرمادهی در هنگام فرآیند سینتر کردن بر استحکام مکانیکی و سختی کامپوزیت آلومینا- سیلیکون کاربید بررسی شده است. نتایج بدست آمده بیانگر این مطلب است که افزودن سیلیکون کاربید برخلاف کاهش روند تر چکیده کامل

در پژوهش حاضر، تاثیر افزودن فاز تقویت کننده سیلیکون کاربید و همچنین شرایط متفاوت گرمادهی در هنگام فرآیند سینتر کردن بر استحکام مکانیکی و سختی کامپوزیت آلومینا- سیلیکون کاربید بررسی شده است. نتایج بدست آمده بیانگر این مطلب است که افزودن سیلیکون کاربید برخلاف کاهش روند تراکم و چگالی، منجر به افزایش سختی و استحکام کامپوزیت حاصله در مقایسه با زمینه می‌شود. همچنین سینتر کردن کامپوزیت در طی مراحل متعدد تا رسیدن به دمای نهایی یکسان، منجر به افزایش چگالی قطعات می‌شود و در نتیجه آن سختی و استحکام مکانیکی کامپوزیت نیز افزایش می‌یابد. روند بهبود خواص مکانیکی دارای بهینه درصد فاز تقویت کننده می‌باشد. از همین‌رو این افزایش تا 5 و 10 درصد وزنی سیلیکون کاربید به ترتیب بهینه حالت برای سختی و استحکام خمشی کامپوزیت می‌باشد و از آن به بعد روند بهبود این خواص نزولی می‌شود. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

6 - مشخصه‌یابی و تعیین کارایی فوتوکاتالیستی نانوالیاف SiO2 ساخته شده به روش الکتروریسی
رقیه سلطانی ناصری حبیب حمیدی‌نژاد

در این کار، نانوالیاف دی‌اکسید سیلیکون به روش الکتروریسی ساخته شد. سپس نانوالیاف تولید شده در یک کوره‌ الکتریکی در سه دمای 300، 500 و C° 700 و هر کدام به مدت h 2 در معرض عملیات حرارتی قرار گرفتند. به منظور تعیین مشخصات ساختاری نانوالیاف دی‌اکسید سیلیکون، از تکنیک‌ها چکیده کامل

در این کار، نانوالیاف دی‌اکسید سیلیکون به روش الکتروریسی ساخته شد. سپس نانوالیاف تولید شده در یک کوره‌ الکتریکی در سه دمای 300، 500 و C° 700 و هر کدام به مدت h 2 در معرض عملیات حرارتی قرار گرفتند. به منظور تعیین مشخصات ساختاری نانوالیاف دی‌اکسید سیلیکون، از تکنیک‌های XRD، FESEM و EDX استفاده شد و همچنین پراکندگی عناصر آن با آنالیز X-MAP مشاهده شد. برای بررسی اثر فتوکاتالیستی، تجزیه رنگ‌های متیلن آبی و متیل نارنجی با استفاده از نانوالیاف دی‌اکسید سیلیکون به عنوان یک نانوفتوکاتالیست و با بکارگیری اشعه فرابنفش، بررسی شد. تصاویر FESEM، ساختار نانوالیاف SiO2 را با قطری در محدوده nm 400-500 نشان داد. نتایج XRD مربوط به نمونه‌های نانوالیاف اکسید سیلیکون کلسینه نشده، قله‌های گسترده‌ای در محدوده‌ی °25-15 = 2θ را با ساختاری آمورف نشان می‌دهد، نتایج نشان داد که بیشترین سرعت واکنش برابر min-1 4- 10×163 و کمترین سرعت واکنش برابر min-1 4- 10×61 و مربوط به رنگ متیل است. نانوالیاف SiO2 کلسینه ‌شده در دمای C° 700، خاصیت فتوکاتالیستی بهتری از نانوالیاف SiO2 کلسینه شده در دمای 500 و C° 300 به ترتیب برای تجزیه رنگ متیلن آبی و متیل نارنجی دارد. بر این اساس نانوالیاف اکسید سیلیکون به عنوان یک ماده جاذب ارزان و با امکان آماده‌سازی آسان در شرایط مختلف می‌تواند در تصفیه آب و فاضلاب مورد استفاده قرار گیرد. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

7 - بررسی کمی تاثیر نانوتخلخل‌های سطحی سیلیکون و دما بر چگالی جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز در سلول‌های خورشیدی
نسرین صالحی مجتبی واحدی محمد مهدی حسینی

در این مقاله به بررسی رفتار دمایی چگالی جریان اتصال کوتاه (Jsc) و ولتاژ مدار باز (Voc) (در بازه دمایی °C 25-120) در دو نمونه سلول خورشیدی یکی با لایه دارای نانوتخلخل‌های سطحی سیلیکون و دیگری بدون تخلخل پرداخته شد. نتیجه محاسبات حاکی از آن است که تغییرات دمایی گاف نو چکیده کامل

در این مقاله به بررسی رفتار دمایی چگالی جریان اتصال کوتاه (Jsc) و ولتاژ مدار باز (Voc) (در بازه دمایی °C 25-120) در دو نمونه سلول خورشیدی یکی با لایه دارای نانوتخلخل‌های سطحی سیلیکون و دیگری بدون تخلخل پرداخته شد. نتیجه محاسبات حاکی از آن است که تغییرات دمایی گاف نواری عامل اصلی در توجیه رفتار کاهشی ولتاژ مدار باز (در حدود mV/°C 5/2) و رفتار افزایشی جریان اتصال کوتاه (در حدود mV/°C 02/0) در این نمونه‌ها به ترتیب ناشی از افزایش جریان اشباع معکوس دیودی، Js(T) و گسترش جذب طیف خورشید در ناحیه فروسرخ می‌باشد. همچنین بزرگتر بودن جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز و افزایش بازده در قطعه متخلخل در مقایسه با نمونه بدون تخلخل ناشی از افت بازتابندگی سطحی در نمونه دارای نانوتخلخل‌های سطحی می‌باشد. محاسبات نظری ما نشانگر افزایش مقاومت متوالی و کاهش ضریب پرکنندگی قطعه متخلخل نسبت به نمونه عادی است که می‌تواند ناشی از ساختار هندسی اتصال اهمی و حضور ستون‌های سیلیکونی در سطح قطعه، در نقش مانع برای حرکت افقی حامل‌های نوری باشد. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

8 - اثر مقدار و اندازه دانه فاز ثانویه بر ریزساختار نانوکامپوزیت مولایت/سیلیکون کاربید تهیه شده به روش سینتر دو مرحله‌ای
سید سعید میرزایی اسماعیل صلاحی تورج عبادزاده

کامپوزیت مولایت- سیلیکون کاربید با استفاده از فرآیند سینتر دو مرحله‌ای برای دستیابی به چگالی بالا و رشد دانه پایین تهیه شده است. بدین منظور از سیلیکون کاربید نانومتری و میکرومتری با 5 و 10 درصد وزنی جهت بررسی تاثیر درصد و اندازه دانه فاز تقویت‌ کننده بر ریزساختار کامپوز چکیده کامل

کامپوزیت مولایت- سیلیکون کاربید با استفاده از فرآیند سینتر دو مرحله‌ای برای دستیابی به چگالی بالا و رشد دانه پایین تهیه شده است. بدین منظور از سیلیکون کاربید نانومتری و میکرومتری با 5 و 10 درصد وزنی جهت بررسی تاثیر درصد و اندازه دانه فاز تقویت‌ کننده بر ریزساختار کامپوزیت مورد نظر استفاده شده است. فاز تقویت‌ کننده با سازوکار زنر (Zener) از رشد دانه‌های مولایت جلوگیری می‌کند. با استفاده از سیلیکون کاربید نانومتری می‌توان به اندازه دانه پایین‌تری دست یافت. در عین حال افزایش چگالی قطعات به نسبت سیلیکون کاربید میکرومتری دشوارتر است. همچنین افزایش درصد سیلیکون کاربید از 5 به 10 درصد وزنی، علی‌رغم جلوگیری از رشد دانه، مانع رسیدن کامپوزیت به چگالی بالا می‌شود. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

9 - موج‌بر نواری فلز-عایق-فلز عمودی مبتنی بر ساختار سیلیکون بر روی عایق
وحید صادق زاده مرقی محمود نیکو فرد مهدی اسلامی سید حسین پیشگر کومله

10.30486/teeges.2023.1972274.1048

این مقاله یک موج‌بر پلاسمونیک نواری بسیار فشرده جدید فلز-عایق-فلز (MIM) بر روی ساختار سیلیکون بر روی عایق (SOI) پیشنهاد می‌کند. ساختار موج‌بر می‌تواند به‌طور مؤثر پلاریتون پلاسمون های سطحی (SPPs) را در یک ‌لایه نازک SiO2 با ضریب شکست کم در پنجره طول‌موج نوری 1550 نانومت چکیده کامل

این مقاله یک موج‌بر پلاسمونیک نواری بسیار فشرده جدید فلز-عایق-فلز (MIM) بر روی ساختار سیلیکون بر روی عایق (SOI) پیشنهاد می‌کند. ساختار موج‌بر می‌تواند به‌طور مؤثر پلاریتون پلاسمون های سطحی (SPPs) را در یک ‌لایه نازک SiO2 با ضریب شکست کم در پنجره طول‌موج نوری 1550 نانومتر منتشر کند. پارامترهای اصلی شامل، ضریب شکست مؤثر، طول انتشار، ضریب تحدید و ناحیه حالت مؤثر برای موج‌بر پیشنهادی با پهناهای مختلف موج‌بر محاسبه شده است. نتایج شبیه‌سازی با موج‌بر پلاسمونیک MIM افقی قابل‌مقایسه می باشد. ساختار پیشنهادی می‌تواند به‌صورت یکپارچه با ادوات مبتنی برSOI عایقی مرسوم و پلاسمونیکی ترکیبی مجتمع سازی شده و پتانسیل متمرکز کردن نور، در ابعاد نانو را دارد. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

10 - فعالیت دفاعی سیب‌های مایه زنی شده با مخمرPichia guilliermondii و سیلیکون در مقابل Penicillium expansum
لیلا فراهانی حسن رضا اعتباریان

در این تحقیق تغییرات فعالیت آنزیم پراکسیداز و نیز ترکیبات فنلی در میوه سیب، پس از تیمار با مخمرPichia guilliermondii A6 و سیلیکون (Si) و مایه زنی با قارچ عامل بیماری کپک آبی Penicillium expansum F1 بررسی شد. نمونه برداری در روزهای صفر، دوم، چهارم، ششم و هشتم پس از مایه چکیده کامل

در این تحقیق تغییرات فعالیت آنزیم پراکسیداز و نیز ترکیبات فنلی در میوه سیب، پس از تیمار با مخمرPichia guilliermondii A6 و سیلیکون (Si) و مایه زنی با قارچ عامل بیماری کپک آبی Penicillium expansum F1 بررسی شد. نمونه برداری در روزهای صفر، دوم، چهارم، ششم و هشتم پس از مایه زنی قارچ عامل بیماری انجام گرفت. نتایج این آزمایش نشان داد که فعالیت آنزیم پراکسیداز در طی روز های نمونه برداری افزایش یافته و بیشترین فعالیت آنزیم در روز هشتم در تیمار ترکیبی مخمر با سیلیکون (AS) با مقدار∆OD/Min/mg Protein 58/168 مشاهده شد. نتایج مربوط به مقدار ترکیبات فنولی نیز نشان دهنده بیشترین مقدار این ترکیبات در روز دوم پس از مایه زنی عامل بیماری در تیمار ASF با مقدار µg/g FW 25/47 بود. بر اساس نتایج این آزمایش چنین به نظر می رسد که افزایش فعالیت آنزیم پراکسیداز و نیز ترکیبات فنولی می تواند دلیلی بر القای این ترکیبات دفاعی در میوه سیب باشد. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

11 - بررسی اثر سیلیکون و فرمولاسیون‌های آن بر روی پارامترهای بیولوژیکی و تراکم کنه تارتن دو نقطه‌ای(Tetranychus urticae) روی پنج رقم لوبیا
هدی رضائی شیلا گلدسته الهام صنعتگر امین نیک پی

هدف از انجام این تحقیق بررسی اثر سیلیکون و فرمولاسیون های آن بر روی پارامترهای بیولوژیکی و تراکم کنه تارتن دونقطه ای (Tetranychus urticae) روی پنج رقم لوبیا است. روش تحقیق مطالعات آزمایشگاهی است که در قالب طرح فاکتوریل (فاکتور اول رقم لوبیا و فاکتور دوم نوع سیلیکون مصرف چکیده کامل

هدف از انجام این تحقیق بررسی اثر سیلیکون و فرمولاسیون های آن بر روی پارامترهای بیولوژیکی و تراکم کنه تارتن دونقطه ای (Tetranychus urticae) روی پنج رقم لوبیا است. روش تحقیق مطالعات آزمایشگاهی است که در قالب طرح فاکتوریل (فاکتور اول رقم لوبیا و فاکتور دوم نوع سیلیکون مصرفی) اجرا می گردد. ارقام لوبیا مورد آزمایش شامل 5 رقم لوبیا قرمز، چشم بلبلی، سفید، چیتی و سیاه می باشند. جهت انجام آزمایش برای هر رقم لوبی 20گلدان در نظر گرفته شده است (جمعاً 100 گلدان). ترکیبات سیلیکونی مورد استفاده در آزمایشات شامل کود مایع بر پایه سیلیکون، سیلیکات پتاسیم مایع، سیلیکات کلسیم پودری است. از هر 20 گلدان مربوط به یک رقم لوبیا 5 گلدان به عنوان شاهد در نظر گرفته شده و روی 5 گلدان سیلیکات پتاسیم مایع، روی 5 گلدان دیگر سیلیکات کلسیم پودری و در نهایت روی 5 گلدان آخر کود مایع بر پایه سیلیکون استفاده گردید. سپس از هر گلدان 10 برگ در یک پتری دیش قرار گرفته و روی برگ ها به تعداد مساوی 50 کنه های بالغ نر و ماده قرار داده شده است و پتری ها در دستگاه انکوباتور با دمای 5±25 درجه سلسیوس و رطوبت نسبی 10±60 درصد قرار داده شدند. سپس طی 18 روز، تعداد کنه بـالغ در رو و پشت کلیه ی برگ های هر پتری و تعداد تخم در رو و پشت آن ها با کمـک میکروسـکوپ تشریحی شمارش گردیدند و پارامترهای بیولوژیکی و درصد زنده مانی هر یک از مراحل رشدی کنه های موجود در هر رقم لوبیا تحت ترکیب سیلیکونی خاص تا مرگ آخرین کنه مورد مطالعه قرار گرفتند. به منظور تجزیه و تحلیل اطلاعات از نرم افزار23 SPSS و برای رسم نمودارهای جداول با استفاده از نرم افزار Excel استفاده گردید. نتایج پژوهش بیانگر آن است که به ترتیب بیشترین تأثیر استفاده از سیلیکون و فرمولاسیون های آن در پرورش لوبیا شامل کود مایع بر پایه سیلیکون، سیلیکات پتاسیم مایع، سیلیکات کلسیم پودری است که باعث کاهش نسبت بقاء یا زنده مانی و امید به زندگی و کاهش تبدیل تخم به لارو، و تبدیل لارو به پوره و تبدیل پوره به کنه شده است. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

12 - بررسی تجربی و شبیه سازی المان محدود درجه حرارت ابزار برش در فرآیند تراشکاری فولاد سخت‌کاری شده با استفاده از نانو سیال Sio2
محسن خواجه زاده قربانعلی مومن

در این مقاله، تأثیر استفاده از نانو سیالدی‌اکسید سیلیکون (Sio2) بر روی درجه حرارت ابزار برش در تراشکاری فولاد سخت‌کاری شده 4340 با استفاده از روش‌های تجربی و شبیه‌سازی المان محدود، مورد مطالعه قرار گرفته است؛ بدین منظور ابتدا مدل المان محدود فرایند تراشکاری فولاد سخت‌کا چکیده کامل

در این مقاله، تأثیر استفاده از نانو سیالدی‌اکسید سیلیکون (Sio2) بر روی درجه حرارت ابزار برش در تراشکاری فولاد سخت‌کاری شده 4340 با استفاده از روش‌های تجربی و شبیه‌سازی المان محدود، مورد مطالعه قرار گرفته است؛ بدین منظور ابتدا مدل المان محدود فرایند تراشکاری فولاد سخت‌کاری شده 4340 در دو حالت خشک توسعه یافت و صحت نتایج آن از نظر نیرو و درجه‌حرارت، اعتبارسنجی شد. در ادامه طراحی آزمایش با هدف مطالعه تأثیر کاربرد نانوسیال دی‌اکسید سیلیکون و غلظت آن بر درجه حرارت ابزار برش انجام شد و مجموعه‌ای از آزمون‌های تجربی و شبیه‌سازی‌های المان محدود متناسب با طراحی آزمایش انجام شده و نتایج آنها با یکدیگر مقایسه شد.انطباق مناسبی بین نتایج تجربی و شبیه‌سازی المان محدود وجود دارد. بر اساس نتایج حاصل از این پژوهش، استفاده از نانو سیال دی‌اکسید سیلیکون در فرآیند تراشکاری فولاد سخت‌کاری شده، به‌طور متوسط کاهش حدوداً 30 درصدی درجه حرارت ابزار برشی را به همراه خواهد داشت. علاوه بر آن مشاهده شد که افزایش غلظت ذرات نانو در سیال پایه منجر به کاهش جزئی درجه حرارت ابزار برش خواهد شد که بیش‌ترین میزان کاهش در حدود 40 درصد و در غلظت وزنی 6/0 درصد اتفاق خواهد افتاد. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

13 - مطالعه تجربی تاثیر نانو سیال SiO2 بر روی نیروی ماشینکاری در فرایند تراش کاری فولاد AISI 4340
محسن خواجه زاده قربانعلی مومن

در این مقاله تاثیر نانو سیال دی اکسید سیلیکون (SiO2) با سیال پایه آب بر روی نیروی ماشین کاری قطعه کار در فرآیند تراش کاری فولاد ابزار عملیات حرارتی شده (AISI 4340) مورد مطالعه قرار گرفته و نتایج حاصل با حالت خشک مقایسه شده است. نتایج به دست آمده نشان می دهد افزودن نانو چکیده کامل

در این مقاله تاثیر نانو سیال دی اکسید سیلیکون (SiO2) با سیال پایه آب بر روی نیروی ماشین کاری قطعه کار در فرآیند تراش کاری فولاد ابزار عملیات حرارتی شده (AISI 4340) مورد مطالعه قرار گرفته و نتایج حاصل با حالت خشک مقایسه شده است. نتایج به دست آمده نشان می دهد افزودن نانو ذرات دی اکسید سیلیکون به مقدار 1% حجمی به آب موجب کاهش قابل ملاحضه مقدار نیروی ماشین کاری نسبت به حالت خشک می شود. بر اساس نتایج حاصل نانوسیال دی اکسید سیلیکون (SiO2) نیروی ماشین کاری را 24% نسبت به حالت خشک کاهش می دهد و در هنگام استفاده از نانوسیال مذکور در محدوده آزمایش های به عمل آمده کمترین نیروی ماشینکاری در سرعت پیشروی0.1 میلی متر بر دور و سرعت برشی 400 متر بر دقیقه حاصل شد. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

14 - بررسی تأثیر سطوح سیلیکون بر جوانه‌زنی و رشد اولیه جو (Hordeum vulgare L.) تحت تنش شوری
هادی زارع خورمیزی حمید سودایی زاده

تولید محصولات کشاورزی در مناطق خشک و نیمه‌خشک تحت تأثیر شوری آب و خاک می‌باشد.در سال‌های اخیر به‌کارگیری روش‌هایی که موجب افزایش تحمل گیاه به تنش شوری گردد مورد توجه محققین قرار گرفته است. این مطالعه به منظور بررسی اثر سیلیکون بر جوانه‌زنی و رشد اولیه جو تحت سطوح مختلف چکیده کامل

تولید محصولات کشاورزی در مناطق خشک و نیمه‌خشک تحت تأثیر شوری آب و خاک می‌باشد.در سال‌های اخیر به‌کارگیری روش‌هایی که موجب افزایش تحمل گیاه به تنش شوری گردد مورد توجه محققین قرار گرفته است. این مطالعه به منظور بررسی اثر سیلیکون بر جوانه‌زنی و رشد اولیه جو تحت سطوح مختلف تنش شوری انجام پذیرفت. این آزمایش به‌صورت فاکتوریل در قالب طرح کاملاً تصادفی در 4 تکرار در آزمایشگاه گیاهشناسی دانشگاه یزد انجام گرفت. فاکتور اول سیلیکون با چهار سطح (0، 5/0، 1 و 5/1 میلی‌مولار) و فاکتور دوم تنش شوری در پنج سطح (0، 8، 16، 24 و 32 دسی زیمنس بر متر) در نظر گرفته شد. نتایج نشان داد با افزایش سطوح تنش شوری درصد و سرعت جوانه‌زنی، متوسط جوانه‌زنی روزانه، شاخص جوانه‌زنی، انرژی جوانه‌زنی، بنیه بذر، طول ریشه‌چه و ساقه‌چه به طور معنی‌داری (01/0p<) کاهش یافتند. به‌طوری‌که شاخص‌های درصد و سرعت جوانه‌زنی، بنیه بذر، طول ریشه‌چه و ساقه‌چه در تنش شوری 24 دسی زیمنس بر متر نسبت به تیمار شاهد به ترتیب 66، 75، 85، 45 و 70 درصد کاهش یافت. کاربرد سیلیکون با غلظت‌های 5/0 و 1 میلی‌مولار باعث کاهش اثرات منفی ناشی از تنش شوری بخصوص در سطوح تنش 16، 24 و 32 دسی زیمنس بر متر شد. مصرف سیلیکون با غلظت 1 میلی‌مولار توانست درصد و سرعت جوانه‌زنی را در تنش شوری 24 دسی زیمنس بر متر به‌ترتیب 20 و 28 درصد افزایش دهد. با این‌حال پیشنهاد می‌گردد که مطالعات تکمیلی در این زمینه در شرایط گلخانه و مزرعه صورت پذیرد. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

15 - اثر کود سیلیکا بر رشد، زی‌توده و جذب عناصر غذایی در نهال های گلدانی بلوط ایرانی (Quercus brantii Lindl.)
مهرداد زرافشار سید کاظم بردبار محمد متینی زاده علیرضا عباسی محمد رضا نگهدار صابر شهرام احمدی سعید بهرامی حسن رضایی

مطالعه فاکتورهای مختلف اثرگذار در جهت ارتقاء رشد نهال های موجود در نهالستان و عرصه های جنگل‌کاری از اهمیت زیادی برخوردار است. از طرفی، با وجود اینکه سیلیکون به عنوان یک عنصر ضروری در گیاهان شناخته نشده، اما اثرات مفید فراوانی بر گیاهان دارد. به همین منظور آزمایشی در قال چکیده کامل

مطالعه فاکتورهای مختلف اثرگذار در جهت ارتقاء رشد نهال های موجود در نهالستان و عرصه های جنگل‌کاری از اهمیت زیادی برخوردار است. از طرفی، با وجود اینکه سیلیکون به عنوان یک عنصر ضروری در گیاهان شناخته نشده، اما اثرات مفید فراوانی بر گیاهان دارد. به همین منظور آزمایشی در قالب طرح کاملاً تصادفی در 5 سطح تیمار برای ارزیابی غلظت های مختلف سیلیکا بر برخی پارامترهای رشد و جذب عناصر غذایی در نهال های بلوط ایرانی طراحی و اجرا گردید. برای هر تیمار 10 گلدان در نظر گرفته شد و تیمارهای اعمال شده شامل سطوح شاهد و آبیاری با غلظت های 50، 150، 350 و 500 میلی گرم در لیتر سیلیکا (بر اساس ظرفیت زراعی) صورت گرفت. نتایج این مطالعه نشان داد که اگرچه سیلیکا بر مقدار قطر طوقه نهال ها تاثیر معنی دار آماری نداشت، اما حجم ریشه و قطر ساقه نهال های تیمار شده با 500 میلی گرم در لیتر سیلیکا تا بیش از 50% بیشتر از نهال های شاهد بود. از سوی دیگر، نهال هایی کوددهی شده با غلظت 500 میلی گرم در لیتر سیلیکا دارای بیشترین زی‌توده خشک نسبت به شاهد و دیگر تیمارها بودند به طوری که حدود 68 تا 80 درصد افزایش در زی توده برگ، ساقه و ریشه این نهال ها نسبت به نهال های شاهد مشاهده شد. بیشترین جذب عناصر نیتروژن، پتاسیم و کلسیم مربوط به تیمار 150 میلی‌گرم در لیتر بود. با این وجود، سیلیکا در غلظت های پایین سبب کاهش جذب عناصر منگنز، مس و روی شد و در کل مقدار جذب آهن در حضور سیلیکا کاهش یافت. در نهایت می توان اذعان داشت که استفاده از کود سیلیکا در این پژوهش سبب افزایش زی‌توده کل نهال‌های بلوط و همچنین افزایش جذب ماکروالمنت ها شد که این یافته می تواند در نهالستان های جنگلی برای تولید نهال مورد عنایت قرار گیرد. با این وجود برای درک مکانیسم آن مطالعات تکمیلی از جمله آنالیز بیان ژن و پروتئین‌ها مورد نیاز است. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

16 - مقایسه اثر سیلیکون معدنی و نانوسیلیکون بر برخی صفات بیوشیمیایی و فتوسنتزی در گیاه ذرت Zea mays L.تحت تنش شوری
محبوبه زراوشان احمد عبدل زاده حمیدرضا صادقی پور پویان مهربان جوبنی

تنش شوری یکی از عواملی است که رشد و عملکرد ذرت را تهدید می‌کند. اثرات کاربرد سیلیکون معدنی و یا نانوسیلیکون در تخفیف شوری در برخی گیاهان گزارش شده است. به این منظور اثرات تغذیه برگی سیلیکون معدنی و نانو در تخفیف اثرات تنش شوری در رشد و برخی عوامل بیوشیمایی و فتوسنتزی در چکیده کامل

تنش شوری یکی از عواملی است که رشد و عملکرد ذرت را تهدید می‌کند. اثرات کاربرد سیلیکون معدنی و یا نانوسیلیکون در تخفیف شوری در برخی گیاهان گزارش شده است. به این منظور اثرات تغذیه برگی سیلیکون معدنی و نانو در تخفیف اثرات تنش شوری در رشد و برخی عوامل بیوشیمایی و فتوسنتزی در گیاه ذرت مورد بررسی و مقایسه قرار گرفت. آزمایشات در قالب طرح کاملاً تصادفی و در قالب فاکتوریل به‌صورت کشت گلدانی انجام شد. فاکتور اول شوری در دو سطح 0 و 100 میلی‌مولار کلریدسدیم و سیلیکون در سطوح شاهد (بدون سیلیکون)، 2 میلی‌مولار سیلیکات پتاسیم و 2 میلی‌مولار نانوسیلیکون SiO2 بود. تحت تنش شوری، میزان وزن تر و خشک بخش هوایی و ریشه، میزان کلروفیل‌ها و کاروتنوئیدها و میزان پروتئین‌های محلول نسبت به شاهد به صورت معنی‌داری کاهش و در مقابل میزان پراکسیدهیدروژن و مالون دی‌آلدهید این گیاهان افزایش یافت. همچنین، تنش شوری میزان فتوسنتز و کارآیی مصرف آب گیاهان را کاهش داد. کاربرد سیلیکون و نانوسیلیکون رشد گیاهان تحت شوری را بهبود بخشید و موجب افزایش شدت فتوسنتز و میزان رنگدانه‌های فتوسنتزی در آنها شد. به علاوه، کاهش شدید تعرق با کاربرد سیلیکون نسبت به نانوسیلیکون سبب افزایش بیشتر راندمان مصرف آب در این تیمار شد. همچنین کاربرد سیلیکون فعالیت آنزیم پراکسیداز محلول را در گیاهان تحت شوری افزایش داد که با کاربرد نانوسیلیکون مشاهده نشد. این امر کاهش بیشتر پراکسیدهیدروژن و پراکسیداسیون لیپید گیاهان تحت شوری با تیمار سیلیکون نسبت به نانوسیلیکون را به دنبال داشت که کاهش بیشتر تنش اکسیدایتو در این تیمار را به نمایش گذاشت این نتایج نشان داد که تخفیف تنش و افزایش رشد گیاهان تحت شوری با کاربرد سیلیکون نسبت به نانوسیلیکون بیشتر بود که احتمالاً به کاهش بیشتر تنش اکسیداتیو در این تیمار مربوط است. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

17 - یک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق
ندا پورداود آرش دقیقی

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار م چکیده کامل

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررسی اثرات غیرخطی در مدارات فرکانس بالا می‌باشند. در این مقاله، رابطه‌ای جدید به دست ‌آمده است که نشان می‌دهد با تنظیم دقیق ولتاژ بایاس درین و مقدار مقاومت بدنه (با تنظیم مکان قرارگیری اتصالات بدنه) می‌توان پرش هدایت خروجی را از بین برد. سپس با استفاده از نرم‌افزار شبیه ساز ادوات نیمه هادی، یک ماسفت سیلیکون بر روی عایق با اتصال بدنه با طول کانال 45 نانومتر ایجاد و روابط بر روی آن پیاده شده که نتایج به دست آمده با روابط کاملا صدق می‌کند. در انتها، یک نمودار مهم به دست آمده است که از روی آن می‌توان مقادیر ولتاژ درین و مقاومت بدنه را به گونه‌ای به دست آورد که اثری از پرش در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی نباشد. در انتها، بهبود در مقادیر اعوجاج هارمونیک کلی (THD) و اعوجاج هارمونیک سوم (HD3) و در نتیجه مقدار نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم (IP3) در یک تقویت کننده‌ی نویز پایین (LNA) با استفاده از ماسفت سیلیکون بر روی عایق با طول کانال 45 نانومتر نشان داده می‌شود پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

18 - بررسی تأثیر سطوح سیلیکون بر جوانه‌زنی و رشد اولیه جو (Hordeum vulgare L.) تحت تنش شوری
هادی زارع خورمیزی حمید سودایی زاده

تولید محصولات کشاورزی در مناطق خشک و نیمه‌خشک تحت تأثیر شوری آب و خاک می‌باشد.در سال‌های اخیر به‌کارگیری روش‌هایی که موجب افزایش تحمل گیاه به تنش شوری گردد مورد توجه محققین قرار گرفته است. این مطالعه به منظور بررسی اثر سیلیکون بر جوانه‌زنی و رشد اولیه جو تحت سطوح مختلف چکیده کامل

تولید محصولات کشاورزی در مناطق خشک و نیمه‌خشک تحت تأثیر شوری آب و خاک می‌باشد.در سال‌های اخیر به‌کارگیری روش‌هایی که موجب افزایش تحمل گیاه به تنش شوری گردد مورد توجه محققین قرار گرفته است. این مطالعه به منظور بررسی اثر سیلیکون بر جوانه‌زنی و رشد اولیه جو تحت سطوح مختلف تنش شوری انجام پذیرفت. این آزمایش به‌صورت فاکتوریل در قالب طرح کاملاً تصادفی در 4 تکرار در آزمایشگاه گیاهشناسی دانشگاه یزد انجام گرفت. فاکتور اول سیلیکون با چهار سطح (0، 5/0، 1 و 5/1 میلی‌مولار) و فاکتور دوم تنش شوری در پنج سطح (0، 8، 16، 24 و 32 دسی زیمنس بر متر) در نظر گرفته شد. نتایج نشان داد با افزایش سطوح تنش شوری درصد و سرعت جوانه‌زنی، متوسط جوانه‌زنی روزانه، شاخص جوانه‌زنی، انرژی جوانه‌زنی، بنیه بذر، طول ریشه‌چه و ساقه‌چه به طور معنی‌داری (01/0p<) کاهش یافتند. به‌طوری‌که شاخص‌های درصد و سرعت جوانه‌زنی، بنیه بذر، طول ریشه‌چه و ساقه‌چه در تنش شوری 24 دسی زیمنس بر متر نسبت به تیمار شاهد به ترتیب 66، 75، 85، 45 و 70 درصد کاهش یافت. کاربرد سیلیکون با غلظت‌های 5/0 و 1 میلی‌مولار باعث کاهش اثرات منفی ناشی از تنش شوری بخصوص در سطوح تنش 16، 24 و 32 دسی زیمنس بر متر شد. مصرف سیلیکون با غلظت 1 میلی‌مولار توانست درصد و سرعت جوانه‌زنی را در تنش شوری 24 دسی زیمنس بر متر به‌ترتیب 20 و 28 درصد افزایش دهد. با این‌حال پیشنهاد می‌گردد که مطالعات تکمیلی در این زمینه در شرایط گلخانه و مزرعه صورت پذیرد. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

19 - مطالعه کالبد شناسی بطنهای مغزی گوسفند لری با استفاده از قالبهای خوردگی
محسن عباسی عباس پیرزادی شهریار یاوری

اندازه مغز در حیوانات مختلف و حتی افراد یک گونه با توجه به جثه متغیر است و این تغییرات بر اندازه، شکل و موقعیت بطنهای مغزی نیز تاثیر دارد. آموزش برخی از ساختارهای اعضاء بدون وجود قالب داخلی از آنها به سختی ممکن است در حالیکه با وجود قالب آنها فهم مطلب برای دانشجویان به چکیده کامل

اندازه مغز در حیوانات مختلف و حتی افراد یک گونه با توجه به جثه متغیر است و این تغییرات بر اندازه، شکل و موقعیت بطنهای مغزی نیز تاثیر دارد. آموزش برخی از ساختارهای اعضاء بدون وجود قالب داخلی از آنها به سختی ممکن است در حالیکه با وجود قالب آنها فهم مطلب برای دانشجویان به سادگی ممکن میشود. با توجه به موارد فوق، در این تحقیق، به نحوه تهیه قالبهای بطنی مغز در گوسفند لری پرداخته شده است. به این منظور 30 عدد سر گوسفند لری سالم مورد استفاده قرار گرفت. پس از جداسازی استخوانهای سقف جمجمه، فیکس شدن مغزها در محل خود صورت گرفت. با قرار دادن سرسوزنهای فلزی در موقعیت مناسب و هدایت آن به داخل بطنهای جانبی، تزریق ماده قالبگیری شامل سیلیکون و چسب سنگ صورت گرفت. با آماده شدن قالبهای بطنها، ساختمان، شکل و موقعیت آنها بررسی و مشخص گردید پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

20 - Effects of Different Preservative Solutions on Vase Life of <i>Narcissus tazetta</i> Cut Flowers
Hassan Bayat Mohamad Aminifard

The main aim of this study was to evaluate the effects of silicon (Si), ethanol (Et), ascorbic acid (AA) and citric acid (CA) on vase life of Narcissus tazetta L. cv. ‘Shahla’cut flowers. For this purpose, an experiment based on completely randomized design چکیده کامل

The main aim of this study was to evaluate the effects of silicon (Si), ethanol (Et), ascorbic acid (AA) and citric acid (CA) on vase life of Narcissus tazetta L. cv. ‘Shahla’cut flowers. For this purpose, an experiment based on completely randomized design was conducted with Si (5, 10 and 20 mM), Et (2 and 4%), AA (100, 200 and 300 mg L-1), CA (100, 200 and 300 mg L-1) and control (distillated water) with 3 replications and 3 samples (individual flowers) for each replicate. The results showed that addition of all preservatives to vase solutions significantly increased relative fresh weight, water uptake and vase life of cut flowers in comparison to control. Relative fresh weight of treated cut flowers with Si (5 mM) was higher than other treatments during all days of experiment and this treatment increased relative fresh weight and total water uptake by 16 and 27% compared to control (day 7 of experiment). Silicon (5 mM) also increased fresh weight of control flower (without stem) from 0.185 to 0.259 g (40% increases). The highest dry weight of flower (0.057 g) was obtained from 300 mg. L-1AA, by 32% increases when compared to control flower. Application of Si (5 mM) extended vase life of cut flowers by 2.66 day in comparison to control. According to the results of this experiment, Si, Et, AA and CA as safe and cheap compounds are suitable for extending the vase life of N. tazetta cut flowers. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

21 - اثر کودهای آلی و شیمیایی همراه با کاربرد سیلیسیم بر ویژگی‌های مورفوفیزیولوژیکی و عملکرد سرخارگل (Echinacea purpurea L.)
حسن یحیی پور یوسف نیک‌نژاد

10.2./jpps.2023.706908

پژوهش حاضر با هدف بررسی اثرات کودهای آلی و شیمیایی همراه با کاربرد سیلیکون بر خصوصیات مورفوفیزیولوژیکی و عملکرد سرخارگل (Echinacea purpurea L.)، در مزرعه ای واقع در استان مازندران، شهرستان آمل طی سال 1401 اجرا گردید. آزمایش به صورت اسپلیت پلات در قالب طرح پایه بلوک‌های چکیده کامل

پژوهش حاضر با هدف بررسی اثرات کودهای آلی و شیمیایی همراه با کاربرد سیلیکون بر خصوصیات مورفوفیزیولوژیکی و عملکرد سرخارگل (Echinacea purpurea L.)، در مزرعه ای واقع در استان مازندران، شهرستان آمل طی سال 1401 اجرا گردید. آزمایش به صورت اسپلیت پلات در قالب طرح پایه بلوک‌های کامل تصادفی با سه تکرار اجرا گردید. تیمارهای آزمایش شامل مصرف کودهای آلی و شیمیایی در چهار سطح (شاهد، کود دامی، ورمی‌کمپوست و کود شیمیایی) به عنوان عامل اصلی و کاربرد سیلیسیم در سه سطح (شاهد، سیلیکات پتاسیم و نانوسیلیس) به عنوان عامل فرعی در نظر گرفته شدند. نتایج نشان داد که یشترین صفات رشدی نظیر ارتفاع بوته، تعداد گل در بوته و سطح برگ با کاربرد کود شیمیایی حاصل شد. حداکثر وزن خشک اندام گیاهی با مصرف کود شیمیایی حاصل شد اگرچه اختلاف معنی‌داری با کاربرد ورمی‌کمپوست نداشت. بیشترین وزن خشک گل (429/3 گرم در متر مربع) با کاربرد کود شیمیایی حاصل شد که با مصرف ورمی‌کمپوست (417/3 گرم در متر مربع) اختلاف معنی‌داری نداشت. کاربرد هر دو منبع سیلیکون منجر به بهبود تعداد گل در بوته، سطح برگ و غلظت کلروفیل‌ها‌ در مقایسه با تیمار شاهد گردید اگرچه کاربرد نانوسیلیکون اثرات بهبوددهندگی بالاتری در مقایسه با سیلیکات پتاسیم داشت. مصرف نانوسیلیکون به‌ترتیب موجب افزایش 9/6 و 7/4 درصدی وزن خشک گل در مقایسه با عدم کاربرد سیلیکون و کاربرد سیلیکات پتاسیم گردید. بنابراین، با توجه به نتایج مطالعه حاضر، کاربرد ورمی-کمپوست به عنوان جایگزین مناسب برای کودهای شیمیایی و استفاده از نانوسیلیکون جهت بهبود خصوصیات مورفوفیزیولوژیکی و عملکرد سرخارگل معرفی می‌گردد. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

22 - سنتز سیلیکون کاربید گرافیتی (g-SiC) متخلخل از ژلاتین و فوم سیلیکا برای حذف فوتوکاتالیستی آلاینده‌های آلی و زیستی آب
مریم افشارپور عارف رستمی

10.30495/jacr.2023.1976773.2078

در این پژوهش، سیلیکون کاربید گرافیتی (g-SiC) متخلخل دوپه شده با نیتروژن به عنوان یک فوتوکاتالیست بدون فلز با فوم سیلیکا به عنوان منبع سیلیکون و ژلاتین به عنوان منبع کربنی سنتز شدند. ویژگی فوتوکاتالیستی این ترکیب در حذف فوتوکاتالیستی رنگ های آزو و ازبین بردن باکتری های گ چکیده کامل

در این پژوهش، سیلیکون کاربید گرافیتی (g-SiC) متخلخل دوپه شده با نیتروژن به عنوان یک فوتوکاتالیست بدون فلز با فوم سیلیکا به عنوان منبع سیلیکون و ژلاتین به عنوان منبع کربنی سنتز شدند. ویژگی فوتوکاتالیستی این ترکیب در حذف فوتوکاتالیستی رنگ های آزو و ازبین بردن باکتری های گرم مثبت و منفی در نور مرئی ارزیابی شد. ساختار سنتزی g-SiC توانایی بسیار بالایی را در حذف آلاینده های آلی (99 % در 10 دقیقه) در مقایسه با SiC تجاری (8 % در 10 دقیقه)، نشان داد. این بهبود ویژگی فوتوکاتالیستی به ساختار گرافنی این ترکیب مربوط می شود که موجب افزایش انتقالات الکترونی شده و سرعت بازترکیب را کاهش می دهد. همچنین، به دلیل وجود بار مثبت بر اتم های سیلیکون در ساختار g-SiC، مولکول های اکسیژن محلول در آب می توانند جذب این مراکز شوند و رادیکال های اکسیژنی را تولید کنند. این رادیکال ها می توانند به عنوان یک گونه فعال واکنش های فوتوکاتالیستی را سرعت بخشند. از طرف دیگر، استفاده از فوم سیلیکا موجب افزایش مساحت سطح شد ( m2/g7/191) و با دوپه شدن نیتروژن (8/2 %) ناشی از منبع ژلاتین، نواقص ساختاری بیشتر، قدرت جذب بالاتر و کاف نوار کوچکتر(eV 16/2) در ساختار ایجاد شد که فعالیت فوتوکاتالیستی آن را افزایش داد. نتیجه ها نشان داد که این ترکیب می تواند رنگ های آزو را تا 100 % و باکتری ها را تا بالای 85 % حذف کند. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

23 - سنتز پرکننده‌ی نانو سیلیکون کاربید آمین دار شده و کاربرد آن به‌منظور بهبود ویژگی‌های مکانیکی کامپوزیت بر پایه‌ی رزین اپوکسی
سید مجتبی موسوی مهرداد امام وردی اکبر میرزایی

در این پژوهش با آمین‌دار کردن نانو ذرات سیلیکون کاربید (SiC)، ویژگی‌های مکانیکی کامپوزیت پلیمری بر پایه رزین اپوکسی اصلاح بررسی شده است. نخست سه مؤلفه‌ی زاویه چیدمان الیاف کربن،‌ درصد وزنی SiC و مقدار عامل پخت در نظر گرفته شد و با انجام محاسبات و شبیه‌سازی نرم‌افزاری و چکیده کامل

در این پژوهش با آمین‌دار کردن نانو ذرات سیلیکون کاربید (SiC)، ویژگی‌های مکانیکی کامپوزیت پلیمری بر پایه رزین اپوکسی اصلاح بررسی شده است. نخست سه مؤلفه‌ی زاویه چیدمان الیاف کربن،‌ درصد وزنی SiC و مقدار عامل پخت در نظر گرفته شد و با انجام محاسبات و شبیه‌سازی نرم‌افزاری و رسم نمودار اورلید، مقادیر هریک از مؤلفه‌ها محاسبه شد. سپس سطح نانو ذرات SiC با غوطه‌وری در هیدروفلوئوریک اسید تبدیل به Si-OH شد و در ادامه نانو ذرات SiC در مایع عامل‌دار کننده (3-آمینوپروپیل) تری اتوکسی سیلان (APTES) در زمان‌های 30، 45، 60 و 75 دقیقه غوطه‌ور شد. نتیجه‌های آزمون‌های مکانیکی حاکی از ارتقاء 6/20% مقاومت کششی و 3/21% مقاومت ضربه‌ای با زمان غوطه‌وری 60 دقیقه نسبت به مقدارهای به‌دست آمده از نمونه‌های قبل از عامل‌دار کردن است. طیف‌های IR انجام فرایند تشکیل گروه‌های سیلانول و هم‌چنین پخت رزین اپوکسی را تأیید کرده است. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

24 - بررسی ذخیره سازی هیدروژن بر روی نانولوله ی سیلیکون کربید تحت میدان الکتریکی خارجی با روش محاسباتی DFT
احسان معصومیان سید مجید هاشمیان زاده

با استفاده از محاسبات تابع چگال جذب هیدروژن بر روی نانولوله سیلیکون کربید تحت میدان های الکتریکی در گستره های 0 تا 0/015 a.u. و 0 تا a.u. 0/025 به ترتیب در عرض و طول نانولوله بررسی شده است. هنگامی که هیدروژن در راستای میدان الکتریکی قرار می گیرد در هر دو جهت مثبت و منفی چکیده کامل

با استفاده از محاسبات تابع چگال جذب هیدروژن بر روی نانولوله سیلیکون کربید تحت میدان های الکتریکی در گستره های 0 تا 0/015 a.u. و 0 تا a.u. 0/025 به ترتیب در عرض و طول نانولوله بررسی شده است. هنگامی که هیدروژن در راستای میدان الکتریکی قرار می گیرد در هر دو جهت مثبت و منفی با افزایش میدان الکتریکی انرژی جذب افزایش می یابد. انرژی جذب در راستای عرضی و جهت مثبت هنگامی که میدان a.u 0/015 اعمال می شود به eV-0/18می رسد. میدان الکتریکی در راستای طولی نانولوله همانگونه که باعث افزایش جذب هیدروژن می شود تأثیر عکس نیز دارد. هرچند که میزان افزایش انرژی جذب هیدروژن از میزان کاهش آن بیشتر است اما برآیند انرژی های جذب در تمام مکان ها مقدار چشمگیری ندارد. اعمال میدان موجب کاهش انرژی گپ شده اما سامانه خاصیت نیم رسانایی خود را در میدان های 0/025 و a.u 0/015 حفظ می کند. با حذف میدان الکتریکی از سامانه گاز و نانولوله آن مولکول هایی که به وسیله ی میدان الکتریکی جذب شده اند از نانولوله جدا می شوند و از این رو میدان الکتریکی به انجام هر دو فرایند جذب و واجذب کمک می کند. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

25 - بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان‌گرد سیلیکون در محلول TMAH
حسن عبداللهی حسن حاج قاسم

این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون (100) در هیدروکسید آمونیم تترامتیل(TMAH) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول TMAH با غلظت های مختلف 5%، 10%، 15% و 25% و در دماهای مختلف oC 70، oC 80 و oC90 انجام شد. نتایج نشان می دهد که نرخ زدایش ب چکیده کامل

این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون (100) در هیدروکسید آمونیم تترامتیل(TMAH) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول TMAH با غلظت های مختلف 5%، 10%، 15% و 25% و در دماهای مختلف oC 70، oC 80 و oC90 انجام شد. نتایج نشان می دهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش می یابد ولی این نرخ با افزایش غلظت TMAH در غلظت های بیشتر از 10% کاهش می یابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با µm/h62 در غلظت 10% و دمای oC 90 است. تصاویر SEM نشان می دهد که در سطح سیلیکون برآمدگی های شبیه به تپه های هرمی شکل کوچک ظاهر می شود که تعداد، شکل و نحوه توزیع آنها در روی سطح سیلیکون کاملا تصادفی است. تعداد ناهمواری با افزایش غلظت TMAH کاهش می یابد و سطح سیلیکون حکاکی شده در TMAH با غلظت های بالا، صاف تر می باشد. درضمن بیشترین مقدار نرخ زدایش در صفحه <100> نسبت به صفحه <111> برای TMAH با غلظت 10% به دست آمده است که مقدار آن 6/10 است. زدایش سیلیکون با TMAH در این غلظت کمترین زیربریدگی را دارد. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

26 - پوشش دهی فولاد با رزین آلکیدی بلند تقویت شده با نانوذرات سیلیکون کاربید به منظور ارتقای مقاومت به خوردگی
حمیده اسماعیلی ساناز نقیبی شیرین کردزنگنه

برای بهبود خواص پوشش‌های آلی می‌توان با اضافه کردن پرکننده‌هایی مانند نانو ذرات سرامیکی، پوشش را تقویت کرد. در تحقیق حاضر پوشش نانوکامپوزیتی آلی- معدنی شامل نانو ذرات سیلیکون کاربید در زمینه آلکیدی بر روی زیر‌لایه فولاد زنگ نزن L316 اعمال شده است. در این راستا از مقادیر چکیده کامل

برای بهبود خواص پوشش‌های آلی می‌توان با اضافه کردن پرکننده‌هایی مانند نانو ذرات سرامیکی، پوشش را تقویت کرد. در تحقیق حاضر پوشش نانوکامپوزیتی آلی- معدنی شامل نانو ذرات سیلیکون کاربید در زمینه آلکیدی بر روی زیر‌لایه فولاد زنگ نزن L316 اعمال شده است. در این راستا از مقادیر 1، 2 و 3 درصد وزنی نانو ذرات سیلیکون کاربید در زمینه رزین آلکیدی و به منظور تهیه نانوکامپوزیت استفاده گردید. به منظور پخش مناسب نانو ذرات در زمینه پلیمری از همزن مغناطیسی و دستگاه اولتراسونیک بهره گرفته شد. فرآیند غوطه وری نیز به عنوان روش پوشش‌دهی انتخاب گردید. برای بررسی مورفولوژی و توپوگرافی سطح پوشش از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و میکروسکوپ نیروی اتمی AFM)) استفاده شد. مقاومت به خوردگی پوشش با آزمون پلاریزاسیون تافل، طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی EIS)) و آزمون مه ‌نمکی مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج آزمون‌های خوردگی نشان داد که افزودن نانو ذرات سیلیکون کاربید در زمینه آلکیدی باعث افزایش مقاومت به خوردگی و کاهش جریان خوردگی شد و نمونه حاوی 3 درصد وزنی نانو ذرات با کاهش دانسیته جریان از6-10×20/9 به 9-10×20/2 نسبت به فولاد زنگ نزن به عنوان نمونه ی با بالاترین مقاومت به خوردگی انتخاب شد. نتایج آزمون چسبندگی پوشش با استفاده از روش کراس کات کاهش میزان جدا شدن پوشش از زیرلایه را از 9% به 4% نشان داد. ضخامت پوشش در حدود 20 میکرومتر تعیین گردید. پرونده مقاله

دسترسی آزاد مقاله

27 - اثر اعمال نانو فیلم کربن شبه الماسی بر بازدهی سلول‌های خورشیدی سیلیکونی
اکبر اسحاقی فخرالدین مجیری اسماعیل کرمی ایمان ابراهیم زاده

لایه نازک کربن شبه الماسی به علت خاصیت ضد بازتابی که دارند به منظور افزایش بازدهی سلول های خورشیدی استفاده می گردد. در این تحقیق نانو فیلم کربن شبه الماسی با ضخامت 80 نانومتر بر سلول خورشیدی سیلیکونی نوع P به روش رسوب شیمیایی از فاز بخار تقویت شده با پلاسما (PECVD) از چکیده کامل

لایه نازک کربن شبه الماسی به علت خاصیت ضد بازتابی که دارند به منظور افزایش بازدهی سلول های خورشیدی استفاده می گردد. در این تحقیق نانو فیلم کربن شبه الماسی با ضخامت 80 نانومتر بر سلول خورشیدی سیلیکونی نوع P به روش رسوب شیمیایی از فاز بخار تقویت شده با پلاسما (PECVD) از مخلوط گازهای هیدروژن و متان لایه نشانی شد. خواص اپتیکی پوشش به وسیله دستگاه بیضی سنجی وUV-VIS-NIR Recording Spectro Photometer ارزیابی شد. بازدهی سلول خورشیدی قبل و بعد از لایه نشانی به وسیله دستگاه شبیه ساز خورشیدی مورد ارزیابی قرار گرفت. نتایج نشان داد با اعمال کربن شبه الماسی بر سلول های خورشیدی سیلیکونی، بازدهی به میزان بیش از 32 درصد افزایش می یابد. پرونده مقاله

فهرست مقالات سیلیکون

سکوی نشر دانش

پیوندهای سایت

مراکز مرتبط

پشتیبانی

صفحات رسمی