ارتباط نوری با تراشه های فوتونیک سیلیکونی پسیو
محورهای موضوعی : مهندسی الکترونیک
محمد امیر قاسمی شبانکاره
1
(
دانشگاه پاسارگاد شیراز، دانشجوی کارشناسی مخابرات، شیراز
)
سارا رحیمی جوانمردی
2
(
دانشگاه علمی کاربردی صنایع مخابراتی راه دور ایران،شیراز
)
کلید واژه: جفت شدن قطعات, ساخت یک هستهای تراشه ای, ایزولاتور سیلیکونیsoi, فتونیک سیلیکونی, جفتگر موجبر, The pairing of components, Fabrication of a chip core, Soy silicon insulator, Silicon photonics, the Waveguide coupler,
چکیده مقاله :
گزارش ها در مورد ارتباط نزدیک نوری با کیفیت عالی 10 gb/s با استفاده از آینه های بازتابی و ایزولاتور از جنس سیلیکون با تلفات کم برای ارتباط بین تراشه ای می باشد. ساخت این قطعه با روشی برای کاشت یک موجبر میلهای با پهنای8µm با یک آینه یسیار انجام گرفته است که این آینه با سطح مورد نظر زاویه 54 درجه می سازد.نور در موجبر تراشه ی پایینی می تواند با موجبر در تراشه بالایی جفت شود که این روش با روبروی یکدیگر قرار دادن این تراشه ها انجام می گیردکه در این حالت آینه های بازتابی یک جفت کامل و یک مجاورت و نزدیکی نوری را به وجود می آورند. اندازه های ارتباطی بسیار سریع با تراشه هایی که در امتداد یک قطعه در ابعاد نانومتر قرار گرفت اند محقق شده و نتایج آن با یک روش که در آن تراشه های سیلیکونی به صورت یک بسته درآمده اند مقایسه شده است. روش جدید ما در ساخت هسته هایی از جنس تراشه ها بر اساس ترکیب کاشت هرمی روی سیلیکون می باشد که در آن از یک کره ی بسیار کوچک برای تنظیم دقیق تراشه استفاده می شود. یکپارجه کردن تراشه ها می تواند باعث تنظیم خود به خود بسته ها با استفاده از محل قرار گرفتن تراشه ها باشد که در ابتدا کمی ضخیم هستند. تنظیم نهایی تراشه ها در روش جدید ما با رزولوشن لیتوگرافی نوری محدود می شود.علاوه بر این آرایه های چند تراشه ای می توانند با یکدیگر در یک امتداد قرار بگیرند که دقت مشابهی با حالت قبلی خواهند داشت. داده های غیر قابل بازگشت به صفر(Nonreturn – to-zero data) به موجبرها ارسال شدند و در طول یک بسته که شامل 3 ترا شه ی به هم متصل شده و دو قطعه نوری می باشد منتقل شدند . این کار برای ارتباطات بین تراشه ای انجام گرفت. مقادیری چون تلفات پیوسته ی نوری ،دیاگرام های چشمی ،نرخ خطایبیت و خطای توان اندازه گیری شدند یک کانال نوری که بین دو تراشه به صورت پسیو تنظیم شده استبرای داشتن تلفاتِ 4dB اندازه گیری شده استکه مقدار آن1dBاز حالتی که از تراشه هایی با موقعیت مکانی در ابعاد نانو بهره می برند بیشتر است. اختلال یا اعوجاج RMS و مقادیر کمی دامنه برای کیفیت چشمی تقریباً با حالتی که کانال های OP×C با کانال های10 Gb/sمتصل می شود،برابر است. این مکانیزم برای تنظیم خود به خود تراشه ها این امکان را برای تراشه ها فراهم می کندکه از ارتباطات نزدیک در چند کلاس مختلف بهره ببرند..
Reports of close optical communication with excellent accuracy of 10 gb / s using reflective mirrors and low-loss silicon isolators for interchip communication. The construction of this piece is done with a method for planting an 8µm wide rod waveguide with a sharp mirror, which makes an angle of 54 degrees with the desired surface. Light in the waveguide of the lower chip can be paired with the waveguide in the upper chip, which is done by placing these chips facing each other, in which case the reflecting mirrors create a complete pair and a proximity and proximity of light. Very fast communication sizes have been achieved with chips placed along a nanometer-sized piece, and the results have been compared with a method in which silicon chips are bundled. Our new method of making chip cores is based on a combination of pyramid implantation on silicon, which uses a very small sphere to fine-tune the chip. Chip integration can cause the packages to adjust automatically using the location of the chips, which are a bit thick at first. The final adjustment of the chips in our new method is limited to the optical lithographic resolution. In addition, multi-chip arrays can be aligned with each other, which will have the same accuracy as before. Irreversible data (Nonreturn - to - zero data) was sent to the waveguides at zero and transmitted during a package consisting of 3 interconnected chips and two optical components. This was done for cross-chip communication. Values such as continuous optical losses, ocular diagrams, bit error rate and power error were measured. There are more places with nano-sized locations. Disturbance or distortion of RMS and small amplitude values for ocular quality are approximately equal to the case where OP × C channels are connected to 10 Gb / s channels. This mechanism for spontaneous tuning of chips allows chips to take advantage of close communications in several different classes.
