با توجه به افزایش ارتباطات ، شبکه های موبایل روز به روز در حال گسترش است و پیشرفتهای چشمگیری در این باره به وجود آمده است.در این راستا نسل اول تا چهارم موبایل به وجود آمده است.نسل دوم GSM (Global System for Mobile communications) محبوبترین سیستم تلفن موبایل در جهان است و بر اساس آخرین اخبار منتشره ،هم اکنون بیش از 500میلیون نفر در بیش از 150 کشور از این سیستم استفاده میکنند.در کشور ما نیزشبکه مورد استفاده GSM است.از طرف دیگر از آنجا که سیستم موبایل از واسط هوایی برای انتقال استفاده می کند و واسط هوایی بسیار آسیب پذیر است، امنیت شبکه اهمیت دو چندانی می یابد. . شبکه پیرامونی BTS به عنوان یک محیط تحت کنترل مورد بررسی قرار می‌گیرد، چرا که دستیابی به این بخش از شبکه به وسیله ارایه کننده‌های خدمات، کنترل می‌شود. شبکه دستیابی ( اتصال دهنده ME/MS به BTS) تنها شبکه‌ای است که یک محیط عملیاتی، مخرب محسوب می‌شود. بنابراین هدف، ایجاد امنیت در این بخش از شبکه GSM است. پرونده مقاله

گزارش ها در مورد ارتباط نزدیک نوری با کیفیت عالی 10 gb/s با استفاده از آینه های بازتابی و ایزولاتور از جنس سیلیکون با تلفات کم برای ارتباط بین تراشه ای می باشد. ساخت این قطعه با روشی برای کاشت یک موجبر میلهای با پهنای8µm با یک آینه یسیار انجام گرفته است که این آینه با سطح مورد نظر زاویه 54 درجه می سازد.نور در موجبر تراشه ی پایینی می تواند با موجبر در تراشه بالایی جفت شود که این روش با روبروی یکدیگر قرار دادن این تراشه ها انجام می گیردکه در این حالت آینه های بازتابی یک جفت کامل و یک مجاورت و نزدیکی نوری را به وجود می آورند. اندازه های ارتباطی بسیار سریع با تراشه هایی که در امتداد یک قطعه در ابعاد نانومتر قرار گرفت اند محقق شده و نتایج آن با یک روش که در آن تراشه های سیلیکونی به صورت یک بسته درآمده اند مقایسه شده است. روش جدید ما در ساخت هسته هایی از جنس تراشه ها بر اساس ترکیب کاشت هرمی روی سیلیکون می باشد که در آن از یک کره ی بسیار کوچک برای تنظیم دقیق تراشه استفاده می شود. یکپارجه کردن تراشه ها می تواند باعث تنظیم خود به خود بسته ها با استفاده از محل قرار گرفتن تراشه ها باشد که در ابتدا کمی ضخیم هستند. تنظیم نهایی تراشه ها در روش جدید ما با رزولوشن لیتوگرافی نوری محدود می شود.علاوه بر این آرایه های چند تراشه ای می توانند با یکدیگر در یک امتداد قرار بگیرند که دقت مشابهی با حالت قبلی خواهند داشت. داده های غیر قابل بازگشت به صفر(Nonreturn – to-zero data) به موجبرها ارسال شدند و در طول یک بسته که شامل 3 ترا شه ی به هم متصل شده و دو قطعه نوری می باشد منتقل شدند . این کار برای ارتباطات بین تراشه ای انجام گرفت. مقادیری چون تلفات پیوسته ی نوری ،دیاگرام های چشمی ،نرخ خطایبیت و خطای توان اندازه گیری شدند یک کانال نوری که بین دو تراشه به صورت پسیو تنظیم شده استبرای داشتن تلفاتِ 4dB اندازه گیری شده استکه مقدار آن1dBاز حالتی که از تراشه هایی با موقعیت مکانی در ابعاد نانو بهره می برند بیشتر است. اختلال یا اعوجاج RMS و مقادیر کمی دامنه برای کیفیت چشمی تقریباً با حالتی که کانال های OP×C با کانال های10 Gb/sمتصل می شود،برابر است. این مکانیزم برای تنظیم خود به خود تراشه ها این امکان را برای تراشه ها فراهم می کندکه از ارتباطات نزدیک در چند کلاس مختلف بهره ببرند.. پرونده مقاله

ارتباط تراشه ای ، شامل همبستگی کوتاه ، چند غالبی ، همبستگی تأخیر بحرانی، پیام های هم زمان سازی ، انتقال داده به صورت بلند، تک قالبی با قابلیت عبور دهی حساس؛ راندمان توان و عملکرد سیستم های چند پردازنده با تعداد هسته ی زیاد را محدود می کند. این مقاله به یک شبکه ی تراشه ای نانو فتونیک با مصرف توان پایین و عملکرد بالا که با CMOS سازگار است می پردازد؛ این مقوله Iris نامیده می شود. زیر شبکه ی Iris که بر اساس موجبر خطی بوده و از لحاظ قابلیت عبور دهی بهینه شده و از لحاظ مداری متصل شده است ،انتقال داده با قابلیت عبور دهی حساس را پشتیبانی می کند. هم چنین زیر شبکه ی Iris که بر اساس موجبر سطحی (دو وجهی)و نیز WDmکار می کند و دارای چندین غالب پهن و عریض می باشد،ترافیک تأخیر بحرانی را بهبود بخشیده و ارتباطات مداری را پشتیبانی می کند. روی هم رفته ،طرح پیشنهادی یک ارتباط تراشه ای با راندمان توان بالا ، تأخیر کم و قابلیت عبور دهی عالی را ارائه می کند. پرونده مقاله