XML
-
-
فهرست مقالات
-
دسترسی آزاد مقاله
1 - چهارچوب استخراج ویژگی سیستم تشخیص محتوای تصاویر بر اساس آنالیز تبدیل چرخشی و اطلاعات مکانی
شاهین شافعی حمید وحدتی توحید صدقی اصغر چرمینیک چارچوب جدید استخراج ویژگی برای بازیابی تصاویر ارائه میشود. این سیستم برای آنالیز تبدیل چرخشی طراحی شده است. از توصیفگرهای آماری در دامنه فرکانسی سیگنال استفاده می کند. تبدیل چرخشی توسط یک الگوریتم نیمه نظارتی محاسبه می شود که این الگوریتم بسیار ساده و موثر است. ویژگ چکیده کاملیک چارچوب جدید استخراج ویژگی برای بازیابی تصاویر ارائه میشود. این سیستم برای آنالیز تبدیل چرخشی طراحی شده است. از توصیفگرهای آماری در دامنه فرکانسی سیگنال استفاده می کند. تبدیل چرخشی توسط یک الگوریتم نیمه نظارتی محاسبه می شود که این الگوریتم بسیار ساده و موثر است. ویژگی های استخراجی انرژی و بردار نرم-1 هستند که از بخش های مختلف صفحه دو قطبی فرکانسی بدست می آید. این ویژگی های بازدهی مناسبی را به ارمغان می اورند. مضافا بر اینکه این مقاله چارچوبی جدید دیگری برای ویژگی های مکانی ارائه می دهد که منجر به افزایش مجدد درصد بازیابی در پایگاه داده تصاویر رنگی میشود. طلاعات مکان توسط ماتریس میدان نزولی بدست می آید. ترکیب معنادار ویژگی بافتی با اطلاعات طیفی منجر به ویژگی مقاوم در مقابل چرخش و مقیاس بندی میشود. نتایج آزمایشات بر روی پایگاه داده مقیاس بزرگ با 10000 تصویر، تضمین کننده کارایی سیسیتم پیشنهادی است. در بلوک بازیابی جهت اندازه گیری فاصله از فاصله کانبرا و مینکوفسکی استفاده شده است. نتایج نهایی سیستم با چند روش قبلی مقایسه میشود که در تمامی کلاسها روش پیشنهادی عملکرد مناسبی دارد که در حدود 10 درصد باعث بهبود نتایج میشود. پرونده مقاله -
دسترسی آزاد مقاله
2 - طراحی یک مقایسه کننده کم توان سرعت بالا با سطح اشغالی کم در فناوری فین فت ۶۵ نانومتری
نوید سبزواری محمدرضا یوسفی سیدمحمدعلی زنجانیدر این مقاله، یک مدار مقایسه کننده جدید کم توان و پرسرعت به کمک ترانزیستور اثر میدان باله ای (Finfet) در فناوری 65 نانومتری طراحی شده است. علاوه بر این، با استفاده صحیح از قابلیت های فناوری Finfet، تعداد ترانزیستورها کاهش یافته و درنتیجه، سطح کمتری اشغال می شود. جا چکیده کاملدر این مقاله، یک مدار مقایسه کننده جدید کم توان و پرسرعت به کمک ترانزیستور اثر میدان باله ای (Finfet) در فناوری 65 نانومتری طراحی شده است. علاوه بر این، با استفاده صحیح از قابلیت های فناوری Finfet، تعداد ترانزیستورها کاهش یافته و درنتیجه، سطح کمتری اشغال می شود. جایگزینی ترانزیستورهای MOSFET با Finfet باعث کاهش تأخیر و مصرف توان مدار شده، عملکرد کلی مدار بهبود می یابد. اولین نوآوری در طرح پیشنهادی این است که برای کاهش اندازه و مصرف توان، دو ترانزیستور حذف شده اند و گیتهای پشتی دو ترانزیستور به صورت متقاطع قرار گرفته اند. نوآوری دوم، اتصال گیتهای پشتی به نقاط مناسبی از مدار است که سرعت مقایسه را افزایش می دهد. در این مطالعه، تغذیه 0.8 ولت به مدار اعمال می شود تا نشان دهد که مدار پیشنهادی با Finfet باعث کاهش تأخیر به 272 پیکوثانیه و مصرف توان به 6.7میکرووات می شود. پرونده مقاله -
دسترسی آزاد مقاله
3 - بارزدایی بهینه جهت جلوگیری از فروپاشی ولتاژ با در نظر گرفتن ارزش گذاری فیدرها و باس ها
سمیه عبدالهی کاکرودی رضا ابراهیمی احمد احمدیامروزه، سیستم‌های قدرت با توجه به دلایل اقتصادی، در نزدیکی مرزهای پایداری بهره‌برداری می‌شوند. از طرفی دیگر، با وقوع خطا، حد پایداری شبکه دچار مشکل شده که برای جبران آن راهکارهای مختلفی وجود دارد. آخرین و مطمئن‌ترین راهکار برای کنترل و حفظ پایداری شبکه، بارزدایی می‌باشد چکیده کاملامروزه، سیستم‌های قدرت با توجه به دلایل اقتصادی، در نزدیکی مرزهای پایداری بهره‌برداری می‌شوند. از طرفی دیگر، با وقوع خطا، حد پایداری شبکه دچار مشکل شده که برای جبران آن راهکارهای مختلفی وجود دارد. آخرین و مطمئن‌ترین راهکار برای کنترل و حفظ پایداری شبکه، بارزدایی می‌باشد. در این مقاله، بارزدایی تحت ولتاژ با در نظر گرفتن وابستگی بار فیدرها به ولتاژ و همچنین استفاده از الگوریتم بهینه‌سازی ازدحام ذرات گسسته بهبودیافته (IDPSO) ارائه‌شده است. با توجه به اینکه مدل بار در تحلیل بار واقعی از اهمیت ویژه‌ای برخوردار است، اعمال تصمیمات با در نظر گرفتن وابستگی بارها به ولتاژ انجام خواهد شد. برای اطمینان از عملکرد صحیح، روش پیشنهادی با استفاده از نرم‌افزارMATLAB بر روی شبکه نمونه 30 باس IEEE با در نظر گرفتن قیود مربوطه اجراشده است. برای این منظور، دو بار حیاتی برای سیستم نمونه لحاظ شده و نتایج موردبررسی قرارگرفته است. نتایج نشان میدهد که روش پیشنهادی، بهترین پاسخ جهت مکان و مقدار بارزدایی را ارائه داده و نشان‌دهنده عملکرد مؤثر روش پیشنهادی می‌باشد. پرونده مقاله -
دسترسی آزاد مقاله
4 - آنتن چندبانده شانه ای با قطبی شدگی دایروی برای کاربردهای مخابرات بی سیم و اینترنت اشیا
رضا خواجه محمدلو توحید اریبی توحید صدقیدر این پژوهش، نمونه جدیدی از آنتن ریزنوار چندبانده با قطبی شدگی دایروی برای کاربردهای موبایل و اینترنت اشیا معرفی میشود. باندهای فرکانسی کاربردی به طور همزمان و قابل قبولی توسط آنتن اشاره شده تحت پوشش قرار میگیرند که عبارت اند از WLAN(2400 تا 2484 مگا هرتز) WiMAX (IEEE چکیده کاملدر این پژوهش، نمونه جدیدی از آنتن ریزنوار چندبانده با قطبی شدگی دایروی برای کاربردهای موبایل و اینترنت اشیا معرفی میشود. باندهای فرکانسی کاربردی به طور همزمان و قابل قبولی توسط آنتن اشاره شده تحت پوشش قرار میگیرند که عبارت اند از WLAN(2400 تا 2484 مگا هرتز) WiMAX (IEEE 802.16e) 2500 تا 2600 مگاهرتز، اینترنت اشیا (IoT) 2400 تا 2480 مگاهرتز با استاندارد IEEE 802.11.ax، WLAN(5150 تا 5825 مگا هرتز) که استاندارد IEEE802.11ac نامگذاری میگردد. فرایند طراحی آنتن برای دسترسی به باندهای فرکانسی مورد نظر به صورت مرحله به مرحله در متن مقاله اشاره شده است انجام می‌پذیرد. با استفاده از تکنیک تسهیل چرخش جریان روی آنتن، تحریک دو مود متعامد به راحتی صورت گرفته و در نتیجه قطبی شدگی دایروی محقق می شود. از سوی دیگر تقریبا در کل باندهای کاربردی مورد نظر خصیصه قطبی-شدگی دایروی محقق میشود که به عنوان یک مزیت قابل توجه برای این سیستم تشعشعشی محصوب میشود. ابعاد کلی آنتن مورد نظر 23×34×8/0میلی متر مکعب بوده که روی زیر لایه FR4 با ضریب نسبی دی الکتریک 4/4 و تانژانت تلفات 024/0 محقق میشود. به منظور تصدیق فرایند طراحی، ساختار مورد نظر ساخته شده و مورد تست و اندازه گیری قرار میگیرد. نتایج استخراج شده نشان میدهد که آنتن مورد نظر دارای الگوی تشعشعی همه جهته و بهره مناسبی در باندهای فرکانسی مورد نظر می باشد. پرونده مقاله -
دسترسی آزاد مقاله
5 - طراحی مداری گیرنده دستگاه الکتروانسفالوگرام مناسب برای کاربردهای قابل حمل
مرضیه مرادی مسعود دوستیدر سال‌های اخیر بسیاری از دستگاه‌های الکتروانسفالوگرام (EEG) قابل حمل و بی‌سیم شده اند. با توجه به الزامات تحرک و دوام، دستگاه‌های EEG نیازمند کوچکتر و سبکتر شدن، داشتن توان مصرفی پایین‌تر، به همراه کاهش نویز و آفست هستند. دامنه سیگنال EEG مقداری ضعیف بین ۲۰ تا ۲۰۰ میکر چکیده کاملدر سال‌های اخیر بسیاری از دستگاه‌های الکتروانسفالوگرام (EEG) قابل حمل و بی‌سیم شده اند. با توجه به الزامات تحرک و دوام، دستگاه‌های EEG نیازمند کوچکتر و سبکتر شدن، داشتن توان مصرفی پایین‌تر، به همراه کاهش نویز و آفست هستند. دامنه سیگنال EEG مقداری ضعیف بین ۲۰ تا ۲۰۰ میکروولت است و فرکانس سیگنال EEG از ۰.۱ تا ۱۰۰ هرتز را در بر میگیرد. علاوه بر این، رابط پوست الکترود یک ولتاژ آفست DC بزرگ در حدود 300± میلی ولت ایجاد می‌کند. این دو چالش می‌توانند سیگنال اصلی را برهم بزنند و دقت تشخیص را کاهش بدهند. در ورودی بخش تقویتکننده بسیاری از مدارهای EEG از تکنیک چاپر که با آن آفست و نویز 1/f مدوله می‌شوند، بنابراین دقت بالا، آفست میکروولت و نویز کم 1/f را می‌توان به‌دست آورد. تقویتکننده اصلی ترارسانا به عنوان تقویتکننده (IA) در بیشتر کارهای قبلی تقویتکننده کاسکد تاشده است. در این مقاله طرح ارائه شده با نوآوری در بخش تقویتکننده و استفاده از مدار مناسب برای بخش مدولاتور دوعامل کاهش توان مصرفی و نویز را به صورت همزمان ایجاد کرده است. مدار در تکنولوژی 0.18 μm CMOS طراحی شده و در شبیه‌سازی پساجانمایی تقویتکننده به بهره باند میانی dB60 و پهنای باندdB 3- در محدوده ۰٫۱ تا ۲۱0 هرتز دست می‌یابد. مساحت تراشه مدار با پایه‌ها 512×512 میکرومتر مربع است. LPF قابل تنظیم دارای فرکانس قطع ۱۰۰ هرتز است. مدار پیشنهادی دارای نویز ارجاعی ورودیµVrms ۰٫75 (۰٫۱~۱۰۰هرتز) و مصرف توانnW 760 با تغذیه 1 ولت می‌باشد. پرونده مقاله -
دسترسی آزاد مقاله
6 - طراحی تقویت کننده یک طبقه توان بالا و فرکانس بالا در کلاس F با دو ترانزیستور موازیGaN برای کاربردهای 2.5GHz
باقر ذبیحی پیمان علیپرست ناصر نصیرزادهدر این مقاله یک تقویتکننده توان فرکانس بالا در کلاس F مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه(MMIC)طراحی شده است. برای این طرح از پروسه گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت 150 نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویتکننده 2/5 گیگا هرتز چکیده کاملدر این مقاله یک تقویتکننده توان فرکانس بالا در کلاس F مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه(MMIC)طراحی شده است. برای این طرح از پروسه گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت 150 نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویتکننده 2/5 گیگا هرتز است. بیشترین گین توان تقویتکننده مورد نظر تقریبا برابر با dB12/76 است و در یک طبقه طراحی شده است. در فرکانس مورد نظر بیشترین توان خروجی تقویت کننده توان حدود dBm39/196 در توان ورودی dBm30 است. در بیشترین توان خروجی ، PAE حدود 41/25% است که بیشترین مقدار خود را دارد. مساحت نهایی مدار برای جاسازی بر روی تراشه 25/903 میلیمتر در19/346 میلیمتر است. بیشترین مقدارAM/PM و AM/AM به ترتیب برابر dB/deg2/38 و dB/dB1/66 است. برای تقویتکننده اعوجاج تداخلی هارمونیک سوم (IMD3) حدود dBc-20 در فرکانس مرکزی است. برای طراحی این تقویتکننده از تحلیل Loadpull نرم افزار ADS برای بدست آوردن توان خروجی مناسب استفاده شده است. پرونده مقاله
-
حقوق این وب‌سایت متعلق به سامانه مدیریت نشریات دانشگاه آزاد اسلامی است.
حق نشر © 1403-1400