در این مقاله ، یک دیود تونل زنی تشدید با
ساختار سد مضاعف AlAs / GaAs با استفاده از عملکرد سبز غیر تعادلی شبیه سازی شده است. یک
لایه جذب InGaAs منطبق شده برای تشخیص نور در طول موج λ = 600
نانومتر به دستگاه اضافه می شود . میدان الکتریکی از طریق دستگاه و مشخصات نمودار باند انرژی ارائه شده است.
جریان عکس دستگاه و منحنی های جریان جریان منبع در مقابل شدت نور
مقایسه می شوند . در دمای اتاق ، بازده کوانتومی 95/0 برای
دستگاه بدست آمد . پاسخ زمان گذرا دستگاه به دست آمد و وابستگی آن به
پارامترهای ساختاری (ضخامت لایه جذب ، ضخامت کلکتور و انتشار دهنده و
دوپینگ مخاطبین) ، شدت نور ، زاویه نور ساطع شده و سوگیری ولتاژ
شبیه سازی شده و تأثیر آنها بر عملکرد دستگاه مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. پهنای باند
دستگاه به دست آمد. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که وقتی بایاس ولتاژ افزایش یابد ،
زمان افتادن کاهش می یابد و پاسخ دستگاه سریعتر است. با تغییر ضخامت
لایه جذب و مخاطب ، پاسخ زمان RTD-PD تغییر می کند. تغییرات
دوپینگ در لایه های تماس بر روی پهنای باند تأثیر می گذارد. نتیجه نشان می دهد که تغییرات
شدت نور و زاویه نور ساطع شده ، پاسخ زمان گذرا را تغییر می دهند. تفاصيل المقالة

Abstract: In this study, the effects of variation of thickness and the number of quantum
wells as well as the contact length were investigated. In this paper, a vertical cavity surface
emitting laser was simulated using of software based on finite element method. The
number of quantum wells was changed from 3 to 9 and the results which are related to
output power, resonance wavelength and threshold current were extracted. Output
specifications in terms of quantum wells thicknesses of 3.5nm to 9.5nm were evaluated.
Contact thickness is also changed from 0.5μm to 3μm. Results showed that as the number
of quantum wells increased, the resonance wavelength also increased and photon energy
decreased. By reducing the thickness of the quantum well, the threshold current and
radiation wavelength were also decreased. By increasing the contact length, threshold
current and output power increased. Temperature inside the network and density of
photon were increased as the contact length increased تفاصيل المقالة