در عصر جدید تکنولوژی، آنتن با نمایه مجذور کسکانت، نقش مهمی در کاربردهای راداری ایفا می کند که می توان به کاربرد آنها برای پوشش یک منطقه هوایی جهت جسـتجوی اهـداف و تخمین ارتفاع آنها اشاره کرد. در این مقاله روشی جهت سنتز نمایه مجذور کسکانت با استفاده از آنتن موج نشتی ارا چکیده کامل
در عصر جدید تکنولوژی، آنتن با نمایه مجذور کسکانت، نقش مهمی در کاربردهای راداری ایفا می کند که می توان به کاربرد آنها برای پوشش یک منطقه هوایی جهت جسـتجوی اهـداف و تخمین ارتفاع آنها اشاره کرد. در این مقاله روشی جهت سنتز نمایه مجذور کسکانت با استفاده از آنتن موج نشتی ارائه شده است. آنتن های موج نشتی گونهای از آنتنها هستند که مکانیسم اصلی آنها تضعیف موج با نشت توان همزمان با انتشار موج در طول ساختار است؛ لذا با کنترل ثابت نشت و ثابت فاز در طول ساختار می توان به سنتز نمایه های تشعشعی موردنظر رسید. در این پژوهش از الگوریتم ژنتیک جهت بهینهسازی ثابت نشت جهت دستیابی به نمایه مجذور کسکانت در محدوده ۱۰ تا ۳۰ درجه استفاده شده است. تطابق در نتایج شبیهسازی و نتایج اندازهگیری شده بیانگر دقت در روند طراحی است. روش پیشنهادی، نمایه موردنظر را با ریپل کمتر از 2 دسیبل در ناحیه تعیین شده و گلبرگ های کناری کمتر از 18- دسیبل به دست می آورد که آنتن را برای کاربردهای راداری مناسب می سازد.
پرونده مقاله
در یک دهه اخیر مدارهای مجتمع نوری مانند مدولاتورها، پیشرفت چشم گیری در زمینههای مختلف مانند مخابرات نوری، تصویربرداری و سنسور داشتهاند. از میان مواد فعال مورد استفاده در مدولاتورها، گرافن و اکسید قلع آلاییده با ایندیم (ITO) به‎سبب ویژگی اپسیلون نزدیک به صفر (ENZ)، چکیده کامل
در یک دهه اخیر مدارهای مجتمع نوری مانند مدولاتورها، پیشرفت چشم گیری در زمینههای مختلف مانند مخابرات نوری، تصویربرداری و سنسور داشتهاند. از میان مواد فعال مورد استفاده در مدولاتورها، گرافن و اکسید قلع آلاییده با ایندیم (ITO) به‎سبب ویژگی اپسیلون نزدیک به صفر (ENZ)، سرعت و پاسخ‎دهی قابل توجه که دارند، یکی از گزینههای مناسب در بین مواد فعال برای عمل مدولاسیون است. در این مقاله، با اعمال تزویج مستقیم نور به طراحی ساختار مدولاتور پلاسمونیکی در حالت سه بعدی پرداخته شده است. با تغییرات ضخامت لایههای ITO، اکسید هافنیوم (HfO2) و عرض موج بر ساختار بهینه شده که ضخامتهای بهینه 3 نانومتر برای لایه ITO، 5 نانومتر برای HfO2 و 280 نانومتر برای عرض موج بر به دست آمده است. نتایج شبیه‎سازیهای سه بعدی این مقاله همراه با تزویج مناسب نشان داده شده که تلفات الحاقی در حالت سه بعدی نسبت به دو بعدی تغییر پیدا نکرده و پارامتر نسبت خاموشی مدولاتور اندکی کاهش یافته است. از سویی تزویج مناسب و بهینه، تاثیری در انرژی مصرفی نداشته است. نتایج شبیه‎سازیهای سه بعدی نشان دهنده این است که مدولاتور پلاسمونیکی میتواند برای طول 1 میکرومتر مدولاتور، در ولتاژ 5/0 ولت و طول موج 55/1 میکرومتر به نسبت تمایز 9/13 دسیبل، تلفات الحاقی 9/2 دسیبل، سرعت مدولاسیون 9/140 گیگاهرتز و مصرف انرژی بسیار کم 5/1 فمتو ژول بر بیت دست پیدا کند و نشان دهنده کاهش قابل توجه در مصرف انرژی و بهبود نسبت تمایز نسبت به مدولاتورهای مشابه پیشین است. همچنین در طول 2 میکرومتر مدولاتور، نسبت تمایز 76/27 دسیبل، تلفات الحاقی 68/5 دسیبل، سرعت مدولاسیون 14/70 گیگاهرتز و مصرف انرژی برابر با 88/2 فمتو ژول بر بیت به دست آمده است.
پرونده مقاله
یکی از پیشرفت های مهم سال های اخیر در دستگاه رامان، تلفیق آن با میکروسکوپ پروب روبشی (SPM) به خصوص میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) بوده است. میکروسکوپ نیروی اتمی در حال حاضر به عنوان یکی از بـهترین روش های تصویر برداری برای مطالعه توزیع ناهمگون سطح در ابعاد نانو شناخته می چکیده کامل
یکی از پیشرفت های مهم سال های اخیر در دستگاه رامان، تلفیق آن با میکروسکوپ پروب روبشی (SPM) به خصوص میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) بوده است. میکروسکوپ نیروی اتمی در حال حاضر به عنوان یکی از بـهترین روش های تصویر برداری برای مطالعه توزیع ناهمگون سطح در ابعاد نانو شناخته می شود. در سال های اخیر دانشمندان بر روی به دست آوردن فاکتور تقویت میدان الکتریکی بیشتر متمرکز شده اند تا آنجا که آشکارسازی و نقشه برداری از یک مولکول تنها با این روش امکان پذیر شده است. در نتیجه رزولوشن فضایی جهـت تشخیص در مقیاس زیر مولکول در حال بهـبود است. در این مقاله با استفاده از روش محاسباتی تفاضلی محدود در حوزه زمان (FDTD) اثر تغییر پارامترهای پروب مثل زاویه مخروط، شعاع تیپ و جنس آن بر میزان شدت میدان الکتریکی نزدیک به نوک پروب مورد بررسی قرار گرفته است. در نهایت پس از یافتن بهترین ساختار تیپ و نوع پلاریزاسیون نور تابشی، اثر استفاده از زیر لایه در سیستم طیف سنجی رامان تقویت شده سوزنی (TERS) پیشنهادی بررسی شده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد که با توجه به ابعاد تیپ انتخاب شده از بین زاویه های مخروط بررسی شده زاویه مخروط 30 درجه بیشترین میزان تقویت میدان الکتریکی در نوک تیپ را ایجاد می کند. همچنین به کار بردن منبع نور تابشی با پلاریزاسیون دایره ای و استفاده از زیرلایه از عوامل بسیار موثر جهت بهبود فاکتور تقویت میدان الکتریکی هستند. در انتها برای ساختار طراحی شده ماکزیمم مقدار فاکـتور تقویت میدان الـکـتریکی 104×2/3 به دست آمده است، که این مقدار در مقایسه با نتایج گزارش شده در مطالعات قبلی بهبود قابل توجه داشته است.
پرونده مقاله