و ساخت یک مقسم توان با استفاده از تکنولوژی موجبر مجتمع شده در زیر لایه با قابلیت کنترل توان های خروجی ارائهشده است. طراحی بر اساس مقسم توان موجبری در صفحه H انجامشده است که در آن از موجبر مجتمع شده در زیر لایه بهجای موجبر مستطیلی استفاده میشود. درنتیجه مقسم توان چکیده کامل
و ساخت یک مقسم توان با استفاده از تکنولوژی موجبر مجتمع شده در زیر لایه با قابلیت کنترل توان های خروجی ارائهشده است. طراحی بر اساس مقسم توان موجبری در صفحه H انجامشده است که در آن از موجبر مجتمع شده در زیر لایه بهجای موجبر مستطیلی استفاده میشود. درنتیجه مقسم توان ساخته شده دارای ابعاد کوچک و قیمت ارزان و همچنین سازگار با ساختارهای مسطح ماکروویوی است. کنترل توان های خروجی با استفاده از جداکننده صورت میگیرد. در موجبر مجتمع شده در زیر لایه قسمت جداکننده توسط مجموعهای از سوراخهای متالیزه شده ساختهشده است. تغییر موقعیت جداکننده موجب تغییر انتقال توان به خروجی ها میشود. تطبیق امپدانسی و تطبیق مد انتشار بین موجبر مجتمع شده در زیر لایه و خطوط مایکرواستریپ ورودی و خروجی توسط قسمت انتقالی صورت میگیرد. دو مقسم توان یکی با خروجی های یکسان و دیگری با خروجی های متفاوت بر اساس نتایج شبیهسازی ساخته شدند. نتایج اندازهگیری طراحیهای انجامشده را تائید می کنند. پهنای باند امپدانسی هر دو مقسم توان ساختهشده وسیع است؛ و تفاوت توان های خروجی در پهنای باند وسیعی دیده میشود. بر اساس نتایج اندازهگیری پهنای باند مقسم های توان با خروجی های یکسان و متفاوت به ترتیب 4/3 گیگاهرتز و 2 گیگاهرتز است. علاوه بر این تحلیل پارامتری مقسم توان جهت تعیین اثر ابعاد مختلف آن روی مشخصات الکتریکی انجامشده است.
پرونده مقاله
در این مقاله ساختار جدید و فشرده ای از آنتن یک جهته که از یک دوقطبی الکتریکی صفحه ای و یک المان اتصال کوتاه شده تشکیل شده، معرفی میشود. این آنتن توسط یک خط تغذیه Γ شکل تحریک می گردد. پهنای باند امپدانسی عریضی در بازه فرکانسی 3/1 گیگاهرتز تا 3 گیگاهرتز در عملکرد خ چکیده کامل
در این مقاله ساختار جدید و فشرده ای از آنتن یک جهته که از یک دوقطبی الکتریکی صفحه ای و یک المان اتصال کوتاه شده تشکیل شده، معرفی میشود. این آنتن توسط یک خط تغذیه Γ شکل تحریک می گردد. پهنای باند امپدانسی عریضی در بازه فرکانسی 3/1 گیگاهرتز تا 3 گیگاهرتز در عملکرد خروجی این آنتن مشاهده میشود. الگوهای تشعشعی پایه دار با سطح گلبرگ اصلی بالا و سطح گلبرگ فرعی و پشتی کم از خصایص دیگر آنتن معرفی شده اند. فرایند طراحی آنتن به صورت پله به پله و پارامتریک بر مبنای مقادیر کلیدی هندسه آنتن صورت پذیرفته است. خصیصه اصلی آنتن مورد نظر، تحقق قطبش دایروی در درصد بالایی از پهنای باند کاربردی است. الگوهای تشعشعی صفحات متعامد E و H همراه با الگوهای قطبش دایروی چپگرد و راستگرد برای آنتن مورد نظر استخراج شده و مورد تحلیل قرار گرفته است. شباهت زیادی میان الگوی صفحه ایE و H وجود دارد که نشان دهنده دقت فرایند طراحی است. از سوی دیگر برای مطالعه حالت قطبش دایروی، نمودارهای چپگرد و راستگرد بر مبنای جهت بیم اصلی و سطح قطبش متعامد دارای عملکرد قابل قبولی هستند. بیشینه بهره کلی آنتن در باند فرکانس طراحی شده نزدیک 10 دسیبل است.
پرونده مقاله