فهرست مقالات محسن صفوی

• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  1 - استفاده از مدل کراس کوپل شده به‌منظور طراحی خازن منفی در فناوری CMOS
  محسن کاتبي جهرمي محسن صفوی
  در این مقاله از مدل کراس کوپل شده به‌منظور طراحی خازن منفی در فناوری CMOS استفاده شده و در ادامه به بررسی و مطالعه خازن منفی و کاربرد آن در مدارات گوناگون پرداخته شده است. مدار پیشنهادی در نرم‌افزار کیدنس با استفاده از فناوری 180 نانومتری به‌وسیله یک خازن 5 پیکو فاراد ت چکیده کامل

  در این مقاله از مدل کراس کوپل شده به‌منظور طراحی خازن منفی در فناوری CMOS استفاده شده و در ادامه به بررسی و مطالعه خازن منفی و کاربرد آن در مدارات گوناگون پرداخته شده است. مدار پیشنهادی در نرم‌افزار کیدنس با استفاده از فناوری 180 نانومتری به‌وسیله یک خازن 5 پیکو فاراد ترسیم گردیده است که اندازه تراشه با در نظر گرفتن خازن 5 پیکو فاراد برابر 80/152 میکرومتر در 40/61 میکرومتر می‌باشد. اندازه تراشه بدون خازن 32 میکرومتر در 40/61 میکرومتر است. در مرحله دوم، مدار پیشنهادی در نرم‌افزار ADS شبیه‌سازی شده و پاسخ فرکانسی و توان مصرفی آن بررسی شده است. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که با خازن بار 5 پیکوفاراد تا فرکانس 500 مگاهرتز، خازن منفی در بازه 5/1- تا 20- پیکوفاراد ایجاد شده که توان مصرفی آن با منبع تغذیه 8/1 ولت در حدودmW 5/3 است. محدوده فرکانسی خازن منفی وسیع و مصرف توان نسبتاً پایین و ضریب کیفیت مناسب از مزیت‌های مدل پیشنهادی است. پرونده مقاله