• صفحه اصلی
  • Anisotropic and Isotropic Elasticity Applied for the Study of Elastic Fields Generated by Interfacial Dislocations in a Heterostructure of InAs/(001)GaAs Semiconductors

اشتراک گذاری

آدرس مقاله


کد مقاله : JSM-2101-1672 (R1) بازدید : 252 صفحه: 503 - 512

10.22034/jsm.2021.1920891.1672

20.1001.1.20083505.2021.13.4.7.6

نوع مقاله: پژوهشی