در سال های اخیر رمز ارزها به عنوان ارزهای دیجیتال که از مکانیسم اجماع غیرمتمرکز برای تراکنش ها استفاده می کنند، بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. بهینه سازی پیاده سازی الگوریتم های در هم ساز مورد استفاده در کاربردهای بلاکچین به منظور بهبود سرعت و توان مصرفی بسیار حائز اهمیت است. در این مقاله الگوریتم در هم ساز BLAKE2b از بین الگوریتم های موجود انتخاب و بهینه سازی سخت افزاری آن مورد بررسی قرار گرفت. بهینه سازی تابع فشرده- ساز(F) این الگوریتم به عنوان اصلی ترین و چالش برانگیزترین بلوک الگوریتم در این مقاله انجام شده است. علاوه بر این با تقسیم هوشمندانه الگوریتم بین نرم افزار/سخت افزار تلاش برای افزایش سرعت و نیز کاهش تعداد منابع مصرفی شده است. برای مقایسه، پیاده سازی با روش های طراحی سطح بالا و همینطور روش ساختار موازی نیز انجام شد. هر سه روش طراحی شده با استفاده از نرم افزار Vivado با برد توسعه ZC706 پیاده سازی شدند. نتایج نشان می دهد که تعداد منابع مصرفی (FF/LUT) و توان مصرفی روش پیشنهاد شده به ترتیب برابر )6575/4726( و(W) 316/0 است که کاهش قابل توجهی در مقایسه با سایر روش ها ایجاد کرده است. همینطور سرعت انجام در هم سازی و انرژی بر واحد تعداد در هم سازی انجام شده برای ساختار پیشنهادی به ترتیب برابر MHash/s 50 و 3/6 است. Manuscript profile

ترانزیستور‌های اثر میدان (فین‌فت) به دلیل توانایی بالقوه در کنترل اثرات کانال کوتاه، جریان نشتی، تاخیر انتشار و اتلاف توان، جایگزین مناسبی برای ترانزیستور‌های معمولی فلزی-اکسید-نیمه هادی (ماسفت) می‌باشند. با توجه به اینکه حافظه‌های ایستا با دستیابی تصادفی، بیشترین فضای پردازنده‌های پیشرفته را اشغال می‌کنند، لذا عمده مصرف توان این پردازنده‌ها به این حافظه‌ها اختصاص می‌یابد. در سلول حافظه ایستا 6 ترانزیستوری رایج، هنگام خواندن و نوشتن، خازن‌های مربوط به خطوط بیت هردو باید بارگیری و تخلیه شوند. بنابراین قسمت عمده‌ای از مصرف توان، مربوط به این ساز‌و‌کار می‌باشد. در این تحقیق یک سلول حافظه 7 ترانزیستوری با استفاده از ترانزیستورهای فین‌فت با قابلیت نوشتن با استفاده از یکی از خطوط بیت پیشنهاد شده‌است. نتایج شیبه‌سازی با استفاده از نرم‌افزار اچ‌اس‌پایس و در فناوری 32 نانومتر نشان می‌دهد که مصرف توان این سلول در هنگام نوشتن زمانی که در سلول مقدار "0" ذخیره شده‌است، حداکثر به میزان %6/98 و هنگامی که در سلول مقدار "1" وجود دارد، به میزان %8/99 کاهش داشته‌است. همچنین میزان حاشیه امنیت در برابر نویز در حالت‌های آماده‌به‌کار و خواندن سلول به ترتیب برابر با 2025/0 و 2011/0 ولت می‌باشد. Manuscript profile