در این مقاله به منظور تضعیف اغتشاش در سیستم تک ماشینه متصل به شین بینهایت یک جبرانکننده سنکرون استاتیکی توسط الگوریتم پسگام مقاوم بهبودیافته مبتنی بر رویکرد بهینهسازی ازدحام ذرات پیشنهاد شده است. در رویکرد پیشنهادی از روش پسگام تطبیقی برای ایجاد تابع ذخیرهسازی جهت چکیده کامل
در این مقاله به منظور تضعیف اغتشاش در سیستم تک ماشینه متصل به شین بینهایت یک جبرانکننده سنکرون استاتیکی توسط الگوریتم پسگام مقاوم بهبودیافته مبتنی بر رویکرد بهینهسازی ازدحام ذرات پیشنهاد شده است. در رویکرد پیشنهادی از روش پسگام تطبیقی برای ایجاد تابع ذخیرهسازی جهت تضعیف اغتشاش داخلی و خارجی استفاده میگردد. همچنین یک کنترلکننده غیرخطی با ویژگی حذف تداخل و بروزرسانی قانون جایگزینی پارامترهای غیرخطی بطور همزمان بکارگرفته میشود. در این تحقیق، به منظور حفظ ویژگی غیر خطی، تخمین بلادرنگ پارامترهای نامعین، حصول اطمینان از مقاوم بودن و عدم حساسیت کنترلکننده نسبت به اغتشاش سیگنال بزرگ در سیستم STATCOM، روش کنترل مد لغزشی پسگام تطبیقی در بخش طراحی جبرانساز خطا اعمال شده است. لازم به ذکر است که کنترلکننده پیشنهادی دارای تعداد زیادی پارامترهای طراحی است که بر روی کارآیی و عملکرد آن تاثیرگذارند. بنابراین، در اینجا رویکرد بهینهسازی ازدحام ذرات به منظور تعیین پارامترهای طراحی براساس تابع هزینه انتگرال قدرمطلق خطا استفاده شده است. در نهایت، نتایج شبیهسازی صورت گرفته توسط نرمافزار MATLAB، موید کارآیی بهتر روش کنترل مد لغزشی پسگام تطبیقی بهینه پیشنهادی از نظر سرعت انطباقپذیری و پاسخ سیستم STATCOM نسبت به رویکرد پسگام تطبیقی متداول و کنترل مد لغزشی پسگام تطبیقی معمولی است.
پرونده مقاله
گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است چکیده کامل
گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم، جریان نشتی پایین و سوئینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم (Vdd = 0.5 V) می باشد. چندین مدار XOR به طور کامل با استفاده از HSPICE با تکنولوژی های 32nm CMOS و 32nm CNTFET در یک ولتاژ تغذیه کم شبیه سازی شده اند. مدار XOR پیشنهادی با مدارهای قبلاً شناخته شده مقایسه شده و عملکرد ممتاز آن نشان داده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهند که XOR ولتاژ پایین جدید، تلفات توان کمتر، جریان نشتی کمتر و PDP کوچکتری در مقایسه با سایر مدارات XOR قبلی دارد و نسبت به تغییرات پروسه مقاوم میباشد. براساس نتایج بدست آمده در ولتاژ تغذیه 0/5 ولت، فرکانس 250 مگا هرتز و خازن بار 3/5 فمتو فاراد، XOR پیشنهادی تاخیر انتشار برابر 149/05 پیکوثانیه، توان مصرفی 716/72 پیکو وات، توان نشتی 1/25 پیکو وات و PDP برابر 21-10×10/683 ژول از خود نشان میدهد. XOR پیشنهادی می تواند به خوبی در مدارات جمع کننده ولتاژ پایین و توان پایین استفاده شود.
پرونده مقاله
در این پژوهش، یک تقویت کننده توان دوهرتی متقارن در فرکانس 2.14GHz با بازدهی توان بالا و توان خروجی 20 وات طراحی و شبیه سازی شده است. این تقویت کننده توان برای استفاده در قسمت بلوک تقویت کننده توان یک فرستنده مخابرات بی سیم WCDMA ارائه شده است. این تقویت کننده توان از دو چکیده کامل
در این پژوهش، یک تقویت کننده توان دوهرتی متقارن در فرکانس 2.14GHz با بازدهی توان بالا و توان خروجی 20 وات طراحی و شبیه سازی شده است. این تقویت کننده توان برای استفاده در قسمت بلوک تقویت کننده توان یک فرستنده مخابرات بی سیم WCDMA ارائه شده است. این تقویت کننده توان از دو تقویت کننده تشکیل شده است. تقویت کننده توان اصلی که در کلاس AB و تقویت کننده توان کمکی که در کلاس C طراحی شده اند. برای تقسیم توان بین هر دو تقویت کننده بصورت مساوی از یک مقسم توان ویلکینسون متقارن استفاده شده است. در نهایت با استفاده از روش مدولاسیون بار یک ترکیب کننده مناسب توان برای ترکیب مناسب خروجی دو تقویت کننده، طراحی و شبیه سازی شده است. با استفاده از ترانزیستور MRFG351010 بعنوان یک قطعه فعال با تکنولوژی GaAs-pHEMT حداکثر توان خروجی 20 وات در حداکثر بازدهی 65.46% و بهره توانی 8.56dB حاصل شده است. حداکثر توان خروجی و حداکثر بازدهی تقویت کننده توان، در ناحیه اشباع ترانزیستور با 6dB(OBO) به ترتیب برابر با 36dBm و 25.3% بدست آمده است.
پرونده مقاله
کنترل میزان تزریق انسولین در بیماران دیابتی که مجهز به پمپ انسولین میباشند چالشهای بسیاری را برای محققین ایجاد نموده است. وجود نامعینیهای متعدد که ناشی از تفاوتهای فیزیولوژیکی در اشخاص متفاوت میباشد به همراه فعالیتهای گوناگونی که هر شخص ممکن است در طول روز انجام د چکیده کامل
کنترل میزان تزریق انسولین در بیماران دیابتی که مجهز به پمپ انسولین میباشند چالشهای بسیاری را برای محققین ایجاد نموده است. وجود نامعینیهای متعدد که ناشی از تفاوتهای فیزیولوژیکی در اشخاص متفاوت میباشد به همراه فعالیتهای گوناگونی که هر شخص ممکن است در طول روز انجام دهد میتواند چالشهای تزریق مناسب انسولین را به بدن بیشتر نماید. علاوه بر این، اثرگذاری با تاخیر ورود کربوهیدرات در میزان قند خون بدن، کنترل انسولین را پیچیدهتر کرده و ممکن است باعث شرایط خطرناک هایپرگلیسمی و یا هیپوگلیسمی شود. در این مقاله جهت کم اثر کردن نامعینیهای ذاتی در مدل بیمار (مبتنی بر مدل ریاضی هورکا)، کنترلکنندههای فازی نوع 2 عمومی با برشهای آلفا پیشنهاد شده و برای پیشبینی میزان قند خون در ساعتهای بعدی از یک سیستم شبکه عصبی به همراه یک مدل رگرسیون خطی استفاده گردیده است. برای تنظیم بعضی از پارامترهای کنترلکننده نیز الگوریتم ژنتیک استفاده شده است. برای بررسی اثر بخشی کنترلکننده، اختلالهای متعددی در مدل و ورود کربوهیدرات در سیستم حلقه بسته در نظر گرفته شده است. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که کنترلکننده طراحی شده میتواند در شرایط متفاوت علاوه بر کنترل قند خون از بروز دو حالت خطرناک هایپرگلیسمی و هیپوگلیسمی جلوگیری نماید.
پرونده مقاله
چکیده: دیدگاهها و روشهای متداول برای تخمین دمای داخلی باتری از مدلهای عددی الکتریکی- حرارتی استفاده میکنند که در آنها نیاز به حسگر دما ضروری است. به منظور تضمین استفاده ایمن و درست از باتریهای لیتیوم- یون در طول عمل، برآورد دقیق از درجه حرارت باتری از اهمیت ویژه&lr چکیده کامل
چکیده: دیدگاهها و روشهای متداول برای تخمین دمای داخلی باتری از مدلهای عددی الکتریکی- حرارتی استفاده میکنند که در آنها نیاز به حسگر دما ضروری است. به منظور تضمین استفاده ایمن و درست از باتریهای لیتیوم- یون در طول عمل، برآورد دقیق از درجه حرارت باتری از اهمیت ویژه‎ای برخوردار است. در این مقاله روشی برای تخمین دمای هسته سلول باتری و سطح باتری با استفاده از یک مدل حرارتی کوپل شده با مدل امپدانس الکتریکی بدون اندازهگیری مستقیم دمای سطح ارائه میشود. بدین منظور یک فیلتر کالمن دو بعدی توسعه یافته (DEKF) متشکل از یک مدل حرارتی مرتبه کاهش یافته به همراه اندازهگیری جریان، ولتاژ و امپدانس می تواند با دقت زیادی دمای هسته سلول و سطح باتری را تخمین بزند. کارایی این روش از طریق آزمایش بر روی یک سلول 2.3 آمپر- ساعتی یون لیتیومی شامل فسفات آهن با ترموکوپل های سطح و هسته نشان داده شده است.
پرونده مقاله
مدیریت ارتباط پروتکل TCP مستعد یک حملهی کلاسیک می باشد که SYN-flooding نام دارد. در این حمله، مبدأ تعداد زیادی از سگمنتهای SYN را به طعمه می فرستد بدون اینکه گام سوم از الگوریتم دست تکانی سه مرحله ای را کامل نماید. این امر سبب میشود منابع اختصاص یافته برای برقراری ار چکیده کامل
مدیریت ارتباط پروتکل TCP مستعد یک حملهی کلاسیک می باشد که SYN-flooding نام دارد. در این حمله، مبدأ تعداد زیادی از سگمنتهای SYN را به طعمه می فرستد بدون اینکه گام سوم از الگوریتم دست تکانی سه مرحله ای را کامل نماید. این امر سبب میشود منابع اختصاص یافته برای برقراری ارتباط در سیستم تحت حمله و پهنای باند شبکه به سرعت مصرف شود و در نتیجه از ادامهی فعالیت باز بماند و درگیر رسیدگی به تقاضاهای بی مورد شود. این مقاله سیستم تحت حمله را با استفاده از تئوری صف بندی مدلسازی کرده و مسأله ی دفاع در برابر حملات SYN-flooding را به یک مسألهی بهینه سازی نگاشت میدهد. سپس با استفاده از ترکیب فیلتر موثر انطباقی و الگوریتم PSO روش پیشنهادی خود را ارائه کرده و به حل این مسأله می پردازد. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که مکانیزم دفاعی پیشنهادی از نظر میزان درخواست های بلوکه شده، احتمال موفقیت در برقراری ارتباط، احتمال موفقیت حمله کننده و همچنین استفاده ی بهینه از بافر اختصاص داده شده دارای کارائی قابل ملاحظهای می باشد.
پرونده مقاله