low noise

حرية الوصول المقاله

1 - طراحی یک تقویت کننده کم نویزوتوان پایین برای استاندارد سیستم موقعیت یاب جهانی (GPS) بر مبنای شبیه سازی و روابط ریاضی
مژگان جواهرنیا ساحل جواهرنیا

10.30495/jce.2023.1981190.1194

امروزه یکی از مسائل مهم در سیستم‌های مخابرات سیار، داشتن عمر بالای باتری است. از این رو مسئله توان مصرفی، به عنوان یکی از چالش ها در عرصه طراحی مدارات فرکانس بالا نمایان است. در یک گیرنده فرکانس بالا بدلیل قرار گیری تقویت کننده کم نویز در طبقه اول گیرنده، این تقویت کنند أکثر

امروزه یکی از مسائل مهم در سیستم‌های مخابرات سیار، داشتن عمر بالای باتری است. از این رو مسئله توان مصرفی، به عنوان یکی از چالش ها در عرصه طراحی مدارات فرکانس بالا نمایان است. در یک گیرنده فرکانس بالا بدلیل قرار گیری تقویت کننده کم نویز در طبقه اول گیرنده، این تقویت کننده اهمیت بسیار بالایی برای تعیین خطینگی و نویز در کل گیرنده دارد. در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز برای استاندارد سیستم موقعیت یاب جهانی (GPS) طراحی شده است که نسبت به کارهای گذشته نویز تقویت کننده به نحوی کاهش داده شده و همچنین توان مصرفی آن به حداقل قدار خود رسیده است. روش کار به این صورت است که در تقویت کننده های سورس مشترک پایه سورس آنها با یک سلف وصل شده که نتیجتاً منجر به بهبود نویز مدار می‌شود. اما سلف استفاده شده باعث اشغال سطح تراشه می‌شود. از این رو در این مقاله از وجود سلف در wire-bond استفاده شده و نویز تقویت کننده کاهش یافته و همچنین سطح اشغالی تراشه بزرگ نشده است. گین، NF و همچنین امپدانس ورودی تقویت کننده پیشنهادی در بهترین حالت و بدترین حالت در گوشه های FF و SS محاسبه شده اند که ملاحظه می‌شود در این مقاله در مقایسه با کارهای قبلی نتایج بسیار مطلوبی به دست آمده است. تفاصيل المقالة

حرية الوصول المقاله

2 - تقویت کنندۀ کم نویز با بار القایی فعالCMOS
بابک غلامی شهریار بازیاری خشایار بازیاری

در این مقاله یک تقویت کنندۀ کم نویز CMOS گیت مشترک با بار القایی فعال ارائه شده است. برای مقادیر بزرگ اندوکتانس ، یک القاگر غیر فعال روی تراشه نیازمند مساحت قابل ملاحظه ایی از تراشه می باشد و ضریب کیفیت آن محدود می باشد. وضعیتی که می تواند به صورت غیر عملی در نظر گرفته أکثر

در این مقاله یک تقویت کنندۀ کم نویز CMOS گیت مشترک با بار القایی فعال ارائه شده است. برای مقادیر بزرگ اندوکتانس ، یک القاگر غیر فعال روی تراشه نیازمند مساحت قابل ملاحظه ایی از تراشه می باشد و ضریب کیفیت آن محدود می باشد. وضعیتی که می تواند به صورت غیر عملی در نظر گرفته شود. بنابراین هدف این کار جستجوی احتمال استفاده از القاگرهای فعال در مدارهای RF بعنوان جانشینی برای همتای غیرفعال آنها است. بعلاوه این القاگر فعال قابلیت برنامه ریزی دارد.امکان طراحی یک تقویت کننده با فرکانس مرکزی قابل برنامه ریزی وجود دارد. همچنین نشان داده می شود که با طراحی مناسب و بهینه سهم نویز القاگر فعال می تواند کمینه شود.شبیه سازی HSPICE با استفاده از تکنولوژی 0.35µm نشان داد که تقویت کننده ما دارای محدوده تنظیم نیم دهه برای فرکانس مرکزی 1GHZ است.بهره ، عدد نویز و توان مصرفی شبیه سازی شده به ترتیب برابر 20dB ،3.65dB ، 14mw است. تفاصيل المقالة

حرية الوصول المقاله

3 - طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم‌ نویز دو بانده با توان مصرفی پایین برای کاربردهای شبکه‌های بی‌سیم محلی
امید اسلامی‌فر مریم اسلامی فر

در مقاله زیر طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز(LNA) با استفاده از ترانزیستورهای مکمل اکسید فلز- نیمه هادی(CMOS) با توان مصرفی پایین برای برنامه های کاربردی شبکه های بی سیم محلی(WLAN 802.11) ارائه شده است.جهت تطبیق ورودی از سوئیچ خازن خارجی متصل به گره ورودی گیت- سور أکثر

در مقاله زیر طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز(LNA) با استفاده از ترانزیستورهای مکمل اکسید فلز- نیمه هادی(CMOS) با توان مصرفی پایین برای برنامه های کاربردی شبکه های بی سیم محلی(WLAN 802.11) ارائه شده است.جهت تطبیق ورودی از سوئیچ خازن خارجی متصل به گره ورودی گیت- سورس ترانزیستور در 2 باند 4.2 و 2.5 گیگا هرتز استفاده شده است. درساختارهای همزمان با استفاده از فرکانس تشدید مدار تانک LC فرکانس مورد نظر انتخاب می شود در حالی که در ساختار LNA پیشنهادی تنها با اضافه کردن یک سوئیچ خازنی به ساختار سورس دجنریت شده معمولی این انتخاب فرکانس انجام می شود.این کار باعث کاهش فضای اشغال شده در مدار نسبت به دیکر ساختارها دارد.علاوه بر این،استفاده از تکنیک سوئیچ ترانزیستوری باعث کاهش میزان توان مصرفی در مقایسه با دیگر ساختارها داردLNA . پیشنهادی دارای منبع تغذیه 1 ولتی و جریان 3.2 میلی آمپری است. مدار دارای پارامترهای پراکندگیS11و S22کمتر از 19- دسیبل در هر دو باند فرکانسی و دارای عدد نویز 3.2 و 3.5 دسیبل به ترتیب در فرکانس 4.2 و 2.5 گیگاهرتز است.بهره توان بزرگتر از 20 دسیبل است. تفاصيل المقالة

حرية الوصول المقاله

4 - A 3.1-10.6 GHZ Ultra-Wideband CMOS Low Noise Amplifier in 0.18 μm CMOS Technology
Meysam Azimi-Roein

A new ultra-wideband 3.1-10.6 GHz low noise amplifier(LNA), designed in chartered 0.18μm technology, is presented in this paper.By using series inductive peaking in the feedback loop is used to improve the basndwidth of the LNA. Based on the noise-canceling technique,v أکثر

A new ultra-wideband 3.1-10.6 GHz low noise amplifier(LNA), designed in chartered 0.18μm technology, is presented in this paper.By using series inductive peaking in the feedback loop is used to improve the basndwidth of the LNA. Based on the noise-canceling technique,voltage gain is increased. Measurements show that the S11 and S22 are less than -10 dB, and the maximum amplifier gain S21 gives 12.9dB, and the minimum noise figure is 2.6dB, and the power consumption is 13.6 mW from 1.8V supply voltage. تفاصيل المقالة

حرية الوصول المقاله

5 - Design and Simulation of X Band LNA for Aircraft Receiver
mehdi Samadi ali rostami ali sahafi

This paper proposes a highly linear low noise ampliﬁer (LNA) for ultra-wideband applications. It focuses on linearization of the basic active gm-boosted common gate (CG) LNA circuit by exploring the non-linearity coefﬁcients using the generalized nonlinearity model. Mat أکثر

This paper proposes a highly linear low noise ampliﬁer (LNA) for ultra-wideband applications. It focuses on linearization of the basic active gm-boosted common gate (CG) LNA circuit by exploring the non-linearity coefﬁcients using the generalized nonlinearity model. Mathematical analysis shows that in active gm-boosted CG LNA, the third input intercept point (IIP3) of LNA depends on interaction between main and auxiliary ampliﬁers. Post-layout simulation results of the proposed LNA circuit in a 180 nm RF CMOS process show 5.19 dBm of IIP3 that indicates 4 dB improvement comparing with conventional structures. The proposed wideband LNA has a voltage gain of 18 dB, 4dB bandwidth from 8 GHz to 12 GHz, and minimum noise ﬁgure (NF) of 3.6 dB. The simulated S11 is better than -14 dB in whole frequency range while the LNA core draws 3 mA from a single 1.8 V DC voltage supply. تفاصيل المقالة

حرية الوصول المقاله

6 - A W-band Simultaneously Matched Power and Noise Low Noise Amplifier Using CMOS 0.13µm
Mahmoud Mohammad-Taheri

A complete procedure for the design of W-band low noise amplifier in MMIC technology is presented. The design is based on a simultaneously power and noise matched technique. For implementing the method, scalable bilateral transistor model parameters should be first extr أکثر

A complete procedure for the design of W-band low noise amplifier in MMIC technology is presented. The design is based on a simultaneously power and noise matched technique. For implementing the method, scalable bilateral transistor model parameters should be first extracted. The model is also used for transmission line utilized in the amplifier circuit. In the presented method, input/output matching networks and transistor gate width have been optimized for simultaneous maximum gain and minimum noise figure. It is easily shown that due to the low gain property of amplifier at high frequency, it is unconditionally stable; so, the common source topology has superior performance compared to other topologies. In addition, better noise figure, lower size and higher gain with the same power consumption can be achieved compared with those of the cascode topology. The simulation results show a gain of better than 18dB and noise figure of 7.4dB at 94GHz while input/output return losses are better than 20dB تفاصيل المقالة

حرية الوصول المقاله

7 - مروری بر روش‌های کاهش توان در تقویت‌کننده‌های عصبی
سمیرا مهدی پور مهدی حبیبی

میکرو‌سیستم‌های کاشتنی چند کاناله ضبط اعصاب، شامل تعداد زیادی تقویت‌کننده اعصاب است که مصرف توان کل سیستم و سطح تراشه قسمت آنالوگ سیستم را تحت تاثیر قرار می‌دهند.مصرف انرژی کم و مساحت کوچک بر روی تراشه و نیز قابلیت در از بین بردن هر گونه آفست dc محدودیت‌های اصلی در طراح أکثر

میکرو‌سیستم‌های کاشتنی چند کاناله ضبط اعصاب، شامل تعداد زیادی تقویت‌کننده اعصاب است که مصرف توان کل سیستم و سطح تراشه قسمت آنالوگ سیستم را تحت تاثیر قرار می‌دهند.مصرف انرژی کم و مساحت کوچک بر روی تراشه و نیز قابلیت در از بین بردن هر گونه آفست dc محدودیت‌های اصلی در طراحی است. به طور ایده‌آل،خروجی‌های تفاضلی یک تقویت‌کننده با ورودی‌های دیفرانسیلی صفر، باید صفر باشد اما عموما یک آفست ولتاژ بین خروجی-های تقویت‌کننده وجود دارد، این آفست،آفست ورودی تقویت‌کننده نامیده می‌شود که تقویت‌کننده باید توانایی حذف آن را داشته باشد. اولین روش،استفاده از شبکه فیدبک خازنی با کوپلاژ ac المان‌های ورودی است. روش دوم استفاده از فیدبک مقاومتی و خازن الکترود برای ایجاد فیلتر بالاگذر است. علاوه بر استفاده از روش‌های ذکر-شده مقاومت‌های شناور کنترل‌شده با ولتاژ در مسیر فیدبک استفاده شده است که بدون نیاز به المان‌های خارج از تراشه آفست dc را حذف می کند.در برخی موارد میتوان از ساختار کسکد بهم تابیده برای تقویت استفاده کرد.ساختار تلسکوپی یک انتخاب خوب برای داشتن بهره بالا، حاشیه فاز کافی و اتلاف توان کم است. علاوه بر این می‌توان از مدیریت پخش توان نیز از برای کاهش توان مصرفی استفاده کرد.با استفاده از الگوسازی فعالیت‌های سیستم اعصاب را مدل‌سازی می‌کنند؛اروش پخش توان بهترین عملکرد را در کاهش توان مصرفی، نویز و مساحت سیلیکون داشته است. سطح سیلیکون با اشتراک خازن‌های بزرگ بین تقویت کننده ها و توان مصرفی با اشتراک OTA بین کانالهای ضبط کاهش یافته است. تفاصيل المقالة

حرية الوصول المقاله

8 - طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم نویز باند باریک با توان مصرفی پایین در فناوری 180 نانومترCMOS
اسماعیل کریمی

خلاصه: در این مقاله، طراحی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) با القاگر در سورس در فرکانس 2.4GHz ارائه شده است. فناوری استفاده شده در طراحی این مقاله TSMC 0.18um CMOS است. ساختار کسکود باعث کاهش توان مصرفی در مدار می‌شود[1]؛ از طرفی مزیت استفاده از ساختار کسکود، افزایش امپدانس خ أکثر

خلاصه: در این مقاله، طراحی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) با القاگر در سورس در فرکانس 2.4GHz ارائه شده است. فناوری استفاده شده در طراحی این مقاله TSMC 0.18um CMOS است. ساختار کسکود باعث کاهش توان مصرفی در مدار می‌شود[1]؛ از طرفی مزیت استفاده از ساختار کسکود، افزایش امپدانس خروجی در مدار است که این افزایش امپدانس، افزایش بهره مدار را به دنبال دارد. مدار ارائه‌شده یک تقویت‌کننده کم نویز کسکود شده با القاگر در سورس به همراه یک شبکه‌ی تطبیق امپدانس افزوده‌شده در ورودی و خروجی است؛ که باعث شده تا عدد نویز و توان مصرفی به ترتیب برابر با 1.6dB و 2.1mW به دست آیند. افزودن شبکه تطبیق منجر به یک درجه آزادی بیشتر برای بهبود عدد نویز و توان مصرفی در مدار و از طرفی کاهش مساحت داخلی تراشه شده است. در المان های دیگری که به مدار اضافه شده است علاوه بر اینکه ملاحظات کاهش توان و عدد نویز در نظر گرفته شده است؛ باعث شده بهره مدار و ضریب انعکاس در ورودی در فرکانس موردنظر به ترتیب برابر با 20dB و -12dB به دست آیند. تفاصيل المقالة

حرية الوصول المقاله

9 - طراحی سیستمی یک گیرنده غیرهمدوس کم‌توان برای تحریک کاشتینه‌های عصبی بی‌سیم
فخرالسادات رستگاری مسعود دوستی بهبد قلمکاری

در سال های اخیر فرستنده ـ گیرنده های کم توان، کاربردهای وسیعی در زمینه مهندسی پزشکی پیدا کرده اند. در این مقاله طراحی و شبیه سازی سیستمی یک گیرنده کم توان قابل کاشت در بدن برای تحریک سلول های مغز ارائه شده است. گیرنده مورد نظر به صورت کم توان با نرخ داده بالا در ب أکثر

در سال های اخیر فرستنده ـ گیرنده های کم توان، کاربردهای وسیعی در زمینه مهندسی پزشکی پیدا کرده اند. در این مقاله طراحی و شبیه سازی سیستمی یک گیرنده کم توان قابل کاشت در بدن برای تحریک سلول های مغز ارائه شده است. گیرنده مورد نظر به صورت کم توان با نرخ داده بالا در باند رادیویی صنعتی، علمی و پزشکی (ISM) برای استفاده در یک لینک دوسویه همزمان بی سیم جهت برقراری ارتباط بین سیستم کاشت شده در بدن و دنیای بیرون طراحی شده است. گیرنده ارائه شده با ساختار غیرهمدوس در فرکانس 4/2 گیگاهرتز با مدولاسیون کلید زنی خاموش-روشن (OOK) کار می کند. این گیرنده دارای نرخ خطای بیت (BER) کمتر از 001/0 و نرخ داده 100 مگابیت در ثانیه است. نتایج شبیه سازی سیستمی مدار پیشنهادی طراحی شده، بهره (S21) 4/26 دسی بل، تلفات برگشتی ورودی (S11) 39- دسی بل و عدد نویز (NF) 22/5 دسی بل را نشان می دهد. این نتایج مطابقت خوبی با محاسبات طراحی انجام شده دارد. تفاصيل المقالة

حرية الوصول المقاله

10 - A Novel Resistive Capacitive Feedback Trans-impedance Amplifier Optimization Using IPSO Algorithm
Hamid Niyazi Fakhralsadat Rastegari Majid Pourahmadi

A novel low noise trans-impedance amplifier is proposed using low cost 0.18 µm CMOS technology. A resistive-capacitive feedback is used to extend the bandwidth of the amplifier. As the structure is inductor less, it is suitable for low cost integrated optical inte أکثر

A novel low noise trans-impedance amplifier is proposed using low cost 0.18 µm CMOS technology. A resistive-capacitive feedback is used to extend the bandwidth of the amplifier. As the structure is inductor less, it is suitable for low cost integrated optical interconnects. In this paper Improved Particle Swarm Optimization have applied to determine optimal trans-resistance and noise of proposed structure of amplifier. Simulation results showed a -3 dB bandwidth of 5 GHZ with a trans-impedance gain of ≈ 62 dB ohms. The total voltage source power dissipation is less than 5 mW that is much less than that of conventional trans-impedances. The output noise voltage spectral density is 9.5 nV/sqrt(Hz) with a peak of 15nV/sqrt(Hz), while, the input referred noise current spectral density is below 10pA/sqrt(Hz) within the amplifier frequency band. تفاصيل المقالة

فهرس المقالات low noise

سند

الروابط

المراكز ذات الصلة

دعامة

الصفحات الرسمية