فهرس المقالات Photodetector

• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  1 - Impact of p-type semiconductor substrate on the transient response of metal-semiconductor-metal photodetector
  Ali Barkhordari Hamid Mashayekhi Şemsettin Altındal Süleyman Özçelik Yashar Azizian-Kalandaragh
  10.57647/j.jtap.2023.1701.08
  In this paper, using finite difference method, the effect of adding a p-layer at the back of a metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector (PD) on the spatial electric charge distribution and the transient response of the device is numerically studied. To this aim, th أکثر

  In this paper, using finite difference method, the effect of adding a p-layer at the back of a metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector (PD) on the spatial electric charge distribution and the transient response of the device is numerically studied. To this aim, the fundamental equations of the semiconductor device, i.e., two current continuity time-dependent equations have been considered coupled with Poisson's equation. The I-V curve of the MSM photodetector is obtained as the main characteristics of each semiconductor device. Moreover, the variations of electrostatic potential, electron and hole concentrations are determined in the MSM photodetector with a p-layer at the back of the active layer. It is observed that the peak transient response of an MSM device is improved by back-gating the device as more electrons are injected to the semiconductor layer and the slower charge carriers (the holes) to be removed from the top circuit. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  2 - High Detectivity in GaN Self –Assembled QDIP at room temperature
  Hossein Fazlali pour Majid Ghandchi
  In this paper, we present a self-assembled (pyramidal shaped) QDIPs, which operates in the long wavelength IR. A pyramidal shaped 6×6×3 𝑛𝑚 GaN quantum dot (QD) in a large rectangular cube box of 18×18×9 𝑛𝑚 dimensions. Solves single-band effec أکثر

  In this paper, we present a self-assembled (pyramidal shaped) QDIPs, which operates in the long wavelength IR. A pyramidal shaped 6×6×3 𝑛𝑚 GaN quantum dot (QD) in a large rectangular cube box of 18×18×9 𝑛𝑚 dimensions. Solves single-band effective mass Schrödinger equation for the gamma conduction band in order to calculate the QD electronic structure. The temperature dependence of the dark current was shown and the amount of dark current at room temperature was equal to 1×〖10〗^(-2) A, which is an acceptable value. The pyramidal GaN QDs has demonstrated exceptionally low dark current, and high detectivity. Detectivity up to 4×〖10〗^9 cm√Hz/W, at room temperature will be the strength of this research. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  3 - بررسی تاثیر مشخصات لایه آلومینیومی بر عملکرد آشکارساز نوری MSM سیلیکنی
  مریم زارع پور حامد دهدشتی جهرمی
  آشکارساز نوری فلز-نیمه‌هادی-فلز از دو پیوند شاتکی و روزنه‌هایی برای جذب فوتون تشکیل شده و جریان تاریک کمی دارد. در این مقاله، به بررسی تاثیر مشخصات اتصال آلومینیومی بر جریان‌های تاریک و نوری و پاسخ نوری آشکارساز فلز- نیمه هادی-فلز (MSM) سیلیکنی پرداخته شده است. با توجه أکثر

  آشکارساز نوری فلز-نیمه‌هادی-فلز از دو پیوند شاتکی و روزنه‌هایی برای جذب فوتون تشکیل شده و جریان تاریک کمی دارد. در این مقاله، به بررسی تاثیر مشخصات اتصال آلومینیومی بر جریان‌های تاریک و نوری و پاسخ نوری آشکارساز فلز- نیمه هادی-فلز (MSM) سیلیکنی پرداخته شده است. با توجه به روش رشد لایه فلزی، تابع کار یک فلز می‌تواند در یک بازه محدود تغییر کند. تاثیر تغییرات تابع کار آلومنیوم بر عملکرد آشکارساز مذکور مطالعه شده است. پس از تعیین تابع کار بهینه لایه فلزی، تاثیر ضخامت لایه آلومینیومی بر عملکرد آشکارساز بررسی شده است. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد تابع کار و ضخامت لایه آلومینیوم تاثیر مستقیمی بر جریان تاریک، جریان نوری و پاسخ نوری قطعه دارد. تاثیر این دو مولفه بر پارامترهای آشکارساز نوری مذکور به نحوی است که می‌تواند ساختار را از حالت آشکارسازی خارج کرده و تبدیل به یک مقاومت الکتریکی نماید. بنابراین لازم است برای ساخت، با انتخاب روش لایه نشانی مناسب و ضخامت لایه فلزی مناسب، پارامترهای مذکور بهینه شوند. در این تحقیق برای یک آشکارساز نوری MSM با ساختار متقارن، تابع کار بهینه برابر با 26/4 الکترون ولت به دست آمد. توابع کار کمتر از این مقدار منجر به ایجاد اتصال اهمی بین لایه آلومینیومی و لایه سیلیکنی و توابع کار بیشتر از این مقدار منجر به ایجاد یک پیوند شاتکی با ولتاژ شکست بسیار کم در ناحیه بایاس معکوس می شود. همچنین بهترین ضخامت لایه آلومینیومی برابر با 1/1 میکرو-متر به دست آمد. این ضخامت منجر به بیشترین مقدار پاسخ نوری در آشکارساز مورد مطالعه می شود. تفاصيل المقالة