فهرس المقالات HEMT

• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  1 - Memory effect in silicon nitride deposition using ICPCVD technique
  Sunil Kumar D. S. Rawal Hitendra K. Malik Rajeev Sanwal S. A. Khan Seema Vinayak
  10.1007/s40094-019-00354-4
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  2 - Simulation and fabrication of 3.5W 8.8-9.2 GHz power amplifier
  mehdi Forouzanfar
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  3 - Design and Simulation of Wideband High-Efficiency X-band MMIC Power Amplifier based on GaN HEMT Technology
  Reza Sahragard shahrakht Mehdi Forouzanfar Abolfazl Bijari
  10.30486/mjtd.2023.1976574.1007
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  4 - طراحی و شبیه سازی تقویت‏کننده توان دوهرتی 20 وات در فرکانس 2.14 گیگاهرتر برای سیستمهای ارتباطی بی سیم
  شعبان رضائی برجلو حسین علی باقری