در این مقاله یک تقویت کننده ی کم نویز فرا پهن باند(تقویت کننده کم نویز اولین بلوک در یک گیرنده مخابراتی پس از آنتن می باشد و نقش آن تقویت سیگنال ضعیف دریافتی توسط آنتن با افزودن حداقل نویز به آن و در نتیجه کاهش حداقلی نسبت سیگنال به نویز (SNR) است ) با استفاده از تکنیک جدید به منظور بهینه کردن خطینگی و اثر هارمونیک مرتبه سوم ارائه شده است. تکنیک حذف اعوجاج مرتبه سوم با استفاده از اثر بدنه ترانزیستور در یک تقویت کننده ی دیفرانسیلی گیت مشترک، انجام شده است و این در حالی است که تقویت کننده بررسی شده نسبت به کار گذشته علاوه بر بهبود IIP3 توان مصرفی را بهبود داده است. برای شبیه سازی از ابزار Cadence IC Design و از تکنولوژی130 نانومتر استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهند که مدار به مقدار مینیمم عدد نویز3/68dBو بهره 19/54dBرسیده است. همچنین مقدار توان مصرفی9 میلی وات بدست آمده است و این در حالی است که مدار از یک تغذیه 2/1 ولتی بهره می برد. همچنینIIP3 در فرکانس 6GHzو فاصله ی دو تن 20MHz، 9/1dBmبدست آمده است.و همچنن مقدار پارامتر شایستگی6/113میباشد. تفاصيل المقالة

در این مقاله، روشی جدید برای کنترل مقاوم موقعیت بازوهای رباتیک بـا اسـتفاده از بهینه سازی ازدحام ذرات ارائه شده است. کل سیستم رباتیک شامل بازوی ربات و موتورها در مسئله کنترلی در نظر گرفته شده است. هدف اصلی این مقاله بدست آوردن برآورد بهینه از پارامتر‌های قانون کنترل به منظور رسیدن به حداقل خطای ردگیری است که از بهینه سازی ازدحام استفاده می‌شود همچنین، طراحی قانون کنترل بر مبنای مدل نامی انجام میشود و برای جبـران عـدم قطعیـت ناشی از عدم تطابق مدل نامی و مدل واقعی از سیستمهای هوشمند استفاده میشود. کنترل بهینه مقاوم با تجزیه و تحلیل همگرایی تأیید می شود. اثبات پایداری سیستم با اسـتفاده از روش مستقیم لیاپانوف انجام میشود و نتایج شبیه سازی، اثربخشی روشهای پیشنهادی اعمال شده بر روی یک ربات کروی را که توسط موتورهای dc مغناطیس دائمی رانده می شود، ارائه می دهد. با استفاده از نتایج شبیه سازی، مقادیر بهینه پارامترها در کنترل کننده های گشتاور به دلیل وجود یک دینامیک بزرگ بدون مدل به مقادیر واقعی خود همگرا نشده اند در حالی که آنها به مقادیر واقعی خود در کنترل ولتاژ همگرا شده اند زیرا فقط عدم قطعیت پارامتری دارد. همچنین، قانون کنترل گشتاور به فیدبک‌های بردار موقعیت، بردار سرعت و بردار شتاب نیاز دارد. این بازخوردها را نمی توان به راحتی به دست آورد. در مقابل، قانون کنترل ولتاژ به بازخوردهای بردار موقعیت، بردار سرعت، بردار جریان و مشتق زمانی آن نیاز دارد. این بازخوردها می توانند به سادگی در دسترس باشند. تفاصيل المقالة

در این مقاله، توجه خود را به تمام جمع‌کننده‌های مبتنی بر روش GDI محدود می‌کنیم، مدارهایی که معمولاً در مدارهای پرسرعت استفاده می‌شوند و بیشتر در معرض نویز هستند. تاکنون بررسی جامعی در مورد مصونیت در برابر نویز و تغییر دمای محیط تمام جمع‌کننده‌های مبتنی بر روش GDI ارائه نشده و اکثر مقالات طرح پیشنهادی خود را با سایر تمام جمع‌کننده‌ها مقایسه کرده‌اند که عمدتاً مبتنی بر روش GDI نیستند. این سلول‌های تمام جمع کننده با شبیه‌سازی‌های مختلفی از قبیل تغییر ولتاژ تغذیه، تغییر بار خازنی، تغییر دمای محیط و تغییرات ناشی از فرآیند، ولتاژ تغذیه و دما (PVT) در فناوری 45 نانومتر CMOS مورد ارزیابی قرار گرفتند. منحنی مصونیت در برابر نویز (NIC) برای سلول‌های تمام جمع کننده استخراج شد تا سلول‌های تمام جمع کننده با عملکرد بهتر مشخص شوند. بهره نویز واحد (UNG)‌ نیز برای ارزیابی نویز بررسی شد. در نهایت مقایسه‌ای جامع از لحاظ تأخیر انتشار، توان مصرفی، حاصل‌ضرب توان-تأخیر (PDP)، سوئینگ، حساسیت در برابر تغییرات فرآیند و نویز برای تمام جمع کننده‌های مبتنی بر روش GDI انجام شد. نتایج به‌دست‌آمده می‌تواند در تصمیم‌گیری طراحان مدار مجتمع برای انتخاب ساختار مناسب تمام جمع کننده مبتنی بر روش GDI مفید واقع شود. تفاصيل المقالة

در این مقاله، مدارتمام جمع کننده، باسبک منطقیCMOSآمیخته مطرح شده است که ترکیبی از ترانزیستورهای عبور و گیت های انتقال و ترانزیستورهای نوعN وP می باشد. برای طراحی مدار تمام جمع کننده از ترانزیستورهایFINFET، مدل BSIM-CMG، دو-گیتی و ساختار FINFETرویBulk و طولGate 16 نانومتر استفاده خواهیم کرد و برای شبیه سازی از HSPICEاستفاده می کنیم. با توجه به ساختار و معماری ترانزیستورهایFINFET، تاثیر تغییرات در ضخامت و ارتفاع وتعدادFIN‌ بر روی جریانDrain ترانزیستورFINFET و پارامترهای خروجی تمام جمع کننده مانند تاخیرانتشاری و متوسط توان مصرفی تمام جمع کننده و همچنین تاثیر تغییرات در فرکانس ورودی ها مورد بررسی قرارمی گیرد. مطابق نتایج شبیه سازی با افزایش ارتفاع وضخامت وتعدادFIN، جریان DrainترانزیستورFINFET و توان مصرفی تمام جمع کننده افزایش پیدا می کند و تاخیرانشاری تمام جمع کننده کاهش پیدا می کند و بلعکس. و همچنین با افزایش فرکانس کاری، توان مصرفی تمام جمع کننده افزایش پیدا می کند. تفاصيل المقالة