بررسی عملکرد خازن ورکتور و سلف فعال در مدار تشدید VCO های مجتمع با تکنولوژی 0.18µmCMOS

محورهای موضوعی : مهندسی الکترونیک

نجمه چراغی شیرازی ¹ (گروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر، ایران)
ابراهیم عبیری جهرمی ² (دانشگاه صنعتی شیراز)
روزبه حمزه ئیان ³ (گروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر، ایران)

تاریخ دریافت : 1400/02/31 تاریخ پذیرش : 1400/02/31 تاریخ انتشار : 1396/10/01

کلید واژه: Active inductor, ورکتور, سلف فعال, محدوده تنظیم فرکانس, وارونگی, Vector, Frequency regulation range, Inversion, نوسانگر کنترل شده با ولتاژ, voltage-controlled oscillator,

چکیده مقاله :

با استفاده از تکنولوژی 0.18µm ، ترانزیستورهای CMOS یک نمونه VCO طراحی شده است. در ساختار VCO پیشنهادی، از یک سلف فعال قابل تنظیم و یک ورکتور برای تانک LC استفاده شده است. تنظیم فرکانس گسترده در این مدار توسط سلف فعال قابل تنظیم و تنظیمات ریز با واراکتور کنترل می گردد. VCO با ورکتور MOS در حالت انبارش دارای کمترین مصرف توان و پایین ترین نویز فاز در فرکانس های آفست بزرگ می باشد. مزایای اعمال شده توسط ورکتورهای MOS زمانی که تکنولوژی های CMOS پیشرفته تری انتخاب شوند بخوبی افزایش می یابد. به دلیل عدم وجود عناصر غیر فعال، VCO کاملاً مجتمع سطح تراشه ای کم تری را در مدار اشغال می کند.

چکیده انگلیسی:

Using 0.18 µm technology, CMOS transistors are designed as a VCO prototype. In the proposed VCO structure, an adjustable active inductor and a vector for the LC tank are used. The wide frequency regulation in this circuit is controlled by an adjustable active inductor and fine-tuning with a reactor.VCO with MOS vector in storage mode has the lowest power consumption and the lowest phase noise at large offset frequencies. The benefits of using MOS vectors increase significantly when more advanced CMOS technologies are selected. Due to the absence of passive elements, the fully integrated VCO takes up less chip surface area in the circuit.