فهرست مقالات Reflection loss

• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  1 - Calculation of Reflection Loss in Fundamental TE Mode Versus Angle of Tilted End Facet of Superluminescent Light Emitting Diodes
  Mohammad Hosein Salman Yengejeh nasser moslehi milani
  In this paper we study the acquisition of fundamental TE mode reflection in rectangular cavities from a tilted face (end mirror) of superluminescent light emitting diodes (SLD). When its width is 3 micrometers and the inclination of the mirror is 3 ̊, the result will be چکیده کامل

  In this paper we study the acquisition of fundamental TE mode reflection in rectangular cavities from a tilted face (end mirror) of superluminescent light emitting diodes (SLD). When its width is 3 micrometers and the inclination of the mirror is 3 ̊, the result will be a reduction of nearly 20 dB of reflection. While if the width is 6 micrometers, the inclination of the mirror 2 ̊ will cause an excess reflection loss of 20 dB. The results obtained in our paper for small tilt angles are the Gaussian approximation of the guided state. While our results differ greatly from the Gaussian approximation for larger angles and larger reflection losses. پرونده مقاله
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  2 - ساخت و بررسی خواص ساختاری و جذب امواج الکترومغناطیسی در کامپوزیت های باریم استرانسیوم تیتانات/فریت کبالت-روی
  احمد پوربافرانی
  در این تحقیق کامپوزیت‌های باریم استرانسیوم تیتانات / فریت کبالت-روی که از دو فاز مغناطیسی متفاوت تشکیل شده، مورد بررسی قرار داده شده است. فاز پیروالکتریک شامل ذرات باریم استرانسیوم تیتانات با اندازه‌ی ذرات در حدود 150 نانومتر و فاز مغناطیسی نرم شامل نانوذرات فریت کبالت& چکیده کامل

  در این تحقیق کامپوزیت‌های باریم استرانسیوم تیتانات / فریت کبالت-روی که از دو فاز مغناطیسی متفاوت تشکیل شده، مورد بررسی قرار داده شده است. فاز پیروالکتریک شامل ذرات باریم استرانسیوم تیتانات با اندازه‌ی ذرات در حدود 150 نانومتر و فاز مغناطیسی نرم شامل نانوذرات فریت کبالت–روی با اندازه‌ی ذرات در حدود 30 نانومتر است. هر دو فاز به کمک روش سل- ژل و هر یک با استوکیومتری به-خصوصی تهیه شده‌اند. آنالیزهای پراش پرتو X تشکیل فاز خالصی را برای هر یک از فازهای مغناطیسی نشان داد و آنالیز FESEM بیانگر خواص ساختاری نانوذرات فریت کبالت-روی و باریم استرانسیوم تیتانات در ساختار است. بررسی گذردهی الکتریکی، تراوایی مغناطیسی و اتلاف بازتابی نمونه‌ها در محدوده فرکانسی GHz 18-1 چگونگی پاسخ امواج الکترومغناطیسی به این نمونه‌ها را در این محدوده‌ی فرکانسی نشان داد. بر طبق اتلاف بازتابی مربوط به کامپوزیت‌ها، دو مکانیزم برای جذب امواج الکترومغناطیسی وجود دارد. در ناحیه ابتدایی این محدوده‌ی فرکانسی، اتلاف مغناطیسی ناشی از وجود نانوذرات فریت کبالت-روی غالب بوده و در ناحیه انتهایی این محدوده، اتلاف دی-الکتریکی ناشی از وجود ذرات باریم استرانسیوم تیتانات غالب است. پرونده مقاله