فهرست مقالات Amplifiers

• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  1 - بهبود SNDR با بهینه سازی ضرایب مسیرهای فیدبک مدولاتورهای CRFB مرتبه دوم در مبدل‌های آنالوگ به دیجیتال سیگما-دلتا
  مریم شهریاری عبدالرسول قاسمی نجمه چراغی شیرازی
  مبدل های آنالوگ به دیجیتال از نظر فرکانس نمونه برداری به دو دسته کلی ، مبدل های با نرخ نایکوئیست و مبدل های بیش نمونه برداری تقسیم می شوند.در مبدل های بیش نمونه برداری سیگنال ورودی با چندین برابر نرخ نایکوئیست نمونه برداری می شود. افزایش نسبت بیش نمونه برداری منجر به اف چکیده کامل

  مبدل های آنالوگ به دیجیتال از نظر فرکانس نمونه برداری به دو دسته کلی ، مبدل های با نرخ نایکوئیست و مبدل های بیش نمونه برداری تقسیم می شوند.در مبدل های بیش نمونه برداری سیگنال ورودی با چندین برابر نرخ نایکوئیست نمونه برداری می شود. افزایش نسبت بیش نمونه برداری منجر به افزایش رزولوشن موثر می شود در مقابل برای سیگنالهای باند وسیع استفاده از نسبت بیش نمونه برداری بالا به خاطر نیاز به فرکانسهای نمونه برداری و توان مصرفی بالا، غیر عملی است.افزایش تعداد بیتها نیز باعث افزایش محدوده دینامیکی می گردد در مقابل DACچند بیتی مورد نیاز در مسیر فیدبک خطی نمی باشد. در این مقاله یک مبدل آنالوگ به دیحیتال سیگما دلتا با دقت 12بیت ،منبع تغذیه 1V و فرکانس نمونه برداری MS/s 2.4 برای کاربردهای توان پایین طراحی کردیم.از سوی دیگرافزایش سطوح کوانتیزاسیون(تعداد بیت کوانتایزر) باعث کاهش توان نویز داخل باند سیستم می شود و حاصل آن بهتر شدن نسبت سیگنال به نویز، پایداری و عدم نیاز به افزایش نسبت فوق نمونه برداری است.ما با انتخاب ضرایب فیدبک بهینه در این مدولاتور توانستیم به SNDRبالایی دست یابیم . ساختار پیشنهادی در فن آوری CMOS 0.18µm طراحی شده و نتایج شبیه سازی نشان می‌دهد که به ازای ولتاژ تغذیه‌ی1V نسبت سیگنال به نویز 71.3 dB و توان مصرفی 451µW و رقم شایستگی (pJ/Conver.step) 3.76بدست می‎‌آید. پرونده مقاله
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  2 - 30 GHz Bandwidth 0.18µm-CMOS Cascaded Differential Distributed Amplifiers
  Massomeh Ghaleh Agha Babaei
  One of the most important things in designing modern telecommunication systems is the need to increase data transfer speeds. Increasing the transmission speed requires a wider bandwidth and work in a higher frequency range, and this has led to more attention to broadban چکیده کامل

  One of the most important things in designing modern telecommunication systems is the need to increase data transfer speeds. Increasing the transmission speed requires a wider bandwidth and work in a higher frequency range, and this has led to more attention to broadband circuits. For applications with a bit rate of 40 Gb/s, the bandwidth required for the amplifier is 28GHz. For this purpose, in this paper, 30GHz broadband amplifiers are designed. In this paper, 5 amplifiers with distributed cascade pseudo-differential topology with cascade classes of 2 to 6 stages in which there is only one gain cell in each floor are designed. The proposed circuits were implemented in RF_CMOS 0.18 µm technology and simulated in ADS software. The compromise of the parameters is in favor of the 4-stage amplifier. In this amplifier, the voltage gain in the 30GHz bandwidth is 25dB, while other scattering parameters are below 10dB. Power consumption is 162mW and chip area is 0.74mm2 and noise figure is 5dB, which are good results compared to other designs. پرونده مقاله
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  3 - Alternating Rectifier in SDLVA by Power Detector: A Novel Technique ‎for Improved Chip Area and Power Consumption
  Nader‎ Javadifar Massoud Dousti Hassan Hajghassem
  A novel method to detect microwave signals power in successive detection logarithmic video amplifier (SDLVA) based on single metal-oxidesemiconductor field effect transistor (MOSFET) is proposed. This is an alternative for the conventional method of rectifying that loga چکیده کامل

  A novel method to detect microwave signals power in successive detection logarithmic video amplifier (SDLVA) based on single metal-oxidesemiconductor field effect transistor (MOSFET) is proposed. This is an alternative for the conventional method of rectifying that logarithmic amplifiers are being used to detect a RF signal power. A complete design and analysis of circuit functioning in saturation region of MOSFET operation is discussed. Simple structure, low power consumption, small chip area, excellent operation in microwave frequencies and low temperature variation makes it suitable for on-chip microwave signal power detecting. Design of detector is performed in standard 0.18μm RF TSMC CMOS process. The design layout and post layout simulation results in K band (18-26.5 GHz) are presented. پرونده مقاله