بلورهای فتونی یکی از رایج ترین ساختارها برای طراحی و پیادهسازی مدارهای الکترونیک نوری هستند. باند ممنوعه فوتونی در این ساختارها از اهمیت بالایی برخوردار است. رایج ترین روش های ریاضی برای تحلیل و محاسبه نمودارهای باند فوتونی و استخراج باند ممنوعه فوتونی بلورهای فوتونی چکیده کامل
بلورهای فتونی یکی از رایج ترین ساختارها برای طراحی و پیادهسازی مدارهای الکترونیک نوری هستند. باند ممنوعه فوتونی در این ساختارها از اهمیت بالایی برخوردار است. رایج ترین روش های ریاضی برای تحلیل و محاسبه نمودارهای باند فوتونی و استخراج باند ممنوعه فوتونی بلورهای فوتونی روش بسط امواج تخت است. این روش دارای پیچدگیهای زیادی است که برای انجام محاسباتش نیاز به نرم افزارهای تجاری مخصوص است. در بلورهای فوتونی دو بعدی دو پارامتر در باند ممنوعه فوتونی این بلورها تاثیرگذار میباشند که ضریب شکست ماده دیالکتریک و نسبت شعاع حفرهها به ثابت شبکه بلور ( r/a ) هستند. در این مقاله با بهره گیری از ریاضیات و رگراسیون خطی روابط سادهتری برای استخراج محدوده باند فوتونی بلور های فوتونی ارائه شده است. مقایسه نتایج بدست آمده از روابط با نتایج بدست آمده با نرم افزار BandSOLVE برای بلورهای فوتونی نشان میدهد که حداکثر اختلاف بین دو روش محاسبه برای fl و fu به ترتیب 007/0 و 028/0 بوده و میانگین اختلاف نیز به ترتیب 004/0 و 01/0 میباشد.
پرونده مقاله
در این مقاله، ما یک مدولاتور الکترو - اپتیک بر اساس جذب گرافن ارائه میکنیم. در این ساختار، گرافن بر روی اکسید آلومینیوم قرار گرفته که ساختار به صورت متناوب تکرار میشود. این ساختار متناوب گرافن بر اکسید آلومینیوم در داخل یک حفره نیماستوانهای، درون یک کاواک نانو پرتو چکیده کامل
در این مقاله، ما یک مدولاتور الکترو - اپتیک بر اساس جذب گرافن ارائه میکنیم. در این ساختار، گرافن بر روی اکسید آلومینیوم قرار گرفته که ساختار به صورت متناوب تکرار میشود. این ساختار متناوب گرافن بر اکسید آلومینیوم در داخل یک حفره نیماستوانهای، درون یک کاواک نانو پرتو بلور فوتونی یک بعدی قرار گرفته است. برخلاف مقالات قبلی که کاواک نانو پرتو بلور فوتونی یک بعدی شامل حفرههای استوانهای بوده و نواحی مختلف با تغییر شعاع این حفرهها ایجاد میشد، در این ساختار از حفرههای نیمه استوانهای استفاده شده و با چرخش این نیماستوانهها، نواحی مختلف ساختار کاواک نانو پرتو بلور فوتونی ایجاد میشود. این نوع بلور فوتونی دارای ضریب کیفیت بالایی است. همچنین این نوع مدولاتورها پس از ساخت به فضای کمی نیاز دارند، بنابراین گزینه بسیار مناسبی برای مدارهای مجتمع هستند. در این مقاله از روش دامنه محدود در حوزه زمان - سهبعدی برای تحلیل استفاده شده است. در این مدولاتور مشاهده میشود که با تغییر ولتاژ بایاس میزان پیک جذب و همچنین طول موج رزونانس آن تغییر می‎کند. در نتیجه این تغییرات، به عمق مدولاسیونی در حدود ۷ دسیبل دست مییابیم. ساختار پیشنهادی ما میتواند کاربردهای بالقوهای در مدارهای مجتمع نوری، بهویژه در فرکانسهای مخابراتی داشته باشد.
پرونده مقاله
ارتباط تراشه ای ، شامل همبستگی کوتاه ، چند غالبی ، همبستگی تأخیر بحرانی، پیام های هم زمان سازی ، انتقال داده به صورت بلند، تک قالبی با قابلیت عبور دهی حساس؛ راندمان توان و عملکرد سیستم های چند پردازنده با تعداد هسته ی زیاد را محدود می کند. این مقاله به یک شبکه ی تراشه چکیده کامل
ارتباط تراشه ای ، شامل همبستگی کوتاه ، چند غالبی ، همبستگی تأخیر بحرانی، پیام های هم زمان سازی ، انتقال داده به صورت بلند، تک قالبی با قابلیت عبور دهی حساس؛ راندمان توان و عملکرد سیستم های چند پردازنده با تعداد هسته ی زیاد را محدود می کند. این مقاله به یک شبکه ی تراشه ای نانو فتونیک با مصرف توان پایین و عملکرد بالا که با CMOS سازگار است می پردازد؛ این مقوله Iris نامیده می شود. زیر شبکه ی Iris که بر اساس موجبر خطی بوده و از لحاظ قابلیت عبور دهی بهینه شده و از لحاظ مداری متصل شده است ،انتقال داده با قابلیت عبور دهی حساس را پشتیبانی می کند. هم چنین زیر شبکه ی Iris که بر اساس موجبر سطحی (دو وجهی)و نیز WDmکار می کند و دارای چندین غالب پهن و عریض می باشد،ترافیک تأخیر بحرانی را بهبود بخشیده و ارتباطات مداری را پشتیبانی می کند. روی هم رفته ،طرح پیشنهادی یک ارتباط تراشه ای با راندمان توان بالا ، تأخیر کم و قابلیت عبور دهی عالی را ارائه می کند.
پرونده مقاله
در حالت کلی، فوتونیک کریستال ها ساختارهایی از مواد هستند که نفوذپذیری الکتریکی و مغناطیسی آن ها به طور تناوبی در یک، دو و یا سه بعد تغییر می کند. هنگامی که یک اینچنین ساختارهایی در معرض تابش یک اشعه که دارای طول موجی قابل مقایسه با دوره ی تناوب فضایی کریستال است قرار می چکیده کامل
در حالت کلی، فوتونیک کریستال ها ساختارهایی از مواد هستند که نفوذپذیری الکتریکی و مغناطیسی آن ها به طور تناوبی در یک، دو و یا سه بعد تغییر می کند. هنگامی که یک اینچنین ساختارهایی در معرض تابش یک اشعه که دارای طول موجی قابل مقایسه با دوره ی تناوب فضایی کریستال است قرار می گیرد، دو حالت رخ می دهد ، می باشددراین مقاله بررسی آنتن های مسطح بر روی زیرلایه های کریستال فوتونیک و دوقطبی مسطح بر روی زیرلایه فوتونیک کریستال پرداخته شده است.
پرونده مقاله
سنسور های ضریب شکستی یکی از سنسورهای پرکاربرد در صنعت بیوالکترونیک و الکترونیک نوری هستند. استفاده از مواد و ساختارهایی که بتواند ضریب شکست مواد ناشناس را تشخیص دهد دارای کاربردهای مهمی در بیو شیمی و مهندسی پزشکی می باشد. در این مقاله یک نوع فیبر بلور فوتونی دو هسته ای چکیده کامل
سنسور های ضریب شکستی یکی از سنسورهای پرکاربرد در صنعت بیوالکترونیک و الکترونیک نوری هستند. استفاده از مواد و ساختارهایی که بتواند ضریب شکست مواد ناشناس را تشخیص دهد دارای کاربردهای مهمی در بیو شیمی و مهندسی پزشکی می باشد. در این مقاله یک نوع فیبر بلور فوتونی دو هسته ای برپایه پلیمر برای سنجش ضریب شکست سیال معرفی شده است. اندازه سوراخ های هسته های آنالیت و هسته جامد عبور دهنده نور به گونه ای مهندسی شده اند که توانایی عبور تک مد اصلی را داشته باشند. بدلیل ارزان بودن، توانایی مکانیکی بالا و راحتی ساخت، بستر فیبر بلور فوتونی از پلیمر PMMA استفاده شده است. پس از شبیه سازی ساختار و استفاده از روابط ریاضی موجود و بررسی مد های انتشاری، برای انتقال کامل نور از هسته جامد به هسته کانال آنالیت، طول فیبر 0.13 سانتی متر بدست آمده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که برای ضریب شکست 1.44 مقدار حساسیت 1000 و حد تشخیص توسط این سنسور قابل حصول است. تمام مراحل شبیه سازی در حوزه FDTDدر نرم افزار Lumerical بدست آمده است.
پرونده مقاله
در این تحقیق پارامترهای تاثیرگذار در ساخت نانوساختارهای نیمرسانای اکسید مس به روش رسوب الکتریکی جهت کاربرد در تجزیه فتوالکتروشیمیایی آب مورد مطالعه قرار گرفته است. این پارامترها شامل اثر pH الکترولیت، پتانسیل اعمال شده، مدت زمان سنتز نمونه و دمای الکترولیت میباشند. اکس چکیده کامل
در این تحقیق پارامترهای تاثیرگذار در ساخت نانوساختارهای نیمرسانای اکسید مس به روش رسوب الکتریکی جهت کاربرد در تجزیه فتوالکتروشیمیایی آب مورد مطالعه قرار گرفته است. این پارامترها شامل اثر pH الکترولیت، پتانسیل اعمال شده، مدت زمان سنتز نمونه و دمای الکترولیت میباشند. اکسید مس به دلیل دارا بودن بالاترین بازده نظری برای تجزیه فتوالکتروشیمیایی آب، بسیار مورد توجه میباشد. از آزمونهای پراش پرتو ایکس، میکروسکوپ الکترونی، طیف جذب UV-Vis و آزمون EDX برای بررسی ویژگیهای ساختاری اکسید مس ساخته شده، استفاده شده است. در هر مرحله، فعالیت فوتوالکتروشیمیایی نمونههای ساخته شده از طریق آزمون جریان- ولتاژ تجزیه آب مورد مطالعه قرار گرفته است. بر این اساس، بهترین کارکرد تجزیه آب، از نمونههای اکسید مس ساخته شده در pH الکترولیت 13، در دمای oC 60 و با اعمال پتانسیل V 6/0- به مدت 30 دقیقه حاصل گردید.
پرونده مقاله
این مقاله یک موجبر پلاسمونیک نواری بسیار فشرده جدید فلز-عایق-فلز (MIM) بر روی ساختار سیلیکون بر روی عایق (SOI) پیشنهاد میکند. ساختار موجبر میتواند بهطور مؤثر پلاریتون پلاسمون های سطحی (SPPs) را در یک لایه نازک SiO2 با ضریب شکست کم در پنجره طولموج نوری 1550 نانومت چکیده کامل
این مقاله یک موجبر پلاسمونیک نواری بسیار فشرده جدید فلز-عایق-فلز (MIM) بر روی ساختار سیلیکون بر روی عایق (SOI) پیشنهاد میکند. ساختار موجبر میتواند بهطور مؤثر پلاریتون پلاسمون های سطحی (SPPs) را در یک لایه نازک SiO2 با ضریب شکست کم در پنجره طولموج نوری 1550 نانومتر منتشر کند. پارامترهای اصلی شامل، ضریب شکست مؤثر، طول انتشار، ضریب تحدید و ناحیه حالت مؤثر برای موجبر پیشنهادی با پهناهای مختلف موجبر محاسبه شده است. نتایج شبیهسازی با موجبر پلاسمونیک MIM افقی قابلمقایسه می باشد. ساختار پیشنهادی میتواند بهصورت یکپارچه با ادوات مبتنی برSOI عایقی مرسوم و پلاسمونیکی ترکیبی مجتمع سازی شده و پتانسیل متمرکز کردن نور، در ابعاد نانو را دارد.
پرونده مقاله
در این تحقیق، ساختاری جدید از فیبرهای فوتونیک کریستال پیشنهاد خواهد شد، که در آنها به جای استفاده از حفرههای هوا در ناحیه پوسته فیبر، از میلههای سیلیکای تغلیط شده با فلورین 2% به منظور کاهش مشکلات مرتبط با تغییر شکل حفرههای هوا در فرآیند ساخت فیبرهای فوتونیک کریستال چکیده کامل
در این تحقیق، ساختاری جدید از فیبرهای فوتونیک کریستال پیشنهاد خواهد شد، که در آنها به جای استفاده از حفرههای هوا در ناحیه پوسته فیبر، از میلههای سیلیکای تغلیط شده با فلورین 2% به منظور کاهش مشکلات مرتبط با تغییر شکل حفرههای هوا در فرآیند ساخت فیبرهای فوتونیک کریستال استفاده خواهد شد. همچنین در ادامه، تعدادی از خواص انتشاری فیبر فوتونیک کریستال پیشنهاد شده با یک فیبر فوتونیک کریستال معمولی سیلیکا همانند فرکانس نرمالیزه، ضریب شکست موثر، پاشندگی کل و پاشندگیهای مراتب بالاتر(2 و 3) مورد تجزیه و تحلیل و مقایسه قرار خواهند گرفت. نهایتاٌ مشخص خواهد شد که ساختار جدید فیبر فوتونیک کریستال از لحاظ استفاده در فرآیند ساخت بسیار سادهتر از فیبر فوتونیک کریستال سیلیکای معمولی میباشند و از لحاظ انتشار سالیتونهای فمتوثانیه در شرایط مناسبی قرار ندارد. همچنین نشان داده خواهد شد، شرایط فیبر کریستال نوری سیلیکا جهت انتشار سالیتونهای فمتوثانیه به مراتب ایده آلتر نسبت به ساختار جدید است.
پرونده مقاله
سکوی نشر دانش
سند یا سکوی نشر دانش ،سامانه ای جهت مدیریت حوزه علمی و پژوهشی نشریات دانشگاه آزاد می باشد