در پژوهش حاضر، تاثیر افزودن فاز تقویت کننده سیلیکون کاربید و همچنین شرایط متفاوت گرمادهی در هنگام فرآیند سینتر کردن بر استحکام مکانیکی و سختی کامپوزیت آلومینا- سیلیکون کاربید بررسی شده است. نتایج بدست آمده بیانگر این مطلب است که افزودن سیلیکون کاربید برخلاف کاهش روند تر چکیده کامل
در پژوهش حاضر، تاثیر افزودن فاز تقویت کننده سیلیکون کاربید و همچنین شرایط متفاوت گرمادهی در هنگام فرآیند سینتر کردن بر استحکام مکانیکی و سختی کامپوزیت آلومینا- سیلیکون کاربید بررسی شده است. نتایج بدست آمده بیانگر این مطلب است که افزودن سیلیکون کاربید برخلاف کاهش روند تراکم و چگالی، منجر به افزایش سختی و استحکام کامپوزیت حاصله در مقایسه با زمینه میشود. همچنین سینتر کردن کامپوزیت در طی مراحل متعدد تا رسیدن به دمای نهایی یکسان، منجر به افزایش چگالی قطعات میشود و در نتیجه آن سختی و استحکام مکانیکی کامپوزیت نیز افزایش مییابد. روند بهبود خواص مکانیکی دارای بهینه درصد فاز تقویت کننده میباشد. از همینرو این افزایش تا 5 و 10 درصد وزنی سیلیکون کاربید به ترتیب بهینه حالت برای سختی و استحکام خمشی کامپوزیت میباشد و از آن به بعد روند بهبود این خواص نزولی میشود.
پرونده مقاله
کامپوزیت مولایت- سیلیکون کاربید با استفاده از فرآیند سینتر دو مرحلهای برای دستیابی به چگالی بالا و رشد دانه پایین تهیه شده است. بدین منظور از سیلیکون کاربید نانومتری و میکرومتری با 5 و 10 درصد وزنی جهت بررسی تاثیر درصد و اندازه دانه فاز تقویت کننده بر ریزساختار کامپوز چکیده کامل
کامپوزیت مولایت- سیلیکون کاربید با استفاده از فرآیند سینتر دو مرحلهای برای دستیابی به چگالی بالا و رشد دانه پایین تهیه شده است. بدین منظور از سیلیکون کاربید نانومتری و میکرومتری با 5 و 10 درصد وزنی جهت بررسی تاثیر درصد و اندازه دانه فاز تقویت کننده بر ریزساختار کامپوزیت مورد نظر استفاده شده است. فاز تقویت کننده با سازوکار زنر (Zener) از رشد دانههای مولایت جلوگیری میکند. با استفاده از سیلیکون کاربید نانومتری میتوان به اندازه دانه پایینتری دست یافت. در عین حال افزایش چگالی قطعات به نسبت سیلیکون کاربید میکرومتری دشوارتر است. همچنین افزایش درصد سیلیکون کاربید از 5 به 10 درصد وزنی، علیرغم جلوگیری از رشد دانه، مانع رسیدن کامپوزیت به چگالی بالا میشود.
پرونده مقاله
در این پژوهش، سیلیکون کاربید گرافیتی (g-SiC) متخلخل دوپه شده با نیتروژن به عنوان یک فوتوکاتالیست بدون فلز با فوم سیلیکا به عنوان منبع سیلیکون و ژلاتین به عنوان منبع کربنی سنتز شدند. ویژگی فوتوکاتالیستی این ترکیب در حذف فوتوکاتالیستی رنگ های آزو و ازبین بردن باکتری های گ چکیده کامل
در این پژوهش، سیلیکون کاربید گرافیتی (g-SiC) متخلخل دوپه شده با نیتروژن به عنوان یک فوتوکاتالیست بدون فلز با فوم سیلیکا به عنوان منبع سیلیکون و ژلاتین به عنوان منبع کربنی سنتز شدند. ویژگی فوتوکاتالیستی این ترکیب در حذف فوتوکاتالیستی رنگ های آزو و ازبین بردن باکتری های گرم مثبت و منفی در نور مرئی ارزیابی شد. ساختار سنتزی g-SiC توانایی بسیار بالایی را در حذف آلاینده های آلی (99 % در 10 دقیقه) در مقایسه با SiC تجاری (8 % در 10 دقیقه)، نشان داد. این بهبود ویژگی فوتوکاتالیستی به ساختار گرافنی این ترکیب مربوط می شود که موجب افزایش انتقالات الکترونی شده و سرعت بازترکیب را کاهش می دهد. همچنین، به دلیل وجود بار مثبت بر اتم های سیلیکون در ساختار g-SiC، مولکول های اکسیژن محلول در آب می توانند جذب این مراکز شوند و رادیکال های اکسیژنی را تولید کنند. این رادیکال ها می توانند به عنوان یک گونه فعال واکنش های فوتوکاتالیستی را سرعت بخشند. از طرف دیگر، استفاده از فوم سیلیکا موجب افزایش مساحت سطح شد ( m2/g7/191) و با دوپه شدن نیتروژن (8/2 %) ناشی از منبع ژلاتین، نواقص ساختاری بیشتر، قدرت جذب بالاتر و کاف نوار کوچکتر(eV 16/2) در ساختار ایجاد شد که فعالیت فوتوکاتالیستی آن را افزایش داد. نتیجه ها نشان داد که این ترکیب می تواند رنگ های آزو را تا 100 % و باکتری ها را تا بالای 85 % حذف کند.
پرونده مقاله
در این پژوهش با آمیندار کردن نانو ذرات سیلیکون کاربید (SiC)، ویژگیهای مکانیکی کامپوزیت پلیمری بر پایه رزین اپوکسی اصلاح بررسی شده است. نخست سه مؤلفهی زاویه چیدمان الیاف کربن، درصد وزنی SiC و مقدار عامل پخت در نظر گرفته شد و با انجام محاسبات و شبیهسازی نرمافزاری و چکیده کامل
در این پژوهش با آمیندار کردن نانو ذرات سیلیکون کاربید (SiC)، ویژگیهای مکانیکی کامپوزیت پلیمری بر پایه رزین اپوکسی اصلاح بررسی شده است. نخست سه مؤلفهی زاویه چیدمان الیاف کربن، درصد وزنی SiC و مقدار عامل پخت در نظر گرفته شد و با انجام محاسبات و شبیهسازی نرمافزاری و رسم نمودار اورلید، مقادیر هریک از مؤلفهها محاسبه شد. سپس سطح نانو ذرات SiC با غوطهوری در هیدروفلوئوریک اسید تبدیل به Si-OH شد و در ادامه نانو ذرات SiC در مایع عاملدار کننده (3-آمینوپروپیل) تری اتوکسی سیلان (APTES) در زمانهای 30، 45، 60 و 75 دقیقه غوطهور شد. نتیجههای آزمونهای مکانیکی حاکی از ارتقاء 6/20% مقاومت کششی و 3/21% مقاومت ضربهای با زمان غوطهوری 60 دقیقه نسبت به مقدارهای بهدست آمده از نمونههای قبل از عاملدار کردن است. طیفهای IR انجام فرایند تشکیل گروههای سیلانول و همچنین پخت رزین اپوکسی را تأیید کرده است.
پرونده مقاله
برای بهبود خواص پوششهای آلی میتوان با اضافه کردن پرکنندههایی مانند نانو ذرات سرامیکی، پوشش را تقویت کرد. در تحقیق حاضر پوشش نانوکامپوزیتی آلی- معدنی شامل نانو ذرات سیلیکون کاربید در زمینه آلکیدی بر روی زیرلایه فولاد زنگ نزن L316 اعمال شده است. در این راستا از مقادیر چکیده کامل
برای بهبود خواص پوششهای آلی میتوان با اضافه کردن پرکنندههایی مانند نانو ذرات سرامیکی، پوشش را تقویت کرد. در تحقیق حاضر پوشش نانوکامپوزیتی آلی- معدنی شامل نانو ذرات سیلیکون کاربید در زمینه آلکیدی بر روی زیرلایه فولاد زنگ نزن L316 اعمال شده است. در این راستا از مقادیر 1، 2 و 3 درصد وزنی نانو ذرات سیلیکون کاربید در زمینه رزین آلکیدی و به منظور تهیه نانوکامپوزیت استفاده گردید. به منظور پخش مناسب نانو ذرات در زمینه پلیمری از همزن مغناطیسی و دستگاه اولتراسونیک بهره گرفته شد. فرآیند غوطه وری نیز به عنوان روش پوششدهی انتخاب گردید. برای بررسی مورفولوژی و توپوگرافی سطح پوشش از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و میکروسکوپ نیروی اتمی AFM)) استفاده شد. مقاومت به خوردگی پوشش با آزمون پلاریزاسیون تافل، طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی EIS)) و آزمون مه نمکی مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج آزمونهای خوردگی نشان داد که افزودن نانو ذرات سیلیکون کاربید در زمینه آلکیدی باعث افزایش مقاومت به خوردگی و کاهش جریان خوردگی شد و نمونه حاوی 3 درصد وزنی نانو ذرات با کاهش دانسیته جریان از6-10×20/9 به 9-10×20/2 نسبت به فولاد زنگ نزن به عنوان نمونه ی با بالاترین مقاومت به خوردگی انتخاب شد. نتایج آزمون چسبندگی پوشش با استفاده از روش کراس کات کاهش میزان جدا شدن پوشش از زیرلایه را از 9% به 4% نشان داد. ضخامت پوشش در حدود 20 میکرومتر تعیین گردید.
پرونده مقاله
سکوی نشر دانش
سند یا سکوی نشر دانش ،سامانه ای جهت مدیریت حوزه علمی و پژوهشی نشریات دانشگاه آزاد می باشد