اندازه گیری ثابت هال در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Fe مورد استفاده در ساخت سنسورهای پیشرفته
محورهای موضوعی : انرژی های نو
حسن خالقی
1
(دانشگاه آزاد اسلامی واحد سمنان)
کلید واژه: نیمرسانا, ثابت هال, سنسورهای پیشرفته,
چکیده مقاله :
گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، سنسورهای پیشرفته، دیودهای لیزری و سلول‌های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است. در این مقاله ضریب ثابت هال نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند به ترتیب با عناصر Cr وFe آلاییده شده‌اند. این ناخالصی‌ها ناهمگنی زیادی را در شبکه‌ی GaAs به وجود می‌آورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در GaAs ایجاد می‌کنند. در این کار تجربی ضریب ثابت هال در گستره‌ی دمایی (400-100) درجه‌ی کلوین برای هر دو نمونه مذکور مورد بررسی قرار گرفته است.
Gallium arsenide is a compound of the elements gallium and arsenic. It is a III-V direct band gap semiconductor with a zinc blende crystal structure. GaAs is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, advanced detectors, laser diodes, solar cells and optical windows. GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors including: Indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and others. From this view point, study of the electronic properties of GaAs single crystals is of prime importance. In this experimental work, hall Constant of two kinds of p-type GaAs samples each doped with Cr and Fe have been studied in the wide temperature range (100-400) K.
_||_