فهرست مقالات

• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  1 - طراحی یک مبدل دیجیتال به آنالوگ با فرکانس کاری 1Gs/s و دقت تفکیک پذیری12bit
  قادر یوسفی شیلان ندا مسعود دوستی
  در این مقاله طراحی و پیاده سازی یک مبدل دیجیتال به آنالوگ با فرکانس یک میلیارد نمونه در ثانیه و دقت 12 بیت در پروسه استاندارد تکنولوژی 0.35um CMOS ارائه می شود. این کار شامل طراحی مدارات جدید بوده که شبیه سازی مبدل، با نتایج INL خوب ( 0.7LSB برای 8بیت و 0.8LSB برای 12بی چکیده کامل

  در این مقاله طراحی و پیاده سازی یک مبدل دیجیتال به آنالوگ با فرکانس یک میلیارد نمونه در ثانیه و دقت 12 بیت در پروسه استاندارد تکنولوژی 0.35um CMOS ارائه می شود. این کار شامل طراحی مدارات جدید بوده که شبیه سازی مبدل، با نتایج INL خوب ( 0.7LSB برای 8بیت و 0.8LSB برای 12بیت) بدست آمده است. همچنین SFDR با Fsig=125Meg و Fs=500Meg حدود 73dB وبرای Fsig=125Meg و Fs=1G حدود 60dB با محاسبه خازن کل Layout بدست آمده است. کل توان مصرفی 180mw و با منابع تغذیه 3.3v و 2v کار می کند. با توجه به layout طراحی شده سطح اشغال شده تراشه 0.313mm2 بوده و از چهار metal و دو poly استفاده شده و نتایج شبیه سازی توسط نرم افزار Hspice انجام گرفته است. پرونده مقاله
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  2 - تقویت کنندۀ کم نویز با بار القایی فعالCMOS
  بابک غلامی شهریار بازیاری خشایار بازیاری
  در این مقاله یک تقویت کنندۀ کم نویز CMOS گیت مشترک با بار القایی فعال ارائه شده است. برای مقادیر بزرگ اندوکتانس ، یک القاگر غیر فعال روی تراشه نیازمند مساحت قابل ملاحظه ایی از تراشه می باشد و ضریب کیفیت آن محدود می باشد. وضعیتی که می تواند به صورت غیر عملی در نظر گرفته چکیده کامل

  در این مقاله یک تقویت کنندۀ کم نویز CMOS گیت مشترک با بار القایی فعال ارائه شده است. برای مقادیر بزرگ اندوکتانس ، یک القاگر غیر فعال روی تراشه نیازمند مساحت قابل ملاحظه ایی از تراشه می باشد و ضریب کیفیت آن محدود می باشد. وضعیتی که می تواند به صورت غیر عملی در نظر گرفته شود. بنابراین هدف این کار جستجوی احتمال استفاده از القاگرهای فعال در مدارهای RF بعنوان جانشینی برای همتای غیرفعال آنها است. بعلاوه این القاگر فعال قابلیت برنامه ریزی دارد.امکان طراحی یک تقویت کننده با فرکانس مرکزی قابل برنامه ریزی وجود دارد. همچنین نشان داده می شود که با طراحی مناسب و بهینه سهم نویز القاگر فعال می تواند کمینه شود.شبیه سازی HSPICE با استفاده از تکنولوژی 0.35µm نشان داد که تقویت کننده ما دارای محدوده تنظیم نیم دهه برای فرکانس مرکزی 1GHZ است.بهره ، عدد نویز و توان مصرفی شبیه سازی شده به ترتیب برابر 20dB ،3.65dB ، 14mw است. پرونده مقاله
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  3 - بهبود بخش‌بندی تصاویر ابرطیفی با استفاده از روش‌های محدود کردن منطقه و مینیمم مسیر
  احمد کشاورز فاطمه حاجیانی
  در این مقاله روش های بخش بندی محدود کردن منطقه و مینیمم مسیر به منظور جمع آوری اطلاعات منطقه ای برروی ناحیه‌های به وجود آمده با استفاده از روش یکنواخت سازی ناحیه‌ای انجام گردید. در مرحله‌ی اول با استفاده از روش یکنواخت سازی تصویر به تعدادی زیر ناحیه تبدیل شده، سپس یک بخ چکیده کامل

  در این مقاله روش های بخش بندی محدود کردن منطقه و مینیمم مسیر به منظور جمع آوری اطلاعات منطقه ای برروی ناحیه‌های به وجود آمده با استفاده از روش یکنواخت سازی ناحیه‌ای انجام گردید. در مرحله‌ی اول با استفاده از روش یکنواخت سازی تصویر به تعدادی زیر ناحیه تبدیل شده، سپس یک بخش‌بندی کاملتر با استفاده از روش‌های محدود کردن منطقه و مینیمم مسیر بر روی هر یک از ناحیه‌های مرحله‌ی اول انجام شد. روش پیشنهادی با استفاده از انتخاب منظم بذرها و جمع فاصله ها، بخش‌های جدید را مشخص می کند. روش‌ محدود کردن منطقه، تغییرات دامنه‌ای از یک نقطه به نام بذر در هر ناحیه و روش مینیمم مسیر، سایز ناحیه‌ها را کنترل می‌کند. این دو روش بر روی تصویر پیاده سازی شده و با پایین آوردن تعداد ناحیه ها نرخ فشرده‌سازی را بالاتر بردند. پرونده مقاله
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  4 - ارتباط نوری با تراشه های فوتونیک سیلیکونی پسیو
  محمد امیر قاسمی شبانکاره سارا رحیمی جوانمردی
  گزارش ها در مورد ارتباط نزدیک نوری با کیفیت عالی 10 gb/s با استفاده از آینه های بازتابی و ایزولاتور از جنس سیلیکون با تلفات کم برای ارتباط بین تراشه ای می باشد. ساخت این قطعه با روشی برای کاشت یک موجبر میلهای با پهنای8µm با یک آینه یسیار انجام گرفته است که این آی چکیده کامل

  گزارش ها در مورد ارتباط نزدیک نوری با کیفیت عالی 10 gb/s با استفاده از آینه های بازتابی و ایزولاتور از جنس سیلیکون با تلفات کم برای ارتباط بین تراشه ای می باشد. ساخت این قطعه با روشی برای کاشت یک موجبر میلهای با پهنای8µm با یک آینه یسیار انجام گرفته است که این آینه با سطح مورد نظر زاویه 54 درجه می سازد.نور در موجبر تراشه ی پایینی می تواند با موجبر در تراشه بالایی جفت شود که این روش با روبروی یکدیگر قرار دادن این تراشه ها انجام می گیردکه در این حالت آینه های بازتابی یک جفت کامل و یک مجاورت و نزدیکی نوری را به وجود می آورند. اندازه های ارتباطی بسیار سریع با تراشه هایی که در امتداد یک قطعه در ابعاد نانومتر قرار گرفت اند محقق شده و نتایج آن با یک روش که در آن تراشه های سیلیکونی به صورت یک بسته درآمده اند مقایسه شده است. روش جدید ما در ساخت هسته هایی از جنس تراشه ها بر اساس ترکیب کاشت هرمی روی سیلیکون می باشد که در آن از یک کره ی بسیار کوچک برای تنظیم دقیق تراشه استفاده می شود. یکپارجه کردن تراشه ها می تواند باعث تنظیم خود به خود بسته ها با استفاده از محل قرار گرفتن تراشه ها باشد که در ابتدا کمی ضخیم هستند. تنظیم نهایی تراشه ها در روش جدید ما با رزولوشن لیتوگرافی نوری محدود می شود.علاوه بر این آرایه های چند تراشه ای می توانند با یکدیگر در یک امتداد قرار بگیرند که دقت مشابهی با حالت قبلی خواهند داشت. داده های غیر قابل بازگشت به صفر(Nonreturn – to-zero data) به موجبرها ارسال شدند و در طول یک بسته که شامل 3 ترا شه ی به هم متصل شده و دو قطعه نوری می باشد منتقل شدند . این کار برای ارتباطات بین تراشه ای انجام گرفت. مقادیری چون تلفات پیوسته ی نوری ،دیاگرام های چشمی ،نرخ خطایبیت و خطای توان اندازه گیری شدند یک کانال نوری که بین دو تراشه به صورت پسیو تنظیم شده استبرای داشتن تلفاتِ 4dB اندازه گیری شده استکه مقدار آن1dBاز حالتی که از تراشه هایی با موقعیت مکانی در ابعاد نانو بهره می برند بیشتر است. اختلال یا اعوجاج RMS و مقادیر کمی دامنه برای کیفیت چشمی تقریباً با حالتی که کانال های OP×C با کانال های10 Gb/sمتصل می شود،برابر است. این مکانیزم برای تنظیم خود به خود تراشه ها این امکان را برای تراشه ها فراهم می کندکه از ارتباطات نزدیک در چند کلاس مختلف بهره ببرند.. پرونده مقاله
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  5 - طراحی و ساخت ساختار فلز- اکسید- نیمه هادی به روش لایه نشانی الکتروشیمیایی
  عاطفه چاهکوتاهی
  تولید پیوند فلز- عایق- نیمه هادی MOS به روش فلزنشانی الکتروشیمیایی گزارش گردیده است. برای انجام کار ابتدا مفتولی از جنس نیکل- کروم را در محیط های الکترولیت مناسب قرار داده و با اعمال ولتاژ، بترتیب لایه های نازک آلومینیوم و فلز روی بر سطح آن نشانده شد . در مرحله بعد لایه چکیده کامل

  تولید پیوند فلز- عایق- نیمه هادی MOS به روش فلزنشانی الکتروشیمیایی گزارش گردیده است. برای انجام کار ابتدا مفتولی از جنس نیکل- کروم را در محیط های الکترولیت مناسب قرار داده و با اعمال ولتاژ، بترتیب لایه های نازک آلومینیوم و فلز روی بر سطح آن نشانده شد . در مرحله بعد لایه های حاصل در دمای 400 درجه سانتیگراد در معرض هوا اکسید گردید تا لایه های اکسید آلومینیوم به عنوان عایق و اکسید روی به عنوان نیمه هادی تشکیل گردد. با بررسی منحنی آرنیوس ضمن تأیید نیمه هادی بودن لایه اکسید روی فاصله ترازهای انرژی ناخالصی از تراز هدایت آن 18/0 ولت به دست آمد. همچنین با بررسی منحنی C-V در خازن MOS حاصله، ضمن تأیید تشکیل پیوند فلز- عایق- نیمه هادی، ولتاژ آستانه آن حدود 75/2 ولت بدست آمد. این فعالیت خصوصاً نشاندن لایه هایی از مواد مختلف به عنوان روش نو قابل عرضه است. پرونده مقاله
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  6 - طراحی وشبیه سازی تقویت کننده کم نویز (LNA) کاملاً مجتمع کم‌توان با تکنولوژی0.18 µm CMOS در فرکانس‌های 9/1 و 9/0 گیگا هرتز
  ابراهیم عبیری جهرمی رضیه سلطانی سروستانی
  دو پارامتر مهم که در طراحی تقویت کننده کم نویز( LNA) باید به آن توجه کرد توان مصرفی پائین و عدد نویز کم می‌باشد. از مشکلات دیگر طراحی می‌توان به چگونگی ایجاد مقاومت 50 اهم پایدار در ورودی برای تطبیق امپدانس و هم زمان بالا بردن بهره نام برد. همچنین نحوه خطی سازی در محدود چکیده کامل

  دو پارامتر مهم که در طراحی تقویت کننده کم نویز( LNA) باید به آن توجه کرد توان مصرفی پائین و عدد نویز کم می‌باشد. از مشکلات دیگر طراحی می‌توان به چگونگی ایجاد مقاومت 50 اهم پایدار در ورودی برای تطبیق امپدانس و هم زمان بالا بردن بهره نام برد. همچنین نحوه خطی سازی در محدوده وسیعی از فرکانس کاری، از مسائل مهمی است که باید به آن توجه کرد. با استفاده از ساختار دژنراسیون سلفی در پروسه 0.18 µm CMOS خواسته های مورد نظر تأمین می شود. مدار پیشنهادی در این مقاله، عدد نویز کمتر از 2.5db و توان مصرفی کمتر از 4mw را در فرکانس 9/1 و عدد نویز کمتر از 0.7db و توان مصرفی کمتر از 0.9mwرا در فرکانس 9/0 گیگاهرتز، تطبیق امپدانس ورودی و خروجی 50 اهم و خطی سازی مناسب در هر دو فرکانس را نتیجه می دهد. پرونده مقاله