گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم، جریان نشتی پایین و سوئینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم (Vdd = 0.5 V) می باشد. چندین مدار XOR به طور کامل با استفاده از HSPICE با تکنولوژی های 32nm CMOS و 32nm CNTFET در یک ولتاژ تغذیه کم شبیه سازی شده اند. مدار XOR پیشنهادی با مدارهای قبلاً شناخته شده مقایسه شده و عملکرد ممتاز آن نشان داده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهند که XOR ولتاژ پایین جدید، تلفات توان کمتر، جریان نشتی کمتر و PDP کوچکتری در مقایسه با سایر مدارات XOR قبلی دارد و نسبت به تغییرات پروسه مقاوم می‌باشد. براساس نتایج بدست آمده در ولتاژ تغذیه 0/5 ولت، فرکانس 250 مگا هرتز و خازن بار 3/5 فمتو فاراد، XOR پیشنهادی تاخیر انتشار برابر 149/05 پیکو‌ثانیه، توان مصرفی 716/72 پیکو وات، توان نشتی 1/25 پیکو وات و PDP برابر 21-10×10/683 ژول از خود نشان می‌دهد. XOR پیشنهادی می تواند به خوبی در مدارات جمع کننده ولتاژ پایین و توان پایین استفاده شود. پرونده مقاله

در این مقاله یک تقویت‌کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) کاملاً تفاضلی دو طبقه مبتنی بر وارونگر موس گیت شناور/ موس با ولتاژ آستانه دینامیک (DT/FGMOS) با ولتاژ تغذیه 5/0 ولت ارائه می‌شود. وارونگر پیشنهادی در ساختار این تقویت‌کننده ترارسانایی عملیاتی به صورت ترکیبی از روش موس با ولتاژ آستانه دینامیکی (DTMOS) [برای تمامی ترانزیستورهای پی-موس (PMOS)] و ترانزیستور موس گیت شناور (FGMOS) [برای تمامی ترانزیستورهای ان-موس (NMOS)] در یک فرایند ان-ول (n-well) است. در این مدار جهت محدود‌سازی بهره حالت مشترک از مسیرهای پیش رو و پسخور استفاده شده است. طبقه اول دارای مسیرهای پیش رو جهت حذف حالت مشترک و طبقه دوم دارای فیدبک حالت مشترک جهت تثبیت ولتاژ حالت مشترک خروجی بر روی نصف ولتاژ (V dd) است. براساس نتایج شبیه‌سازی پسا-جانمایی، تقویت‌کننده ترارسانایی عملیاتی پیشنهادی بهره 61 دسی بل را با فرکانس بهره واحد 1/1 مگاهرتز تحت خازن‌های بار 13 پیکوفاراد از خود نشان داد. با بررسی‌های انجام شده با آنالیز مونت-کارلو مشخص گردید که تقویت‌کننده ترارسانایی عملیاتی مبتنی بر وارونگر پیشنهادی تحت تغییرات فرایند و عدم مطابقت افزاره می‌تواند به خوبی عملکرد مناسبی از خود نشان دهد. مدار پیشنهادی در فناوری 180 نانومتر سی‌موس مساحت 182/0 میلی متر مربع را از تراشه اشغال می‌کند. توان مصرفی آن 17 میکرووات بوده و می‌تواند در کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین از جمله در تجهیزات قابل حمل به خوبی استفاده شود. براساس بررسی‌های انجام شده، استفاده از روش موس با ولتاژ آستانه دینامیکی و موس گیت شناور می‌تواند به کاهش موثر ولتاژ آستانه ترانزیستورها و عملکرد خوب تقویت‌کننده ترارسانایی عملیاتی پیشنهادی در ولتاژ پایین منجر شود. پرونده مقاله

یک فشرده ساز، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی می‌باشد. طراحی یک فشرده ساز که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا می‌باشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل می‌کند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در فشرده‌ساز اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل می‌شود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ترانزیستور FinFET براساس مدل فرایند PTM 32nm با ولتاژ تغذیه 0.5 ولت برای کاربردهای موبایل پیشنهاد شده است.سپس، از تمام جمع کننده پیشنهادی در ساختار فشرده ساز استفاده شده و عملکرد فشرده ساز 4:2 پیشنهادی با نتایج شبیه سازی بدست آمده از نرم افزار HSPICE ارزیابی شده است. پارامترهای اصلی فشرده ساز از قبیل توان مصرفی، تاخیر، PDP‌و EDP اندازه گیری شده و عملکرد ممتاز آن با شبیه سازی های مختلف ثابت گردید. همچین، در مقایسه با فشرده ساز مبتنی بر MOSFET، تعداد ترانزیستورها به 42 عدد کاهش یافت. پرونده مقاله

در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستور FGMOS پیشنهاد شده است. در OTA پیشنهادی در تکنولوژی TSMC 0.18 µm CMOS با ولتاژ تغذیه یک ولت و توان مصرفی ماکزیمم 40 µW، محدوده تنظیم نسبی 50 برابر به دست می‌آید. نتایج شبیه‌سازی تقویت‌کننده پیشنهادی، بهره حلقه باز 30.2 dB و فرکانس بهره واحد 942 MHz را نشان می‌دهند. در مقایسه با کارهای قبلی، تقویت کننده پیشنهادی، با ولتاژ تغذیه کمتر، عملکرد فرکانسی بهتر، سوئینگ ولتاژ خروجی بالاتر، خطینگی بهتر و توان مصرفی کمتری را عرضه می‌کند. OTA پیشنهادی در ساختار یک فیلتر "G" _"m" "-C" مرتبه دوم به کار گرفته شده و محدوده تنظیم خوب از 100 kHz تا 5.6 MHz به دست آمد که مشخصات بی‌سیم Bluetooth (فرکانس 650 kHz)، CDMA2000 (فرکانس 700 kHz) و Wideband CDMA (فرکانس 2.2 MHz) را به خوبی پوشش می‌دهد. مساحت اشغال شده سیلیکون برای فیلتر طراحی شده برابر 192μm×535μm می‌باشد. پرونده مقاله