فهرست مقالات Reza Safian


  • مقاله

    1 - طراحی کوپلر جهتی موجبری بر اساس ساختار موجبر مجتمع درون زیرلایه
    روش‌های هوشمند در صنعت برق , شماره 2 , سال 3 , تابستان 1391
    موجبر مجتمع درون زیرلایه (SIW) مدل جدیدی از ساختار موجبری است که می‌تواند در مدارات مجتمع مایکروویو و موج‌میلیمتری پیاده‌سازی شود. در این مقاله یک کوپلر جهتی موجبری دو لایه بر اساس ساختار SIW پیشنهاد می‌شود. فرایند طراحی بر مبنای تئوری کوپلینگ و روش چبی‌شف می‌باشد. این چکیده کامل
    موجبر مجتمع درون زیرلایه (SIW) مدل جدیدی از ساختار موجبری است که می‌تواند در مدارات مجتمع مایکروویو و موج‌میلیمتری پیاده‌سازی شود. در این مقاله یک کوپلر جهتی موجبری دو لایه بر اساس ساختار SIW پیشنهاد می‌شود. فرایند طراحی بر مبنای تئوری کوپلینگ و روش چبی‌شف می‌باشد. این ساختار پیشنهادی از ساختار مایکرواستریپ برای پورت‌های ورودی و خروجی‌ و از ساختار خم برای اعمال بر روی موجبر SIW استفاده می‌کند. بهینه‌سازی خم SIW برای حصول حداقل افت عبوری با استفاده از نرم‌افزار HFSS انجام ‌شده است. فرکانس مرکزی برای طراحی کوپلر dB 20، GHz 10 است و پهنای باند به دست آمده برای این ساختار 60 درصد می‌باشد. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهند که مقدار کوپلینگ تقریباً در تمام پهنای باند، با حداقل تغییرات dB 2 ثابت می‌ماند. از طرفی با افزایش تعداد روزنه‌ها، می‌توان به پهنای باند بیشتر دست‌ یافت. همچنین با اضافه کردن یک ردیف از روزنه‌های کوپلینگ، در طرف دیگر دیوار مشترک، دامنه امواج دو برابر می‌شود و مقدار کوپلینگ dB 6 افزایش می‌یابد. پرونده مقاله

  • مقاله

    2 - تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه‌ی زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه
    روش‌های هوشمند در صنعت برق , شماره 2 , سال 5 , تابستان 1393
    در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه‌ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ چکیده کامل
    در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه‌ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتداد خط مرکزی موجبر و در مرکز موجبر روی سطح مسی دی الکتریک و بالای موجبر قرار می‌گیرد. میزان عمق زیگ‌زاگ از خط مرکزی موجبر متناسب با تشعشع مورد نیاز از شکاف است و کنداکتانس نرمالیزه شده شکاف نیز با افزایش عمق زیگ زاگ می‌تواند افزایش یابد. در این مقاله فرض توزیع المان موازی برای ساختار پیشنهادی در نظر گرفته شد. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد ساختار پیشنهادی، کاندیدای مناسبی برای جایگزینی با شکاف موازی طولی رایج است. از جمله دلایلی که این ساختار برای تحریک یک آنتن شکافی طولی معرفی شده است، هزینه ساخت کم، کوچک بودن و سازگاری آن‌ها با مدارهای مایکرواستریپ است. هم چنین با توجه به این که شکاف مورد نظر در امتداد خط مرکزی موجبر قرار می‌گیرد و عمق زیگ زاگ جایگزین انحراف شکاف از خط مرکزی (offset) می‌شود، با این روش می‌توانیم طراز گلبرگ‌های پروانه‌ای‌در الگوی تشعشعی یک آرایه متشکل از ساختار پیشنهادی را کاهش دهیم. پرونده مقاله