در این مقاله یک آنتن سیمی با ساختاری جدید برای فرکانس مرکزی 15 مگاهرتز طراحی و شبیه سازی شده است. این آنتن علاوه بر این که طول آن نسبت به طول موج کوتاه است داری مقاومت تشعشعی زیاد و مقاومت موهومی کم در مقایسه با آنتن تک قطبی با طول برابر است. همچنین برای داشتن راندمان بالا و بیشترین پهنای باند در بازه فرکانسی 10 تا 25 مگاهرتز، ابعاد آنتن بهینه شده است. برای طراحی و شبیه سازی این آنتن از نرم افزار S-NEC که یکی از نرم افزارهای تخصصی در این زمینه است استفاده می شود. همچنین می توان ابعاد آنتن را با یک نسبت خاص مثلاً 1000 افزایش داد و بنا براین فرکانس کار آنتن با همین نسبت کاهش می یابد، چنین آنتن هایی که در باند VLF کار می کنند برای مواردی خاص کاربرد دارند. پرونده مقاله

با استفاده از تکنولوژی 0.18µm ، ترانزیستورهای CMOS یک نمونه VCO طراحی شده است. در ساختار VCO پیشنهادی، از یک سلف فعال قابل تنظیم و یک ورکتور برای تانک LC استفاده شده است. تنظیم فرکانس گسترده در این مدار توسط سلف فعال قابل تنظیم و تنظیمات ریز با واراکتور کنترل می گردد. VCO با ورکتور MOS در حالت انبارش دارای کمترین مصرف توان و پایین ترین نویز فاز در فرکانس های آفست بزرگ می باشد. مزایای اعمال شده توسط ورکتورهای MOS زمانی که تکنولوژی های CMOS پیشرفته تری انتخاب شوند بخوبی افزایش می یابد. به دلیل عدم وجود عناصر غیر فعال، VCO کاملاً مجتمع سطح تراشه ای کم تری را در مدار اشغال می کند. پرونده مقاله

دو پارامتر مهم که در طراحی تقویت کننده کم نویز( LNA) باید به آن توجه کرد توان مصرفی پائین و عدد نویز کم می‌باشد. از مشکلات دیگر طراحی می‌توان به چگونگی ایجاد مقاومت 50 اهم پایدار در ورودی برای تطبیق امپدانس و هم زمان بالا بردن بهره نام برد. همچنین نحوه خطی سازی در محدوده وسیعی از فرکانس کاری، از مسائل مهمی است که باید به آن توجه کرد. با استفاده از ساختار دژنراسیون سلفی در پروسه 0.18 µm CMOS خواسته های مورد نظر تأمین می شود. مدار پیشنهادی در این مقاله، عدد نویز کمتر از 2.5db و توان مصرفی کمتر از 4mw را در فرکانس 9/1 و عدد نویز کمتر از 0.7db و توان مصرفی کمتر از 0.9mwرا در فرکانس 9/0 گیگاهرتز، تطبیق امپدانس ورودی و خروجی 50 اهم و خطی سازی مناسب در هر دو فرکانس را نتیجه می دهد. پرونده مقاله