در تحقیق حاضر کامپوزیت سطحی Al-SiC-B₄C با مقادیر مختلف B₄C بر روی سطح آلیاژ AA332 پیش نشت شد. نمونه­ها به وسیله فرآیند GTAW ذوب و کامپوزیت سازی سطحی شدند. بررسی­های ریزساختاری به وسیله میکروسکوپ نوری (OM) و الکترونی روبشی (SEM) نشان دادند که فازهای تقویت کننده SiC و B₄C تمایل بالایی برای قرارگیری بر روی مرزدانه­ها و در مجاورت آن­ها دارند. نتایج نشان داد که با افزایش میزان B₄C میل به تشکیل Al₃B₄C و Al₄C₃ افزایش می­یابد. با افزایش میزان B₄C سختی لایه کامپوزیتی تا 182 ویکرز، بیش از دو برابر افزایش یافت. برخلاف سختی، مقاومت به سایش با افزایش میزان B₄C رفتار متفاوتی نشان داد. نتایج آزمون سایش پین بر روی دیسک نشان داد که وجود B₄C در هر صورت، منجر به کاهش نرخ سایش می گردد؛ اما پس از طی مسافت 1000 متر  با افزایش میزان B₄C نرخ سایش افزایش یافت. با بررسی سطوح فرسوده توسط SEM مشخص شد که مکانیزم سایشی با افزایش B₄C از چسبان به خراشان تغییر می­کند.         پرونده مقاله