استفاده از ضرب‌‌کننده‌‌های خازنی در مدارهای مجتمع فرکانس پایین، تاثیر قابل توجه در کاهش مساحت تراشه دارد. در مدار پیشنهادی به‌‌منظور کاهش مقاومت معادل سری در طبقه‌‌‌ ورودی از ساختار مبتنی‌‌بر دنبال‌‌کننده جریان بازگشتی استفاده‌‌ شده است. استفاده از مدار کمکی جهت تطبیق جریان بایاس ترانزیستورها و اعمال سیگنال‌‌های لازم توسط تکنیک گیت شبه‌‌شناور به‌‌منظور کاهش توان مصرفی ایستا و افزایش خطینگی از دیگر ویژگی‌‌های مدار پیشنهادی است. همچنین جهت افزایش خطینگی از فیدبک منفی استفاده شده است تا ولتاژ لازم به گیت ترانزیستورهای نمونه‌‌بردار جریان اعمال ‌‌شود. ضریب مقیاس‌‌گذاری K با روش فعال قابل تنظیم‌‌ است. مقاومت ورودی پایین و مقاومت خروجی بالا و حداقل مساحت مدار پیشنهادی، از نتایج نظری و شبیه‌‌سازی مدار پیشنهادی است. مدار پیشنهادی در فناوری 18/0 میکرومتر و با تغذیه‌ 8/0 ولت شبیه‌‌سازی شده است. نتایج نشان می‌‌دهد مدار پیشنهادی برای خازن معادل 204 پیکوفاراد با خازن پایه 1 پیکو فاراد، توانی معادل 850 نانووات مصرف می‌‌کند. به‌‌عنوان مثالی دیگر، برای تحقق خازن 101 پیکو فاراد با تغذیه و خازن پایه‌ مذکور، ضرب‌‌کننده پیشنهادی، به مساحتی 3/6 بار کم‌‌تر و پهنای باند 23 بار بیشتر نسبت به FCF نیاز دارد که نشانگر افزایش صحت طرح پیشنهادی است. در مدار پیشنهادی، با حضور مدار تطبیق جریان با دامنه سیگنال 7 نانوآمپر در ورودی، دامنه‌‌‌‌ سیگنال جریان خروجی 1510 نانو آمپر است؛ در حالی که جریان بایاس خروجی 100 نانوآمپر بوده و مقدار اعوجاج هارمونیکی 6/3 درصد است. مدار پیشنهادی دارای بیشترین ضریب شایستگی یعنی 823/48 مگاهرتز بر میکرووات است که معرف عملکرد بهتر نسبت به مدارهای گزارش‌‌‌‌شده قبلی است. پرونده مقاله