آرایه نانوسیم‌های مغناطیسی آلیاژی Co1-xSnx/Cu در قالب حفره‌دار آلومینای آندی (AAO) دست‌ساز با استفاده از روش الکتروانباشت سنتز گردید. با توجه به تمایل متفاوت یون‌ها به کاهش در الکترود کار (WE) نانوسیم‌های تشکیل شده ترکیبی متفاوت از ترکیب یون‌ها در محلول دارند. آنالیزهای SEM، XRD و AGFM جهت بررسی ساختار و خواص مغناطیسی نانوسیم‌های سنتز شده مورد استفاده قرار گرفتند. تاثیر دمای تابکاری، فرکانس الکتروانباشت و ترکیب درصد فلزات انباشت شده بر خواص مغناطیسی نانوسیم‌های تهیه شده شامل مغناطش اشباع، وادارندگی (Hc) و نسبت مربعی (Mr/Ms) مورد بررسی قرار گرفت. وادارندگی و نسبت مربعی نانوسیم‌های آلیاژی ساخته شده با یکدیگر مقایسه و مشخص شد با افزایش میزان مس در ساختار نانوسیم‌ها وادارندگی نانوسیم‌های مغناطیسی کاهش می‌یابد. این روند در تمام نمونه‌های تابکاری شده و تابکاری نشده دیده می‌شود. نمونه (Co99Sn1)1-xCux با 4/25% اتم مس و 4/30% قلع و 7/43% اتم کبالت در نانوسیم تهیه شده بیشترین وادارندگی را دارد. از طرف دیگر اثر تابکاری بر وادارندگی نمونه نشان داد که با افزایش دمای تابکاری وادارندگی افزایش می‌یابد. نتایج نشان می‌دهد که نمونه (Co99Sn1)1-xCux بعد از تابکاری بیشترین افزایش وادارندگی را دارد. بررسی نتایج اثر فرکانس الکتروانباشت نشان می‌دهند که شکل موج سینوسی و فرکانس Hz 400 مناسب‌ترین شرایط برای الکتروانباشت نانوسیم‌ها است. پرونده مقاله