در این مقاله، توجه خود را به تمام جمع‌کننده‌های مبتنی بر روش GDI محدود می‌کنیم، مدارهایی که معمولاً در مدارهای پرسرعت استفاده می‌شوند و بیشتر در معرض نویز هستند. تاکنون بررسی جامعی در مورد مصونیت در برابر نویز و تغییر دمای محیط تمام جمع‌کننده‌های مبتنی بر روش GDI ارائه نشده و اکثر مقالات طرح پیشنهادی خود را با سایر تمام جمع‌کننده‌ها مقایسه کرده‌اند که عمدتاً مبتنی بر روش GDI نیستند. این سلول‌های تمام جمع کننده با شبیه‌سازی‌های مختلفی از قبیل تغییر ولتاژ تغذیه، تغییر بار خازنی، تغییر دمای محیط و تغییرات ناشی از فرآیند، ولتاژ تغذیه و دما (PVT) در فناوری 45 نانومتر CMOS مورد ارزیابی قرار گرفتند. منحنی مصونیت در برابر نویز (NIC) برای سلول‌های تمام جمع کننده استخراج شد تا سلول‌های تمام جمع کننده با عملکرد بهتر مشخص شوند. بهره نویز واحد (UNG)‌ نیز برای ارزیابی نویز بررسی شد. در نهایت مقایسه‌ای جامع از لحاظ تأخیر انتشار، توان مصرفی، حاصل‌ضرب توان-تأخیر (PDP)، سوئینگ، حساسیت در برابر تغییرات فرآیند و نویز برای تمام جمع کننده‌های مبتنی بر روش GDI انجام شد. نتایج به‌دست‌آمده می‌تواند در تصمیم‌گیری طراحان مدار مجتمع برای انتخاب ساختار مناسب تمام جمع کننده مبتنی بر روش GDI مفید واقع شود. پرونده مقاله