In this paper, a GaAs pHEMT class A balanced power amplifier with a 3-dB bandwidth of 4.5 GHz at the center frequency of 9 GHz is presented. Our amplifier yields to an input/output-matching better than -15 dB over this frequency band. Also, the realization of impedance matching network using microstrip line and lumped component is carried out. At the end, simulation results for the broadband impedance matching network are presented and analyzed Manuscript profile

In this article, we have given the size of the coupling constant, a system of quantum electro-dynamics in weak coupling regime, strong and very strong case our analysis and simulation. Also by choosing the type of quantum system and the electrical field of the electromagnetic wave, the size of Rabi frequency to the extent that we are less than excited states and photons in the cavity decay rate is. In this case, the interaction between the quantum system and electromagnetic field coupling regime is weak. It is one of the properties of quantum light emitting modes of the cavity modes can be in resonance with each other, resulting in a sudden increase in the spontaneous emission rate, causing a sharp peak in the density of the spontaneous emission spectrum. The nature of this regime leads to appropriate in light production applications, such as it is possible to increase efficiency, reduce the threshold lasers emitting light in alignment with the vertical cavity structure light emitting diodes noted. Also property is listed under the regime of entangled photons is used in the production of instant. While this research, the rotating wave approximation is used in this context, survival and annihilation operators of photons Sinusoidal behavior.  Manuscript profile

در این مقاله ما به طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور تونلی جدید پرداخته ایم. ترانزیستورهای فت‌تونلی بدلیل سازوکار جریان تونل‌زنی نوار به نوار، دارای جریان نشتی کم و شیب زیرآستانه کمتر از mV/dec60 هستند و می‌توانند به عنوان جایگزینی مناسب برای ماسفت به منظور استفاده در مدارات کلیدزنی توان پایین باشد. با این حال؛ عیب این ترانزیستورها جریان حالت روشن کمتر آن ها نسبت به ترانزیستورهای ماسفت است. در این مقاله یک ساختار ترانزیستور تونلی دو گیتی – دو ماده‌ای بهینه شده پیشنهاد شده که با اضافه کردن دو ناحیه با آلایش ذاتی به ساختار فت‌تونلی دو گیتی رایج، سعی در افزایش نرخ تونل‌زنی حامل‌ها در مقایسه با ترانزیستورهای تونلی مرسوم شده است. طراحی و شبیه سازی با استفاده از نرم‌افزار سیلواکو - اتلس بصورت دوبعدی صورت گرفته است. نتایج محاسبه شده بصورت زیر است: جریان حالت روشن برابر A/µm6-10×49/5، جریان حالت خاموش برابرA/µm 18-10×2، شیب زیرآستانه برابر mV/dec02/15 و نسبت Ion/Ioff برابر 1012×74/2. نتایج حاصله نشان دهنده بهبود پارامترهای DC افزاره است. Manuscript profile