در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی با استفاده از تکنولوژی CMOS 0.18µm به منظور استفاده در بخش تقویت کننده گیرنده های مخابرات نوری ارائه شده است. ایده ارائه شده در این مقاله بر مبنای استفاده از یک ساختار فیدبک دار موازی- موازی با طبقه بهره کسکود می باشد. این ساختار بصورت شبه تفاضلی بوده و جهت افزایش محدوده مجاز توان ورودی و جلوگیری از اشباع تقویت کننده، مدار با یک بهره متغیر طراحی شده است. نتایج شبیه سازی بهره ماکزیمم dB 64 ، پهنای باند GHz8/1 ، مصرف توان mw 20 و شدت طیفی جریان نویز ارجاع شده به ورودی PA /9 ، را نشان می دهد. همچنین با استفاده از کنترل بهره متغیر، بهره امپدانس انتقالی تقویت کننده می تواند تا dBΩ 46 کاهش یابد. نتایج بدست آمده حاکی از آن است که طرح پیشنهادی برای یک سیستم مخابرات نوری Gb/s 5/2 بسیار مناسب می باشد. Manuscript profile