در مطالعه حاضر، تحلیل تغییر مکان استاتیکی وابسته به اندازه نانولوله تحت نیروی الکترواستاتیک با در نظر گرفتن اثرات لایه سطحی و شرایط مرزی مختلف بررسی شده است. نتایج این بررسی برای چهار شرایط مرزی مختلف، دوسرمفصل، دوسرگیردار، گیردار-مفصل و گیردار- آزاد به‌دست آمده است. همچنین نانولوله تحت میدان مغناطیس، تحریک الکترواستاتیک نیروی مکانیکی و حرارتی است. در این بررسی معادلات حاکم بر حرکت با استفاده از تئوری ارینگن حاصل شده و این معادله با استفاده از روش عددی مانده وزن‌دار محاسبه می‌شود. همچنین سرعت سیال، پارامتر مقیاس طول، میدان مغناطیس، ولتاژ الکترواستاتیک، اثرات لایه سطحی و شرایط مرزی مختلف بر تغییر مکان استاتیکی در این پژوهش بررسی می‌شود. نهایتا صحت نتایج حاصله با مقایسه آن‌ها با نتایج حاصل از روش‌های عددی در پژوهش‌های قبلی مورد بررسی قرار گرفته و مطابقت خوبی بین کار حاضر و مطالعات پیشین دیده شده است. با توجه به نتایج مشخص شد که افزایش مقادیر مختلف اثرات لایه سطحی موجب افزایش سفتی سیستم می‌گردد و با افزایش سرعت سیال تغییر مکان استاتیکی افزایش می‌یابد. از سویی دیگر مشاهده گردید که افزایش پارامتر مقیاس طول موجب افزایش تغییر مکان استاتیکی و کاهش سفتی سیستم می‌شود. Manuscript profile