فهرس المقالات photocurrent

• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  1 - Employing constant photocurrent method for the study of defects in silicon thin films
  Hitendra K. Malik Sucheta Juneja Sushil Kumar
  10.1007/s40094-019-0325-4
  AbstractDifferent optical characterization techniques have been performed on a series of microcrystalline silicon thin films deposited using very high-frequency-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition process. The constant photocurrent method has been employe أکثر

  AbstractDifferent optical characterization techniques have been performed on a series of microcrystalline silicon thin films deposited using very high-frequency-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition process. The constant photocurrent method has been employed to study the defects states in density of states spectra of hydrogenated microcrystalline silicon thin films. The photocurrent measurements demonstrate anisotropy in the optoelectronic properties of the material. We have analyzed the optical absorption coefficient from UV spectroscopy and with the help of constant photocurrent method. The spectra have been analyzed in broad region and are presented for both the cases, i.e., surface and bulk light scatterings. The spectra were interpreted in terms of disorder, resulting defect density, crystalline/amorphous volume fractions and material morphology. The subgap-related parameters such as absorption coefficient, characteristic energy E0 of tail states and density of subgap defect states together with an estimate of the bandgap of silicon films prepared at various crystalline fractions have also been estimated. The density of localized tail states is found to fall exponentially toward the gap with band tail width of about 110 meV. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  2 - Ab initio Calculation for Photocurrent in Silicon p-n Junction: the First-Order Perturbation Theory
  Majid Ghandchi Hossein Fazlalipour
  A computational study based on first-principles calculations by supercomputers for nanoelectronic devices sometimes leads to results that can rarely be obtained in experimental laboratories with measuring tolerances. In this paper, therefore, we obtained the electronic, أکثر

  A computational study based on first-principles calculations by supercomputers for nanoelectronic devices sometimes leads to results that can rarely be obtained in experimental laboratories with measuring tolerances. In this paper, therefore, we obtained the electronic, electrical, and optoelectrical properties of silicon p-n junction nanostructures by solving Non-Equilibrium Green’s Function (NEGF) using the first-order perturbation theory. We extracted the density of states (DOS), quantum carrier transport coefficient, IV-curve, and optoelectrical behavior by calculating the photocurrent and then plotted the light absorption spectrum. In the studied silicon nanostructure, light absorption is negligible for incident photon energy below 1 eV, and peak absorption occurs at 4 eV. In this research, the developed computational model paves the way for the study of nano-opto-electronic devices. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  3 - بررسی تاثیر مشخصات لایه آلومینیومی بر عملکرد آشکارساز نوری MSM سیلیکنی
  مریم زارع پور حامد دهدشتی جهرمی
  آشکارساز نوری فلز-نیمه‌هادی-فلز از دو پیوند شاتکی و روزنه‌هایی برای جذب فوتون تشکیل شده و جریان تاریک کمی دارد. در این مقاله، به بررسی تاثیر مشخصات اتصال آلومینیومی بر جریان‌های تاریک و نوری و پاسخ نوری آشکارساز فلز- نیمه هادی-فلز (MSM) سیلیکنی پرداخته شده است. با توجه أکثر

  آشکارساز نوری فلز-نیمه‌هادی-فلز از دو پیوند شاتکی و روزنه‌هایی برای جذب فوتون تشکیل شده و جریان تاریک کمی دارد. در این مقاله، به بررسی تاثیر مشخصات اتصال آلومینیومی بر جریان‌های تاریک و نوری و پاسخ نوری آشکارساز فلز- نیمه هادی-فلز (MSM) سیلیکنی پرداخته شده است. با توجه به روش رشد لایه فلزی، تابع کار یک فلز می‌تواند در یک بازه محدود تغییر کند. تاثیر تغییرات تابع کار آلومنیوم بر عملکرد آشکارساز مذکور مطالعه شده است. پس از تعیین تابع کار بهینه لایه فلزی، تاثیر ضخامت لایه آلومینیومی بر عملکرد آشکارساز بررسی شده است. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد تابع کار و ضخامت لایه آلومینیوم تاثیر مستقیمی بر جریان تاریک، جریان نوری و پاسخ نوری قطعه دارد. تاثیر این دو مولفه بر پارامترهای آشکارساز نوری مذکور به نحوی است که می‌تواند ساختار را از حالت آشکارسازی خارج کرده و تبدیل به یک مقاومت الکتریکی نماید. بنابراین لازم است برای ساخت، با انتخاب روش لایه نشانی مناسب و ضخامت لایه فلزی مناسب، پارامترهای مذکور بهینه شوند. در این تحقیق برای یک آشکارساز نوری MSM با ساختار متقارن، تابع کار بهینه برابر با 26/4 الکترون ولت به دست آمد. توابع کار کمتر از این مقدار منجر به ایجاد اتصال اهمی بین لایه آلومینیومی و لایه سیلیکنی و توابع کار بیشتر از این مقدار منجر به ایجاد یک پیوند شاتکی با ولتاژ شکست بسیار کم در ناحیه بایاس معکوس می شود. همچنین بهترین ضخامت لایه آلومینیومی برابر با 1/1 میکرو-متر به دست آمد. این ضخامت منجر به بیشترین مقدار پاسخ نوری در آشکارساز مورد مطالعه می شود. تفاصيل المقالة