فهرس المقالات Ternary Half Adder

• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  1 - High-Speed Ternary Half adder based on GNRFET
  Mahdieh Nayeri Peiman Keshavarzian Maryam Nayeri
  10.22034/jna.2019.1865874.1138
  Superior electronic properties of graphene make it a substitute candidate for beyond-CMOS nanoelectronics in electronic devices such as the field-effect transistors (FETs), tunnel barriers, and quantum dots. The armchair-edge graphene nanoribbons (AGNRs), which have sem أکثر

  Superior electronic properties of graphene make it a substitute candidate for beyond-CMOS nanoelectronics in electronic devices such as the field-effect transistors (FETs), tunnel barriers, and quantum dots. The armchair-edge graphene nanoribbons (AGNRs), which have semiconductor behavior, are used to design the digital circuits. This paper presents a new design of ternary half adder based on graphene nanoribbon FETs (GNRFETs). Because of reducing chip area and integrated circuit (IC) interconnects, ternary value logic is a good alternative to binary logic. Extensive simulations have been performed in Hspice with 15-nm GNRFET technology to investigate the power consumption and delay. Results show that the proposed design is very high-speed in comparison with carbon nanotube FETs (CNTFETs). The proposed ternary half adder based on GNRFET at 0.9V exhibiting a low power-delay-product (PDP) of ~10-20 J, which is a high improvement in comparison with the ternary circuits based on CNTFET, lately proposed in the literature. This proposed ternary half adder can be advantageous in complex arithmetic circuits. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  2 - High-Speed Ternary Half adder based on GNRFET
  Mahdieh Nayeri Peiman Keshavarzian Maryam Nayeri
  10.22034/jna.2019.668030
  Superior electronic properties of graphene make it a substitute candidate for beyond-CMOSnanoelectronics in electronic devices such as the field-effect transistors (FETs), tunnel barriers, andquantum dots. The armchair-edge graphene nanoribbons (AGNRs), which have semic أکثر

  Superior electronic properties of graphene make it a substitute candidate for beyond-CMOSnanoelectronics in electronic devices such as the field-effect transistors (FETs), tunnel barriers, andquantum dots. The armchair-edge graphene nanoribbons (AGNRs), which have semiconductor behavior,are used to design the digital circuits. This paper presents a new design of ternary half adder basedon graphene nanoribbon FETs (GNRFETs). Due to reducing chip the area and integrated circuit (IC)interconnects, ternary value logic is a good alternative to binary logic. Extensive simulations have beenperformed in Hspice with 15-nm GNRFET technology to investigate the power consumption and delay.Results show that the proposed design is very high-speed in comparison with carbon nanotube FETs(CNTFETs). The proposed ternary half adder based on GNRFET at 0.9V exhibiting a low power-delayproduct(PDP) of ~10-20 J, which is a high improvement in comparison with the ternary circuits basedon CNTFET, lately proposed in the literature. This proposed ternary half adder can be advantageous incomplex arithmetic circuits. تفاصيل المقالة
• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  3 - نیم جمع کننده DCVS سه مقداری با استفاده از تقویت کننده‌های توکار
  نغمه ده آبادی رضا فقیه میرزایی
  منطق DCVS یکی از معروف‌ترین روش‌های طراحی مدارهای الکترونیکی است، که یک ساختار مستحکم ایجاد می‌کند. بعلاوه، در این منطق طراحی، دو خروجی که مکمل یکدیگر هستند به‌طور همزمان تولید می‌شوند. این منطق کاربردها و ویژگی‌های زیادی دارد. در این مقاله با استفاده از سه روش مشابه، ن أکثر

  منطق DCVS یکی از معروف‌ترین روش‌های طراحی مدارهای الکترونیکی است، که یک ساختار مستحکم ایجاد می‌کند. بعلاوه، در این منطق طراحی، دو خروجی که مکمل یکدیگر هستند به‌طور همزمان تولید می‌شوند. این منطق کاربردها و ویژگی‌های زیادی دارد. در این مقاله با استفاده از سه روش مشابه، نیم جمع کننده‌های DCVS سه مقداری جدید ارائه می‌شوند، که کارآمدی آنها به ویژه در مواقع اتصال آبشاری مدارها نمایان می‌گردد. وجود این مدارها برای طراحی مدارهای بزرگتر محاسباتی حیاتی است. در سومین و اصلی‌ترین روش پیشنهادی، به جای استفاده از معکوس کننده‌های سه مقداری که توان ایستای قابل ملاحظه‌ای مصرف می‌کنند، از تقویت کننده‌های دودویی کم مصرف توکار به منظور تقویت سیگنال و افزایش قابلیت راندن مدارهای DCVS استفاده شده است. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزار اچ-اسپایس و کتابخانه ترانزیستورهای نانو لوله کربنی با طول کانال 32 نانومتر نشان می‌دهد که استفاده از تقویت کننده‌های دودویی نسبت به معادل سه مقداری موجب افزایش سرعت تا 8/21 درصد و کاهش توان مصرفی تا 7/6 درصد در یک بستر تست واقعی می‌گردد. همچنین، آخرین طرح پیشنهادی با سه نیم جمع کننده سه مقداری دیگر نیز مقایسه شده است، که طرح جدید سرعت بالاتری از تمام آنها دارد. در مقایسه با نیم جمع کننده DCVS قبلی، مدار پیشنهادی هم از لحاظ سرعت، و هم از لحاظ مصرف توان و انرژی عملکرد بهتری دارد. تفاصيل المقالة