• معلومات عنا
  • خدمات
    • باحثون
    • للمؤلفين
    • رئیس التحرير
    • للمحررين
    • الحکم
    • للحَکَم
  • قائمة المجلات
  • طلب
  • اتصل بنا
  • الصفحة الرئيسية
  • معلومات عنا
  • اتصل بنا
  • تسجيل
  • دخول
  • طلب
البحث المتقدم
  • الصفحة الرئيسية
  • 2D Analytical model
    • فهرس المقالات 2D Analytical model

      • حرية الوصول المقاله
        • صفحة الملخص
        • نص كامل

        1 - An innovative method for estimating optimal Gate work function and dielectric constant of a nanoscale DG-TFET based on analytical modeling of tunneling length in ambipolar, Off and ON states
        Ali Heydari Seyed Ali Sedigh Ziabari Fayzollah Khorramrouz
        10.22034/jna.2020.1881749.1166
      • حرية الوصول المقاله
        • صفحة الملخص
        • نص كامل

        2 - An innovative method for estimating optimal Gate work function and dielectric constant of a nanoscale DG-TFET based on analytical modeling of tunneling length in ambipolar Off and ON states
        Fayzollah Khorramrouz Seyed Ali Sedigh Ziabari Ali Heydari
        10.22034/jna.2021.685452
      • حرية الوصول المقاله
        • صفحة الملخص
        • نص كامل

        3 - An innovative method for estimating optimal Gate work function and dielectric constant of a nanoscale DG-TFET based on analytical modeling of tunneling length in ambipolar, Off and ON states
        Fayzollah Khorramrouz Seyed Ali Sedigh Ziabari Ali Heydari
        10.22034/jna.2020.680049

سند


Sanad is a platform for managing Azad University publications

الروابط


  • جامعة آزاد الإسلامية
  • Iranian Journals IndexedIn ISI

المراكز ذات الصلة


  • مكتب المرشد الأعلى
  • المؤسسة الرئاسية
  • وزارة العلوم والبحوث والتكنولوجيا
  • وزارة الصحة والتعليم الطبي
  • مركز التواصل المجتمعي (SAMS)

دعامة


الصفحات الرسمية



  • الصفحة الرئيسية
  • خريطة الموقع
  • جامعة آزاد الإسلامية
  • اتصل بنا

حقوق هذا الموقع الإلكتروني مملوكة لنظام SANAD Press Management. © 1442-1446

الصفحة الرئيسية| دخول| معلومات عنا| اتصل بنا|
[English] [فارسی] [en] [fa]
  • IAU
  • دخول