مبدل های آنالوگ به دیجیتال از نظر فرکانس نمونه برداری به دو دسته کلی ، مبدل های با نرخ نایکوئیست و مبدل های بیش نمونه برداری تقسیم می شوند.در مبدل های بیش نمونه برداری سیگنال ورودی با چندین برابر نرخ نایکوئیست نمونه برداری می شود. افزایش نسبت بیش نمونه برداری منجر به اف أکثر
مبدل های آنالوگ به دیجیتال از نظر فرکانس نمونه برداری به دو دسته کلی ، مبدل های با نرخ نایکوئیست و مبدل های بیش نمونه برداری تقسیم می شوند.در مبدل های بیش نمونه برداری سیگنال ورودی با چندین برابر نرخ نایکوئیست نمونه برداری می شود. افزایش نسبت بیش نمونه برداری منجر به افزایش رزولوشن موثر می شود در مقابل برای سیگنالهای باند وسیع استفاده از نسبت بیش نمونه برداری بالا به خاطر نیاز به فرکانسهای نمونه برداری و توان مصرفی بالا، غیر عملی است.افزایش تعداد بیتها نیز باعث افزایش محدوده دینامیکی می گردد در مقابل DACچند بیتی مورد نیاز در مسیر فیدبک خطی نمی باشد. در این مقاله یک مبدل آنالوگ به دیحیتال سیگما دلتا با دقت 12بیت ،منبع تغذیه 1V و فرکانس نمونه برداری MS/s 2.4 برای کاربردهای توان پایین طراحی کردیم.از سوی دیگرافزایش سطوح کوانتیزاسیون(تعداد بیت کوانتایزر) باعث کاهش توان نویز داخل باند سیستم می شود و حاصل آن بهتر شدن نسبت سیگنال به نویز، پایداری و عدم نیاز به افزایش نسبت فوق نمونه برداری است.ما با انتخاب ضرایب فیدبک بهینه در این مدولاتور توانستیم به SNDRبالایی دست یابیم . ساختار پیشنهادی در فن آوری CMOS 0.18µm طراحی شده و نتایج شبیه سازی نشان میدهد که به ازای ولتاژ تغذیهی1V نسبت سیگنال به نویز 71.3 dB و توان مصرفی 451µW و رقم شایستگی (pJ/Conver.step) 3.76بدست می‎آید.
تفاصيل المقالة
در این مقاله یک مبدل آنالوگ به دیجیتال سیکلیک دوازده بیتی با سرعت و دقت بالا و در این حال توان پایین پیشنهاد شده است.CIS . ها به رنج دینامیکی وسیع و سرعت بالا و دقت بالا نیازمند است که در این مقاله پیشنهاد شده است.در نهایت این مدار با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شد و نتا أکثر
در این مقاله یک مبدل آنالوگ به دیجیتال سیکلیک دوازده بیتی با سرعت و دقت بالا و در این حال توان پایین پیشنهاد شده است.CIS . ها به رنج دینامیکی وسیع و سرعت بالا و دقت بالا نیازمند است که در این مقاله پیشنهاد شده است.در نهایت این مدار با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شد و نتایج قابل قبولی بدست آمده است.این مدار به ولتاژ3.3 نیاز دارد و در تکنولوژی 0.35 میباشد.توان مصرفی 11 میلی وات وSFDR معادل 66 دسی بل و THDمعادل2 -و SNDRمعادل 40 دی بی است.سنورهای CIS بهبود یافته با سه تزانزسیتور وADC سیلیک 12بیتی ستون موازی دارای 5/19 بیت رنج دینامیکی دیجیتال و همچنین دارای انعطاف پذیری بالا برای تنظیمات شرایط متفاوت عکس برداری است .
تفاصيل المقالة
در این مقاله، یک مبدل آنالوگ به دیجیتال تقریب متوالی تمام تفاضلی با استفاده از الگوریتم جستجوی غیر دودویی تعمیم یافته با دقت 10 بیت و 11 گام مقایسه و نرخ نمونهبرداری 4.17MS/s ارائه شده است، که این مبدل را برای کاربردهای توان پایین مناسب میسازد چرا که این الگوریتم جستج أکثر
در این مقاله، یک مبدل آنالوگ به دیجیتال تقریب متوالی تمام تفاضلی با استفاده از الگوریتم جستجوی غیر دودویی تعمیم یافته با دقت 10 بیت و 11 گام مقایسه و نرخ نمونهبرداری 4.17MS/s ارائه شده است، که این مبدل را برای کاربردهای توان پایین مناسب میسازد چرا که این الگوریتم جستجو دیگر نیازی به کالیبراسیون ندارد. در الگورتیم جستجوی غیر دودویی همپوشانیهایی بین محدودههای جستجو وجود دارد که این امکان را فراهم میسازد که خطاهای تصمیمگیری بصورت دیجیتالی اصلاح گردد. در این کار به منظور بهبود رفتار خطی ساختار پیشنهادی، یک زیر مبدل دیجیتال به آنالوگ آرایه خازنی با وزن غیردودویی پیادهسازی شده است و نیز با انتخاب مناسب خازنهای غیردودویی آرایهی خازنی سبب افزایش فرکانس نمونه برداری نسبت به مبدل تقریب متوالی متعارف شدهایم. ساختار پیشنهادی بر اساس منطق سوییچزنی یکنوا عمل مینماید. این روش سوییچزنی، توان مصرفی DAC را به نسبت روش سوییچ زنی متعارف تا حد قابل توجهی کاهش میدهد. ساختار پیشنهادی در فن آوری 180nmCMOS طراحی شده است و نتایج شبیه سازی نشان میدهد که به ازای ولتاژ تغذیهی1.8V نسبت سیگنال به نویز و اعوجاج (SNDR) 61.35 dB و توان مصرفی 78.14µW و رقم شایستگی (fj/Conver.step) 19.57 بدست می‎آید.
تفاصيل المقالة
در این مقاله یک مبدل آنالوگ به دیجیتال ستونی-موازی با سرعت بالا و با رزولیشن 12 بیت دارای اندازه کوچک در دو طرف سنسور تصویرپیشنهاد شده است. همچنین در این مقاله یک مقایسه کننده با افست پایین پیشنهاد شده است. روشی برای تسریع سرعت تبدیل با استفاده از همزمان کردن متغیرها (ک أکثر
در این مقاله یک مبدل آنالوگ به دیجیتال ستونی-موازی با سرعت بالا و با رزولیشن 12 بیت دارای اندازه کوچک در دو طرف سنسور تصویرپیشنهاد شده است. همچنین در این مقاله یک مقایسه کننده با افست پایین پیشنهاد شده است. روشی برای تسریع سرعت تبدیل با استفاده از همزمان کردن متغیرها (کلاک متغیر) و خازنهای نمونه برداری توسعه داده شده است. تقویت کننده بار پیکسلی به حساسیت نوری 19/9 V/lxsدست می یابد.اندازه کامل سیگنال در خروجی پیکسل 1/8 V در منبع تغذیه 3/3-V است و میزان نویز 1.8 اندازه گیری شده است و دامنه پویای سگنال حاصل شده 60db است. در نهایت این مدار با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شد و نتایج قابل قبولی بدست آمده است.این مدار با ولتاژ3.3 نیاز دارد و در تکنولوژی 0.35 میباشد.توان مصرفی 11 میلی وات وSFDR معادل 66 دسی بل و THDمعادل -2 و SNDRمعادل 40 دی بی است.
تفاصيل المقالة
در این مقاله سعی گردیده ضمن بیان نحوه عملکرد مبدل تقریب متوالی، به بررسی بلوکهای تشکیل دهندهی این مبدل پرداخته شدهاست و سهم هریک از مدارات در توان مصرفی کل عنوان شدهاست و سعی بر آن بودهاست تا توان مصرفی مبدل کاهش یابد. از آنجا که زیر مبدل دیجیتال به آنالوگ و مقایسهگ أکثر
در این مقاله سعی گردیده ضمن بیان نحوه عملکرد مبدل تقریب متوالی، به بررسی بلوکهای تشکیل دهندهی این مبدل پرداخته شدهاست و سهم هریک از مدارات در توان مصرفی کل عنوان شدهاست و سعی بر آن بودهاست تا توان مصرفی مبدل کاهش یابد. از آنجا که زیر مبدل دیجیتال به آنالوگ و مقایسهگر به ترتیب بیشترین مصرف توان را در این نوع مبدل دارند اکثر طراحان برای کاهش توان مصرفی به این دو قسمت توجه میکنند. از بین این دو مدار طراحی زیر مبدل آرایه خازنی اهمیت بیشتری دارد بنابراین یک مبدل تقریب متوالی تمام تفاضلی با روش سوئیچزنی پیشنهادی برای کاهش توان مصرفی زیرمبدل آرایه خازنی ارائه شدهاست. مزیت اصلی این ساختار در نصف بودن مقدار کل خازن مورد نیاز در آن در مقایسه با ساختار تمام تفاضلی دودویی متعارف میباشد. در این مبدل، انرژی مصرفی زیر مبدل دیجیتال به آنالوگ نسبت به ساختار متعارف %86 و ساختار یکنوا %24.65 کاهش یافتهاست. به دلیل عملکرد سوئیچزنی مکمل آرایه خازنی نیم مدار بالایی و پایینی، باعث شده تغییرات ولتاژ حالت مشترک ورودیهای مقایسهکننده از گام دوم به بعد ثابت بوده و این ثابت بودن تغییرات ولتاژ حالت مشترک خطینگی مدار مبدل را بهتر میکند که از مزایای روش پیشنهادی میباشد. همه شبیه سازیها در تکنولوژی 0.18 µm CMOS و با منبع تغذیه 1.8 ولت انجام میشود.
تفاصيل المقالة
سند
Sanad is a platform for managing Azad University publications