شبکههای تطبیق تلفیقی دوبانده با استفاده از ترکیب خطوط مایکروستریپ و قطعات سوئیچینگ فعال
شعبان رضائی برجلو
1
(
گروه مهندسی برق، واحد آشتیان، دانشگاه آزاد اسلامی، آشتیان، ایران
)
عبدلله محمدی
2
(
گروه مهندسی برق، واحد آشتیان، دانشگاه آزاد اسلامی، آشتیان، ایران
)
بهادر مکی آبادی
3
(
گروه فیزیک و مهندسی پزشکی، دانشگاه علوم پزشکی تهران، تهران، ایران
)
کلید واژه: تقویتکنندهی توان تطبیق‌پذیر, سیستم رادیو شناختی, شبکه تطبیق تلفیقی دوبانده, قطعات سوئیچینگ ,
چکیده مقاله :
در این مقاله، طراحی، ساخت و اندازه‌گیری دو شبکه تطبیق تلفیقی دوبانده جدید جهت استفاده در ماژول تقویتکنندهی توان در فرکانس مرکزیf_1=2.4GHz و f_2=5.8GHz ارائه شده است. شبکه تطبیق دوبانده پیشنهادی به منظور استفاده در یک تقویتکنندهی توان تطبیق‌پذیر کلاس F دوباندهی هم‌زمان، طراحی شده است. در برخی از کاربردهای فرکانس بالا، از قطعات فعال سوئیچ در مدارات استفاده می‌شود. قطعات سوئیچینگ در این مدارها برای باز و بسته کردن یک اتصال یا برای تغییر شاخه-خط قسمتی از مدار استفاده می‌شود. تلفات جایگزینی و ایزولاسیون از پارامترهای اساسی برای توصیف کارایی یک قطعه فعال سوئیچ هستند. در این مقاله با استفاده از یک پیندیود با نام BAR50-02 ساخت شرکت Infineon ، دو نوع شبکه تطبیق هم زمان که قابلیت تغییر باند فرکانسی (تلفیقی) در محدوده وسیعی را دارند ارائه میکنیم. همچنین، مدار معادل پیندیود، شبکههای تطبیق تلفیقی هم‌زمان و قطعات ایده‌آل مدار به همراه فرمول‌های مربوطه ارائه خواهد شد. شبکههای تطبیق تلفیقی دوبانده بعد از طراحی، شبیه‌سازی و ساخته شده است و نتایج مشخصه‌ی مدار در داخل هر دو باند اندازه‌گیری شده است.
چکیده انگلیسی :
In this article, two novel dual-band matching networks (MNs) with adapted frequency are designed, constructed, and measured for a power amplifier (PA) module at the central frequencies of f_1=2.4GHz and f_2=5.8GHz. The proposed networks are to be utilized in a concurrent dual-band adaptive PA. In some high-frequency applications, active switching components are also employed in circuits to open and close connections or even change their branch-line parts. Besides, return and isolation losses (RLs and ILs) are regarded as the fundamental parameters to describe the performance of such components. Using a PIN diode, called the BAR50-02 (Infineon Technologies, Germany), two types of simultaneous MNs with the ability to change the frequency bands in a wide range are presented. Moreover, the equivalent circuit of the PIN diode, the integrated concurrent MNs, and the ideal circuit components are provided along with the relevant formulas. The dual-band MNs, characterized with frequency adaptation, are then designed, simulated, and built, and finally the circuit characteristics are measured within both bands.
[1] M. R. Salehi, E. Abiri, and L. Noori, “ Design of a Microstrip Dual-Band Bandpass Filter with Compact Size and Tunable Resonance Frequencies for WLAN Applications, ” International Journal of Computer and Electrical Engineering, Vol. 6, No. 3, pp. 248-251, June 2014.
[2] Shaban Rezaei Borjlu, Davud Asemani, Massoud Dousti , “Microstrip Dual-Band Bandpass Filter Using Stepped Impedance Resonators and Radial Stub ,” Electronics Industries Quarterly,Vol.8,No.3, Autumn,2017, (in Persian).
[3] Shaban Rezaei Borjlu, Davud Asemani, Massoud Dousti , “A highly efficient concurrent dual‐band GaN class‐AB power amplifier at 1.84 GHz and 3.5 GHz ,” International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering, 2017.
[4] Shaban Rezaei Borjlu, Davud Asemani, Massoud Dousti , “Concurrent dualband Doherty power amplifier using a novel dual-band bandpass filter for wireless technologies,” Analog Integrated Circuits and Signal Processing, 2018.
[5] Shaban Rezaei Borjlu, Davud Asemani, Massoud Dousti , “ A novel Dual-Band Concurrent Asymmetric Doherty Power Amplifier for Wireless Communicatio- ns ,” , Journal of Circuits System and Computers, 2019
[6] J. Marimuthu, A. M. Abbosh, and B. Henin, “ Planar microstrip bandpass filter with wide dual band using parallel-coupled lines and impedence resonators,” Progress In Electromagnetics Research C, Vol. 35, 49–61, 2013.
[7] K. S. Chin, and C. K. Lung, “ Miniaturized microstrip dual-band bandstop filters using tri-section stepped impedance resonators, ” Progress in Electromagnetics Research C, vol. 10, pp. 37–48, 2009.
[8] K. S. K. Yeo, and A. O. Nwajana, “ A novel microstrip dual-band bandpass filter using dual-mode square patch resonators, ” Progress In Electromagnetics Research C, 36, 233–247, 2013.
[9] A. Fukuda, H. Okazaki, T. Hirota and Y. Yamao, “Novel 900 MHz/1.9 GHz DualMode Power Amplifier Employing MEMS Switches for Optimum Matching”, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, vol.14, no.3, pp. 121-123, March 2004.
[10] Y. Lu, D. Peroulis, S. Mohammadi, L. P. B. Katehi, "A MEMS reconfigurable matching network for a class AB amplifier," Microwave and Wireless Components Letters, IEEE, vol.13, no.10, pp.437-439, October 2003.
[11] A. Fukuda, H. Okazaki, S. Narahashi, T. Hirota,; Y. Yamao, "A 900/1500/2000-MHz triple-band reconfigurable power amplifier employing RF-MEMS switches," Microwave Symposium Digest, 2005 IEEE MTT-S International , pp.657-660, 12-17 June 2005.
[12] A. Fukuda, T. Furuta, H. Okazaki, S. Narahashi, “A 0.9-5-GHz Wide-Range 1 W-Class Reconfigur -able Power Amplifier Employing RF-MEMS Switches”, IEEE, pp. 1859-1862, 2006.
[13] W. C. Edmund Neo, Y. Lin, X. D. Liu and et, "Adaptive MultiBand Multi-Mode Power Amplifier Using Integrated Varactor-Based Tunable Matching Networks," IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.41, no.9, pp.2166-2176, September 2006.
[14] H. Zahng, H. Gao, G. Li, “Broad-Band Power Amplifier With a Novel Tunable Output Matching Network”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 53, no. 11, pp. 3606-3614, 2005.
[15] U. Kim, K. Kim, J. Kim, Y. Kwon, “A Multi-Band Reconfigurable Power Amplifier for UMTS Handset Applications”, IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium,pp. 175-178, 2010.
[16] H. M. Nemati, J. Grahn and C. Fager, “Band-Reconfigurable LDMOS Power Amplifier”, in 40th European Microwave Conference, pp. 978-981. 2010.
[17] A. Fukuda, K. Kawai, T. Furuta, H. Okazaki, S. Oka, S. Narahashi, A. Murase, "A high power and highly efficient multi-band power amplifier for mobile terminals," Radio and Wireless ymposium (RWS), pp.45-48, 10-14 January 2010.
[18] M. Watertown, The PIN Diode Circuit Designers’ Handbook, Massachusetts: Microsemi Corporati- on , 1998.
[19] G. Hiller, “Design with PIN Diodes”, Application Notes.
[20] Norouzian, F & Gardner,“Concurrent dual-band high efficiency class-E power amplifier” in Proceedings of the 43rd European Microwave Conference. vol. 2013, 06686904, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp. 1303-1306, 2013.
[21] X. Chen, G. Han, R. Ma, J. Gao, and W. Zhang, “Design of balanced dual band bandpass filter with self-feedback structure,” ETRI Journal,vol. 31, no. 4, pp. 475-477, 2009.
[22] M. Hayati and L. Noori, “Compact dual band bandpass filter with ultra wide stopband using open loop resonator loaded by T-shape and open stubs,” IEICE Electronics Express, vol. 8, no. 14, pp. 1168-1173,2011.
[23] P. Mondal and M. K. Mandal, “Design of dual band bandpass filters using stub-loaded open-loop resonators,” IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, vol. 56, no. 1, pp. 150 – 155, 2008.