در مدارهای دیجیتال با ترانزیستورهای زیاد، انرژی مصرفی بالا همچنان چالش اساسی می¬باشد. تکنیک¬های نوظهور مانند محاسبات تقریبی تا حدودی به حل این چالش کمک کرده¬اند. بر این اساس، سه تفریق¬کننده جدید تک¬بیتی بر مبنای محاسبات¬ تقریبی و تکنیک دروازه ورودی انتشار معرفی می¬شوند. مدارهای پیشنهادی 1 تا 3 ضمن جدول درستی متفاوت با دیگر مدارها، به¬ترتیب 10، 8، و 6 ترانزیستور دارند که باعث کاهش قابل¬توجه توان¬مصرفی می¬شود. نتایج شبیه¬سازی¬ براساس تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی (CNTFET) با طول کانال 32 نانومتری، برتری این مدارها را تایید می¬کند. مدار پیشنهادی 3 بدون استفاده از اینورتر، دارای بهترین عملکرد از نظر مداری می¬باشد. هر چند به¬دلیل وجود 4 خطا در این مدار، نرخ خطای آن در مقایسه با دیگر مدارها بیشتر می¬باشد. بررسی اثرات تغییرات در منبع ولتاژ، fan-out و تغییرات فرایند-ولتاژ-دما گویای برتری مدار پیشنهادی 3 از نظر انرژی¬ تلفاتی می¬باشد. هم¬چنین، با تعبیه مدارهای پیشنهادی در ساختار تقسیم¬کننده 8¬ بیتی، برتری مدار پیشنهادی 3 از¬ نظر معیارهای شایستگی مختلف به مقدار حداقل 50% قابل مشاهده است. تفاصيل المقالة

یکی از مهمترین کاربردهای بیوالکترونیک بهبود سلامت و افزایش طول عمر افراد از طریق دستگاه‌های قابل جای‌گذاری در بدن است. این نوع تجهیزات روز به روز اهمیت و کاربرد بیشتری پیدا می‌کنند. برای بهبود عملکرد این تجهیزات و افزایش طول عمرشان در داخل بدن، باید منبع انرژی پایداری داشته باشند. باتری‌ها هرچند قابلیت ذخیره‌ کردن انرژی را دارند، اما با گذر زمان نیاز به تعویض دارند که باعث تحمیل جراحی مجدد و هزینه اضافی به بیمار می‌شود. تلاش‌های زیادی برای تامین این انرژی مورد نیاز از داخل بدن صورت گرفته است. در این مقاله روش جدیدی برای برداشت انرژی از حرکت انقباضی عضله دیافراگم ارائه شده است. در این روش از یک ساختار مکانیکی استفاده شده که انرژی حاصل از حرکت دیافراگم را از طریق فنر سیلیکونی به لایه پیزوالکتریک منتقل می‌کند. لایه پیزوالکتریک انرژی را به‌صورت الکتریکی در خود ذخیره می‌کند. تفاصيل المقالة

محاسبات تقریبی یک مفهوم طراحی جدید می باشد که بر مبنای یک داد و ستد بین عملکرد پارامترهای مداری و دقت استوار می باشد. مدارهای تقریبی در کابردهایی که مقاوم در برابر خطا هستند نقش بسیار مفیدی دارند یکی از این کاربردها پردازش تصویر می باشد. این مقاله یک کمپرسور 4-2 تقریبی با 12 ترانزیستور را معرفی می کند. کمپرسور پیشنهادی توان تلفاتی پایینی داشته و ولتاژ خروجی آن دارای سوئینگ کامل می باشد، این ویژگیهای ها ناشی از استفاده همزمان از تکنیکهای GDI و DT می باشد. مدار پیشنهادی با تکنولوژی 16 نانومتر CNTFET پیاده سازی شده که مساحت بسیار پایینی را اشغال می کند. با توجه به نتایج شبیه سازی، کمپرسور تقریبی 4-2 توان تلفاتی و PDP بسیار پایینی را نشان می دهد که این مقادیر در مقایسه با نمونه دقیق آن به ترتیب دارای کاهش 95.18% و 95.27% می باشند. مدار پیشنهادی از نظر سایر ویژگیهای مدارهای تقریبی مانند فاصله خطا، میانگین فاصله خطا و میانگین نرمالیزه شده فاصله خطا نیز مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی شایستگی های مدار پیشنهادی رابه ویژه برای کاربردهای پردازش سیگنالهای دیجیتال تایید می کند. تفاصيل المقالة