در این مطالعه، خواص الکترونی و نوری چاه کوانتومی دوگانه سهموی باند- ظرفیتی GaAsSb/GaAs پوشش دهی شده با لیزر مورد پژوهش قرار گرفتند. اثر افزایش پارامتر پوشش دهندگی – لیزری بر حالت های مقید الکترونی و توابع موج متناظر با استفاده از روش اجزای محدود (FEM) در نرم افزار کامسول مالتی فیزیکس و در تقریب جرم موثر وابسته به موقعیت با در نظر گرفتن سری فوریه- فلوکت و تبدیل کرامرز- هنبرگر بررسی شد. عبارتی تحلیلی برای توصیف جرم موثر وابسته به موقعیت حفره سنگین به عنوان تابعی از هندسه چاه برای اولین بار توسعه داده شد.حالت های های مقید الکترونی حفره سنگین با در نظز گرفتن چگالی احتمال حضور در چاه کوانتومی مطالعه شدند. نتایج الکترونی بدست آمده گذاری را از یک چاه کوانتومی دوگانه با پهنای سد مرکزی صفر به یک نوع پتانسیل سه گانه بعد از اعمال میدان لیزری و سپس بازگشت به یک نوع چاه کوانتومی دوگانه با یک سد مرکزی گسترده شده هنگامی که پارامتر پوشش دهندگی – لیزری افزایش یافته است نشان می دهد . مشخصه های جذب و شکست نوری خطی و غیرخطی مرتبه سوم با استفاده از روش ماتریس چگالی و با در نظر گرفتن یک سیستم دو ترازه برای تراز پایه و اولین حالت برانگیخته مطالعه شدند. تفاصيل المقالة