در عصر حاضر، مغناطیس و بویژه لایه های نازک مغناطیسی در ساخت حافظه ها نقش اساسی دارند. امروزه راهکارهای زیادی برای افزایش حافظه کامپیوترها بررسی می شود. یکی از راههای رسیدن به چنین نتایجی در کاهش اندازه دانه های مغناطیسی با مجزا کردن این دانه ها می باشد، که با افزایش وادارندگی مغناطیسی همراه است. در کار حاضر با استفاده از روش مگنوترون، نانوکامپوزیت های زمینه فلزی CoCrPt با درصد های مختلف Al2O3 ساخته می شوند. در این حالت، لایه تقریباً آمورف تشکیل می شود که دانه های بسیار ریز دارند. با آنیل کردن آنها در دماهای مختلف و تحت زمانهای متفاوت، دما و زمان بهینه، برای رسیدن به حالت کریستالی فیلم مورد بررسی قرار گرفته است. با مطالعه و اندازه گیری میزان نیروی کوئرسیویته به کمک VSM، میزان افزایش آن در شرایط مختلف برای رسیدن به حالت مطلوب محقق گردیده است. با عملیات حرارتی، لایه های CoCrPt/Al2O3، نیروی وادارندگی به نحو چشمگیری افزایش یافته است، که مقدار این افزایش2500 اورستد است. این افزایش نیروی وادارندگی می تواند افق جدیدی را بر روی دنیای الکترونیک باز کند. تفاصيل المقالة