هدف از انجام این تحقیق شناسایی چالش های پیش روی صنعت برق الکترونیک استان آذربایجان شرقی و ارائه مدلی برای ارتقای سطح فروش این محصولات می باشد. پژوهش حاضر از بعد هدف کاربردی و از لحاظ ماهیت پژوهشی، توصیفی می باشد. جهت جمع‌آوری داده از پرسش نامه محقق ساخته استفاده گردید که روایی سؤالات پرسش نامه توسط متخصصان حوزه مربوط و به خصوص استاد راهنما مورد تأیید قرار گرفت. برای این منظور ابتدا از روش تحلیل عاملی اکتشافی برای شناسایی عوامل اثرگذار بر کارآمدی صنعت الکترونیک استفاده شد، که 18 گروه عامل در این راستا شناسایی و در قالب 4 گروه کلی؛ تقویت درونی (مانند طراحی محصول جدید، بازار، فروش) و عوامل کلان فضای کسب و کار (مانند فنی، اجتماعی، اقتصادی، زیست محیطی) و تقویت زیرساخت های درونی (مانند آزمایشگاه، طراحی تراشه، تکنولوژی روز) و عوامل محیط صنعت (مانند مصرف کنندگان، مشتریان، رقبا) مورد دسته بندی قرار گرفتند. سپس با استفاده از روش مدل سازی معادلات ساختاری اثر مداخله گر عوامل بازاریابی، رقابتی و تحقیقاتی و همچنین اثر تعدیل گر عوامل خرید حرفه ای و امکان طراحی تراشه مورد آزمون قرار گرفت. تفاصيل المقالة

Infrared photo detectors have vast and promising applications in military,
industrial and other fields. In this paper, we present a method for improving the
performance of an infrared photodetector based on an InSb substance. To achieve good
performance at high temperatures, thermal noise and intrusive currents should be
reduced. For this purpose, a five-layer hetero structure photodetector based on We
introduce n+ InSb / n+ In1-xAlxSb / π InSb / p+ In1-xGaxSb / p+ InSb to improve the
thermal performance in the mid-wavelength infrared (MWIR) range. With inserting of
two thin layers from InAlSb and InGaSb on both side of the new (π) optical absorber created a
barrier in the structure that prevents from entrance of diffusion currents and noise carriers at n+
and p+ regions into the active area. And also by reducing the density of unwanted carriers in the
active layer, leads to decrease dark current, which is the main limiting factor for photodetectors’
performance based on InSb. Our proposed design reduced 49% dark current, increased
57% resistivity (R0) and increased 39% detectivity at 300K. Simulation of the structure
was done using the SILVACO ATLAS software. تفاصيل المقالة

Multi-junction solar cells play a crucial role in the Concentrated
Photovoltaic (CPV) Systems. Recent developments in CPV concerning high power
production and cost effective-ness along with better efficiency are due to the
advancements in multi-junction cells. This paper presents a simulation model of the
generalized Multi-junction solar cell and introduces a two-bond solar cell based on
InGaP/GaAs with an AlGaAs/GaAs tunnel layer.For enhancing the efficiency of the
proposed solar cell, the model adopts absorption enhancement techniques as well as
reducing loss of recombination by manipulating number of junctions and varying the
material properties of the multi-junctions and the tunneling layer. The proposed Multijunction
solar cell model employing tunnel junctions can improve efficiency up to by
35.6%. The primary results of the simulation for the proposed structure indicate that it is
possible to reduce the loss of recombination by developing appropriate lattice match
among the layers; it is also likely to have suitable absorption level of the phonons.
Simulation results presented in this paper are in agreement with experimental results. تفاصيل المقالة