چکیده
کربن یک عنصر فراوان در طبیعت و نسبتا ارزانقیمت است که میتواند هزینه ساخت سلول خورشیدی را بطور قابل توجهی کاهش دهد. در سالهای اخیر ترکیبات کربنی بطور ویژه جهت استفاده در سلول خورشیدی پروسکایت مورد توجه و بررسی قرار گرفتهاند. در این تحقیق، نقاط کوانتومی اکسید گرافن در سلول خورشیدی پروسکایت مسطح مورد استفاده قرار گرفتهاند. بدین منظور، نقاط کوانتومی اکسید گرافن به روش هیدروترمال سنتز شدهاند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی عبوری از این ذرات نشان میدهد که اندازه نقاط کوانتومی اکسید گرافن کوچکتر از ۱۰ نانومتر میباشد. این نقاط کوانتومی سپس جهت ساخت سلول خورشیدی با ساختار ITO/GOQD/MAPbI
3/Spiro-OMETAD/Ag، به روش لایه نشانی چرخشی بر روی زیرلایه اکسید قلع-ایندیوم (ITO) لایه نشانی میشوند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی و آنالیز پراش پرتو ایکس از لایه پروسکایت نشان میدهند که این لایه با ساختار کریستالی مناسب، به صورت یکنواخت و پیوسته بر روی لایه نقاط کوانتومی اکسید گرافن لایه نشانی شده است. همچنین، بررسی شدت نورتابی لایه پروسکایت لایه نشانی شده بر روی نقاط کوانتومی اکسید گرافن، در مقایسه با شدت نورتابی لایه پروسکایت بر روی ITO نشان میدهد که انتقال الکترون از لایه پروسکایت به نقاط کوانتومی اکسید گرافن بطور موثری اتفاق میافتد و در نتیجه نورتابی لایه پروسکایت در حالت مجاورت با لایه نقاط کوانتومی اکسید گرافن به میزان قابل توجهی کاهش مییابد. سلول خورشیدی پروسکایت مسطح ساخته شده، عملکرد بسیار مناسبی با مشخصات جریان اتصال کوتاه (Jsc) mA/cm
2 ۹/۲۱، ولتاژ مدار باز (Voc) V ۰۲/۱، ضریب پرشدگی (FF) ۶۷/۰ و بازده تبدیل توان (PCE) % ۱۵ نشان میدهد. این نتایج بیانگر ویژگی مناسب نقاط کوانتومی اکسید گرافن به عنوان ماده انتقالدهنده الکترون در سلول خورشیدی پروسکایت میباشد.
تفاصيل المقالة