تهیه فیلم نازک اکسید روی با روش کندوپاش پلاسمایی و مطالعه تغییرات خواص الکتریکی، ساختاری و مورفولوژی آن با دوزهای مختلف تابش گاما

الموضوعات : نانومواد

سارا نوبخت ¹ (گروه فیزیک، واحد تبریز، دانشگاه آزاد اسلامی، تبریز، ایران)
ربابه طالب‌زاده ² (گروه فیزیک، واحد تبریز، دانشگاه آزاد اسلامی، تبریز، ایران)
صمد سبحانیان ³ (دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران)
حمید نقش‌آرا ⁴ (دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران)
محمد کوهی ⁵ (گروه فیزیک، واحد تبریز، دانشگاه آزاد اسلامی، تبریز، ایران)

تاريخ الإرسال : 09 الخميس , ربيع الثاني, 1444 تاريخ التأكيد : 09 الخميس , ربيع الثاني, 1444 تاريخ الإصدار : 27 الأحد , ربيع الأول, 1444

الکلمات المفتاحية: مورفولوژی, اکسید روی, پرتو گاما, خصوصیات الکتریکی و ساختاری, اسپاترینگ پلاسمایی,

ملخص المقالة :

فیلم‌های نازک نانوساختاری اکسید روی با ضخامت حدود nm ۱۵۰ با روش اسپاترینگ پلاسمایی برای سه دمای مختلف زیرلایه استیلی و درصدهای مختلف ترکیب اکسیژن و گاز کاری آرگون تهیه گردیده و نمونه‌های مختلف تحت تابش پرتوهای گاما Co60 قرار داده شدند. تغییرات در طیف پراش پرتو اشعه X (XRD)، مقاومت ویژه و به تبع آن هدایت الکتریکی و مورفولوژی سطح برای دوزهای مختلف پرتو گاما از Gy ۵۰ تا Gy ۲۰۰۰ بررسی و مورد تحقیق قرار گرفته‌اند. با اینکه وابستگی خصوصیات الکتریکی و مورفولوژی فیلم‌های نازک با میزان دوز تابشی گاما، درصد ترکیب‌های گاز کاری و دماهای زیرلایه بسیار پیچیده است با این حال برای بعضی از دوزهای گاما تغییرات در فاز ساختاری، مقاومت ویژه و اندازه نانودانه‌های نشانده شده روی زیرلایه استیل به وضوح قابل ملاحظه هستند.

المصادر:

• J. Chen, F.Y. Hung, S.J. Chang, S.J. Young, Journal of Alloys and Compounds, 479, 2009, 674.


• R. Khan, M.S. Khan, M. Zulfequar, M.S. Khan, Materials Science and Applications, 2, 2011, 340.


• Lee, S.S. Lee, J.J. Choi, J. Jeon, K. Ro, Microsystem Technologies, 11, 2005, 416.


• Li, Y. Bando, D. Golberg, Applied Physics Letters, 84, 2004, 3603.


• Majumdar, P. Banerji, Journal of Applied Physics, 107, 2010, 063702.


• Salaoru, P. Buffat, D. Laub, A. Amariei, N. Apetroaei, M. Rusu, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 8, 2006, 936.


• Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, Nature Materials, 4, 2005, 42.


• Arshak, O. Korostynska, IEEE Sensors Journal, 3, 2003, 717.


• Arshak, O. Korostynska, Sensor Review,15, 2003, 1.


• Colby, G. Lum, T. Plettner, J. Spencer, IEEE Transactions on Nuclear Science, 49, 2002, 2857.


• Molenberghs, K. Arshak, O. Korostynska, Sensor Review, 25, 2006, 1.


• Arshak, O. Korostynska, Materials Science and Engineering: B, 133, 2006, 1.


• Ibrahim, L. Soliman, Radiation Physics and Chemistry, 53, 1998, 469.


• Arshak, O. Korostynska, Sensors, 2, 2002, 347.


• Maity, S. Sharma, Bulletin of Materials Science, 31, 2008, 841.


• Maity, S. Sharma, Effects of gamma irradiation on electrical, optical and structural properties of tellurium dioxide thin films, 2011.


• Senthil-Srinivasan, M. Patra, V. Choudhary, A. Pandya, Journal of optoelectronics and Advanced Materials, 9, 2007, 3725.


• Sharma, T. Maity, Bulletin of Materials Science, 34, 2011, 61.


• Babu, K. Mohanraj, S. Chandrasekar, N. Senthil Kumar, B. Mohanbabu, Nanoscale Reports, 1, 2018, 26.


• Yang, S. Rossnagel, J. Joo, Vacuum, 86, 2012, 1452.


• Sengupta, R. Sahoo, C. Mukherjee, Materials Letters, 83, 2012, 84.


• Wang, M. Wu, Y. Wang, Y. Yu, X. Wu, L. Zhuge, Vacuum, 89, 2013, 127.


• Aldawood, M. AlGarawi, M.A. Shar, S.M. Ali, Journal of King Saud University-Science, 32, 2020, 2629.


• A. Kakil, B.N. Sabr, L.S. Hana, T.A.H. Abbas, S.Y. Hussin, Journal of the Korean Physical Society, 72, 2018, 561.


• H. Lee, K. Oh, K. Jung, K. Wilson, M.J. Lee, Metals, 10, 2020, 437.


• Alyamani, N. Mustapha, T. Alkhuraiji, H. Idriss, Journal of Ovonic Research, 15, 2019, 301.


• Qindeel, Results in Physics, 7, 2017, 807.


• P. Dabruck. Prototype Moderator at the AKR-2 Training Reactor, Target Station Optimization for the High- Brilliance Neutron Source HBS, Springer; 2018, 127-45.


• Erramli, J. El Asri, Gamma Rays: Applications in Environmental Gamma Dosimetry and Determination Samples Gamma-Activities Induced by Neutrons, Use of Gamma Radiation Techniques in Peaceful Applications, 2019;109.


• Anandh, A.S. Ganesh, R. Thangarasu, R. Sakthivel, R. Kannusamy, K. Tamilselvan, Oriental Journal of Chemistry, 34, 2018, 1619.


• N.H. Mia, M.F. Pervez, M.K. Hossain, M.R. Rahman, M.J. Uddin, Results in Physics, 7, 2017, 2683.S. Nobakht, R. Talebzadeh, S. Sobhanian, H. Naghshara, M. Kouhi, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 15, 2021, 1.